形成金属图形的方法及采用该金属图形的电磁干扰滤波器技术

本发明专利技术公开一种形成高导电性金属图形的方法，以及采用利用该方法形成的金属图形的电磁干扰滤波器（ＥＭＩ）。该方法包括以下步骤：（ｉ）将光催化化合物涂敷到一衬底上以形成一光催化膜，（ｉｉ）选择性地曝光该光催化膜以形成用作晶体生长的核的特征图形，以及（ｉｉｉ）镀该特征图形以便在其上生长金属晶体。该ＥＭＩ滤波器包括该金属图形。与传统方法相比，根据本发明专利技术的方法，可以快速和有效地形成高导电性的金属布线图形。此外，包括所述金属图形的ＥＭＩ滤波器不仅表现出优异的性能而且在降低制造成本和简化制造工艺方面具有优势。因此，该ＥＭＩ滤波器可以广泛应用于平板显示装置，例如等离子体显示面板（ＰＤＰ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形成高导电性金属图形的方法，以及采用利用该方法形成的金属图形的电磁干扰滤波器(以下简称为“EMI滤波器”)。更具体地，本专利技术涉及一种形成金属图形的方法，该方法包括以下步骤(i)将光催化化合物涂敷到一衬底上以形成一光催化膜，(ii)选择性地曝光该光催化膜以形成用作晶体生长的核的特征图形(latent pattern)，以及(iii)镀该特征图形以便在其上生长金属晶体；一种利用该方法形成的金属图形；以及包括该金属图形的EMI滤波器。与传统方法相比，根据本专利技术的方法，可以快速和有效地形成高导电性的金属布线图形。此外，包括所述金属图形的EMI滤波器不仅表现出优异的性能而且在降低制造成本和简化制造工艺方面具有优势。因此，该EMI滤波器可以广泛应用于平板显示装置，例如等离子体显示面板(PDP)。
技术介绍
近年来，随着急剧增长的对包括作为壁挂式电视的等离子体显示面板的显示装置的需求，人们开始关注显示装置发射的静电和有害的电磁波。例如，日本专利公开第平1-278800号公开了一种利用溅射或沉积工艺在屏幕的显示面板上形成透明电极的方法，而日本专利公开第2000-323890号描述了一种通过将与导电膜层叠的粘接剂涂敷到透明衬底上形成网状图形和采用光致抗蚀剂或可印制的抗蚀剂材料和金属蚀刻在导电膜上形成图形的方法。根据前一种方法，所述膜实际上具有100至2000之间的厚度，以便屏蔽有害的电磁波并保证PDP装置发射的可见光的传输。然而，在该膜厚范围内，电磁波屏蔽效果是不令人满意的(图1)。此外，后一种方法的问题是高制造成本以及额外需要操作家电产品的遥控器所需的近红外膜(图2和3)。作为替代的例子，日本专利公开第平5-16281和平10-72676号公开了一种通过将透明树脂层层叠到例如聚碳酸酯的透明衬底上、在该树脂层上进行无电镀铜并利用例如微光刻的蚀刻工艺在其上形成网形图形的制造电磁波屏蔽膜的方法(图4)。尽管该方法的优点是易于处理金属薄膜，但不利之处在于蚀刻溶液的成分、蚀刻温度和蚀刻时间在利用光刻的蚀刻过程中难以控制。此外，日本专利公开第2001-168574号提到一种无需进行蚀刻的形成网状图形的方法。根据该方法，包括减小的金属颗粒(无电镀催化剂)的透明树脂膜被层叠到透明衬底上，存在于形成在网状图形上的开口部分处的催化剂利用溶解剂被去活化或冲洗掉，电磁波或电子束被辐照到其上，并最终只对催化剂进行无电镀以便在网形图形上形成电磁波屏蔽膜。但是，该方法涉及额外工艺的使用，例如，存在于开口部分的催化剂必须通过喷墨工艺被去活化，或者在去活化之前必须采用光催化剂形成图形。因此，尽管无需蚀刻，但该方法的全部工艺条件是复杂的。因而，本领域需要一种形成高导电性金属布线图形的方法，其中该金属布线图形可以以无需额外工艺的简单方式快速和有效地形成，所述额外工艺例如为用于形成金属薄膜的要求高真空和高温条件的工艺，或者用于形成细小图形的曝光工艺以及后续的蚀刻工艺。本领域还需要一种用于形成可以用来制造具有优异性能的金属图形的方法。
技术实现思路
本专利技术人认真地开展了大量研究，以解决上述问题。结果，本专利技术人发现，当反应性可以通过光加以改变的化合物，例如光催化化合物，被涂敷到一衬底上以形成光催化膜，该光催化膜被选择性地曝光以便通过光反应形成作为晶体生长的核的特征图形，并且该特征图形被镀以便生长金属晶体时，与传统方法相比可以快速和有效地形成金属图形，并且包括金属图形的EMI滤波器不仅展现出优异的性能，而且在降低制造成本和简化制造工艺方面具有优势，由此实现本专利技术。由此制造的EMI滤波器可以广泛地应用于例如等离子体显示面板的平板显示装置。因此，本专利技术的一个特征在于提供一种形成金属图形的方法，其中该金属布线图形可以以无需额外工艺的简单方式快速和有效地形成，所述额外工艺例如为用于形成金属薄膜的要求高真空和高温条件的工艺，或者用于形成细小图形的曝光工艺以及后续的蚀刻工艺。本专利技术的另一特征在于提供一种具有优异性能的EMI滤波器，其采用利用所述方法形成的金属图形来制造。根据本专利技术的特征，提供一种用于形成金属图形的方法，其包括以下步骤(i)将光催化化合物涂敷到一衬底上以形成一光催化膜；(ii)选择性地曝光该光催化膜以形成用作晶体生长的核的特征图形；以及(iii)镀该特征图形以便在其上生长金属晶体。如果必要，本专利技术的方法还可以包括以下步骤，在步骤(iii)之前，利用金属盐溶液处理步骤(ii)中形成的特征图形以便在其上形成沉积有金属颗粒的图形。根据本专利技术的特征，还提供一种包括利用所述方法形成的金属图形的EMI滤波器。附图说明通过以下的详细描述并结合附图，本专利技术的上述和其它目的、特征以及其它优点将会被更加清楚地理解，其中图1为示意地显示透明导电薄膜型EMI滤波器的结构的示意图；图2为示意地显示金属网状图形型EMI滤波器的结构的示意图；图3为示意地显示形成金属网状图形型金属图形的传统方法的示意图；图4为示意地显示通过无电镀工艺形成金属网状图形的传统方法的示意图；图5为示意地显示根据本专利技术形成负型金属网状图形的方法的示意图；以及图6为示意地显示根据本专利技术形成正型金属网状图形的方法的示意图；图7为示意地显示曝光光催化膜以形成负型特征图形的情况；以及图8为示意地显示当曝光光催化膜以形成正型特征图形的情况。具体实施例方式以下将根据所述各个步骤更详细地解释本专利技术。步骤(i)首先，将光催化化合物涂敷到一衬底上以形成一光催化膜。这里所用的术语“光催化化合物”是指其性质可以通过光而剧烈改变的化合物。某些光催化化合物当不曝光时是非活性的，而当被曝光时，例如紫外光，它们的反应性被增加。或者，某些光催化化合物当不曝光时是活性的，而当被曝光时，例如紫外光，它们的反应性消失并且它们变成非活性的。在前一种情况下，可以在后续的步骤(ii)中形成负型特征图形(参见图5)。另一方面，在后一种情况下，可以在后续的步骤(ii)中形成正型特征图形(参见图6)。在本专利技术中用于形成负型特征图形的光催化化合物优选为那些在曝光前具有非活性的光催化化合物，但是当曝光时通过光反应被电子激活，因而可以表现出还原能力。更优选地，所述光催化化合物为含Ti的有机金属化合物，其曝光时可以形成TiOx(其中x为不大于2的数)。适合的含Ti的有机金属化合物的示例包括钛酸四异丙酯、钛酸四-n-丁酯(tetra-n-butyltitinate)、钛酸四-2-乙基己酯(tetrakis(2-ethyl-hexyl)titanate)、聚钛酸丁酯。在本专利技术中用于形成正型特征图形的光催化化合物优选为那些在曝光前具有活性的光催化化合物，但是当曝光时通过光反应被氧化，因而在曝光部分失去它们的活性。更优选地，所述光催化化合物为含Sn的化合物。适合的含Sn化合物的示例包括SnCl(OH)和SnCl2。接着在例如异丙醇的适当溶剂中溶解该光催化化合物，通过旋涂、喷涂、丝网印刷等方法可以将该溶液涂敷到透明衬底上。本专利技术中使用的衬底没有特别的限制，但优选为透明塑料或玻璃衬底。作为透明塑料衬底的示例，可以述及丙烯酸树脂、聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚醚砜、烯马来酰亚胺共聚物(olefin maleimide copolymer)、降冰片烯基树脂(n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成金属图形的方法，包括以下步骤：（ｉ）将光催化化合物涂敷到衬底上以形成光催化膜；（ｉｉ）选择性地曝光该光催化膜以形成用作晶体生长的核的特征图形；以及（ｉｉｉ）镀敷所述特征图形以便在其上生长金属晶体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卢昌镐，金珍咏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]