有机电子电路制造技术

本发明专利技术涉及一种多层膜体形式的有机电子电路（１）及其制造方法。所述多层膜体具有衬底层（２）、第一导电功能层（３）、半导电功能层（４）、绝缘层（５）以及第二导电功能层（６）。所述有机电子电路（１）具有两个或更多部分（２０、２１）。所述两个或更多部分（２０、２１）中的至少一个第一部分（２０）的形式为互连组件（８０）。在所述至少一个第一部分（２０）中提供了多个结构（３ａ），在优选方向上重复所述结构（３ａ）并且在所述第一导电功能层（３）中相应地形成所述结构（３ａ），所述结构（３ａ）被中心第一区（３０）中的绝缘层（５）相应地覆盖并且所述结构（３ａ）未被所述中心第一区（３０）的两侧上布置的第二区（３１、３２）中的绝缘层（５）覆盖。所述两个或更多部分（２０、２１）中的至少一个第二部分（２１）的形式为电子组件（８１）。在在所述第一导电功能层（３）中的所述至少一个第二部分（２１）中提供了在优选方向上重复的多个结构（３ｂ）。在中心第一区（４０）中布置的这些结构（３ｂ）被所述半导电功能层（４）和／或所述绝缘层（５）覆盖。这些结构（３ｂ）未被与一个部分相邻地布置的至少一个第二区（３１、３２）中的绝缘层（５）覆盖。所述第二导电功能层（６）具有至少一个第一区（５０），在所述第一区（５０）中，所述第二导电功能层（６）部分地覆盖在所述第一导电功能层（３）在形式为所述互连组件（８０）的所述至少一个部分（２０）中的至少一个结构（３ａ）上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层（３）的在形式为所述电子组件（８１）的所述至少一个部分（２１）中的至少一个结构（３ａ）上，从而形成一个或多个导电连接（６４、６５、６６）。所述第二导电功能层（６）具有提供电子元件的至少一个第二区（５１），在所述第二区（５１）中，所述第二导电功能层（６）部分地覆盖在形式为所述电子组件（８１）的所述至少一个第二部分（２１）上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种多层膜体形式的有机电子电路，所述多层膜体具有衬底层、第一导电功能层、半导电功能层、绝缘层以及第二导电功能层，以及涉及一种用于制造所述有机电子电路的方法。
技术介绍
有机电子电路例如从WO 2004/047144A2是公知的。WO 2004/047144A2描述了具有以上指出的结构的场效应晶体管。在衬底上布置有源极和漏极电极层，所述源极和漏极电极层彼此啮合(engagement)并在全部表面积上顺序地被结构化半导体层和绝缘层所覆盖。所述绝缘层上布置有结构化栅极电极层。所述源极电极层与所述漏极电极层之间布置有所谓的沟道，所述沟道上布置有栅极电极层，所述栅极电极层在此的形式为顶部栅极电极。为了使有机电子电路还可以具有更多的电路功能并因而可以提供更复杂的电子电路，首先必须增大电子元件的集成密度(即，单位表面积内的元件数)。但是，在大规模生产中的印刷有机电子电路的情况下，如果待印刷的用于提供功能层的导电和半导电材料只能缓慢变干或硬化，则增大密度尤为困难，也就是说，难以印刷高质量的高分辨率电子功能层。此外，以相互重叠的关系精确放置(即，对准)功能层对于高级别的集成密度和部件质量非常重要。
技术实现思路
现在，本专利技术的目标是提供一种改进的有机电子电路。本专利技术的目标通过一种多层膜体形式的有机电子电路实现，所述多层膜体具有衬底层、第一导电功能层、半导电功能层、绝缘层以及第二导电功能层，其中所述有机电子电路具有两个或更多部分，其中所述两个或更多部分中的至少一个第一部分的形式为互连组件并且在所述第一导电功能层中的所述至少一个第一部分中形成多个结构，所述结构在优选方向上重复，所述结构在中心第一区中被绝缘层相应地覆盖并且所述结构在所述中心第一区的两侧上布置的第二区中未被绝缘层覆盖，其中所述两个或更多部分中的至少一个第二部分的形式为电子组件并且在所述第一导电功能层中的所述至少一个第二部分中形成多个结构，所述结构在优选方向上重复，所述结构在中心第一区中被所述半导电功能层和/ 或所述绝缘层相应地覆盖，并且所述结构在与相邻第一部分相邻地布置的至少一个第二区中未被绝缘层覆盖，其中所述第二导电功能层具有至少一个第一区，在所述第一区中，所述第二导电功能层部分地覆盖在所述第一导电功能层的在形式为所述互连组件的所述至少一个部分中的至少一个结构以及优选地至少两个结构上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层的在形式为所述电子组件的所述至少一个部分中的至少一个结构以及优选地至少两个结构上，从而形成一个或多个导电连接，以及所述第二导电功能层具有至少一个第二区，在所述第二区中，所述第二导电功能层部分地覆盖在形式为所述电子组件的所述至少一个第二部分上，从而形成电子元件，具体地说，形成有机二极管或有机场效应晶体管。本专利技术的目标还通过一种用于制造多层膜体形式的至少一个有机电子电路的方法实现，其中产生所述有机电子电路的中间产物，方式为在衬底层上形成第一导电功能层并且进一步在所述第一导电功能层上形成至少一个半导电功能层和至少一个绝缘层，至少一个第一部分的形式为互连部分并且在所述第一导电功能层中的所述至少一个第一部分中形成多个结构，所述结构在优选方向上重复，所述结构在中心第一区中被绝缘层相应地覆盖并且所述结构在所述中心第一区的两侧上布置的第二区中未被绝缘层覆盖，至少一个第二部分的形式为电子组件部分并且在所述第一导电功能层中的所述至少一个第二部分中形成多个结构，所述结构在优选方向上重复，所述结构在中心第一区中被所述半导电功能层和/或所述绝缘层相应地覆盖，并且所述结构在与相邻第一部分相邻地布置的至少一个第二区中未被绝缘层覆盖；以及其中将所述至少一个有机电子电路个体化，方式为在所述中间产物上形成第二导电功能层，以便所述第二导电功能层具有至少一个第一区，在所述第一区中，所述第二导电功能层部分地覆盖在所述第一导电功能层的在形式为所述互连组件的所述至少一个第一部分中的至少一个结构以及优选地至少两个结构上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层的在形式为所述电子组件的所述至少一个部分中的至少一个结构以及优选地至少两个结构上，从而产生一个或多个导电连接，以及所述第二导电功能层具有至少一个第二区，在所述第二区中，所述第二导电功能层部分地覆盖在形式为所述电子组件的所述至少一个第二部分上，从而产生电子元件，具体地说，产生有机二极管或有机场效应晶体管。本专利技术使得在大规模生产中以高质量廉价制造复杂有机电子电路成为可能。通过根据本专利技术的有机电子电路的结构使得高效大规模生产有机电子电路成为可能。根据本专利技术的有机电子电路使得可以使用无需任何对准的生产工艺。通过所述第一导电功能层的特定构造实现此功能以及其他功能。此外，借助根据本专利技术的结构，仅就所述第一导电功能层 (优选地使用高分辨率构造法形成)的制造过程而言足以产生相对较高的质量要求。“相对粗糙的”工艺(具体地说，印刷工艺)可用于所有其他功能层的制造过程。此外，借助根据本专利技术的结构，就有关所述第一和/或第二导电功能层的倾斜或横向扭曲而言，所述制造工艺在一定程度上是容错的。根据本专利技术的工艺的中间产物优选地以长条的形式(例如， 膜网的形式)连续产生，在此情况下，优选地在所述第一导电功能层、所述半导电功能层以及所述绝缘层中具有周期性重复结构。此类中间产物不仅可以被高效而廉价地产生，而且其可以普遍用于涉及不同功能的不同有机电子电路，因为仅通过形成(即，个体化)所述第二导电功能层作为最后施加的功能层，就可以建立电路的电子元件以及电子元件彼此的互连。这还获得了进一步的成本优势。此外，可以借助数字构造工艺，例如借助数字印刷来制造所述第二导电功能层，因而可以缩短制造时间并且甚至在小批量时也可实现廉价制造。在从属权利要求中叙述了本专利技术的有利改进。在具有优选构造的有机电子电路中，可以规定在优选方向上重复的多个结构被成形为所述第一导电功能层中的多个相互平行的导体轨的形式。在下文中，作为取代而没有任何限制，术语“多个相互平行的导体轨”可以被解释为“在优选方向上重复的结构”。在一个优选实施例中，所述有机电子电路具有互连组件和电子组件，在所使用的材料和制造过程中，所述互连组件和电子组件基本上不同于集成电路使用的硅芯片。所述互连组件和电子组件的导电、半导电以及绝缘功能层分别由多层膜体的各层形成，通过印刷、刮刀施加、气相沉积或溅射来施加所述多层膜体。所述有机电子电路可以具有两个或更多优选地电绝缘的绝缘层、半导电功能层和/或第二导电功能层。在此情况下，其中形成两个或更多优选地电绝缘的绝缘层、半导电功能层和/或第二导电功能层的序列可以根据需要在所述第一导电功能层与所述第二导电功能层之间实现。所述互连组件和所述电子组件的第一导电功能层、半导电功能层、绝缘层和/或第二导电功能层分别(与硅芯片相比)堆积在挠性载体衬底上，所述载体衬底包括优选厚度在10微米与100微米之间的塑料膜。该膜形成集成电子电路(即，有机电子电路)的衬底(即载体衬底)，而不是硅芯片上形成的集成电子电路情况下的二氧化硅晶片。该电路的半导电功能层优选地施加在溶液中并因此例如通过印刷、喷溅、刮刀施加或浇注来施加。在此方面，所述半导电功能层的材料优选地是半导电功能聚合物，如聚噻吩、聚三噻吩、聚芴、并五苯、并四苯本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多层膜体形式的有机电子电路（１），所述多层膜体具有衬底层（２）、第一导电功能层（３）、半导电功能层（４）、绝缘层（５）以及第二导电功能层（６），其中所述有机电子电路（１）具有两个或更多部分（２０、２１），其中所述两个或更多部分（２０、２１）中的至少一个第一部分（２０）的形式为互连组件（８０）并且在所述第一导电功能层（３）中的所述至少一个第一部分（２０）中形成多个结构（３ａ），所述结构（３ａ）在优选方向上重复，所述结构（３ａ）在中心第一区（３０）中被绝缘层（５）相应地覆盖并且所述结构（３ａ）在所述中心第一区（３０）的两侧上布置的第二区（３１、３２）中未被绝缘层（５）覆盖，其中所述两个或更多部分（２０、２１）中的至少一个第二部分（２１）的形式为电子组件（８１）并且在所述第一导电功能层（３）中的所述至少一个第二部分（２１）中形成多个结构（３ｂ），所述结构（３ｂ）在优选方向上重复，所述结构（３ｂ）在中心第一区（４０）中被所述半导电功能层（４）和／或所述绝缘层（５）相应地覆盖，并且所述结构（３ｂ）在与相邻第一部分相邻地布置的至少一个第二区（４１、４２）中未被绝缘层（５）覆盖，其中所述第二导电功能层（６）具有至少一个第一区（５０），在所述第一区（５０）中，所述第二导电功能层（６）部分地覆盖在所述第一导电功能层（３）的在形式为所述互连组件（８０）的所述至少一个部分（２０）中的至少一个结构（３ａ）上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层（３）的在形式为所述电子组件（８１）的所述至少一个部分（２１）中的至少一个结构（３ａ）上，从而形成一个或多个导电连接（６４、６５、６６），以及所述第二导电功能层（６）具有至少一个第二区（５１），在所述第二区（５１）中，所述第二导电功能层（６）部分地覆盖在形式为所述电子组件（８１）的所述至少一个第二部分（２１）上，从而形成电子元件，具体地说，形成有机二极管或有机场效应晶体管。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·乌尔曼，
申请(专利权)人：波利IC有限及两合公司，
类型：发明
国别省市：DE