【技术实现步骤摘要】
用于检测引导热辐射的传感器和方法
[0001]本公开的各实施例总体上涉及用于检测引导热辐射的传感器和方法。
技术介绍
[0002]热发射器在半导体技术中的使用总是面临有效使用电力的挑战,尤其是在多市场和ATV(汽车)中的应用。存在使用平面发射器的示例,其中发射的其辐射要么远离表面要么穿过晶片。这类发射器可以加热例如外壳的内部。为了有目的地辐射输出,可以通过晶片粘合或芯片堆叠来定位辐射输出。缺点在于这些不是单片的解决方案。
[0003]此外,使用热发射器来确定流体,必须提供具有特定量的能量的辐射以与流体相互作用。迄今为止,在低功耗与辐射和流体之间的显著相互作用之间存在目标冲突。此外,例如用于多市场和ATV中的应用的这类设备或概念应当与低成本和良好可用性相关联。
[0004]因此,需要一种具有改进的电效率的流体检测概念。
[0005]这种需要可以通过根据本专利技术的流体传感器解决。而且,在以下中限定了流体传感器的具体实施方式。
技术实现思路
[0006]本公开的示例包括流体传感器,该流体传感器包括具有顶部主表面区域的支撑结构,其中,支撑结构的顶部主表面区域形成传感器的公共系统平面。该流体传感器还包括在支撑结构的顶部主表面区域上的热发射器,其中,热发射器被配置为沿平行于系统平面的至少两个不同辐射发射方向发射热辐射。此外,流体传感器包括在支撑结构的顶部主表面区域上,其中,热辐射检测器被配置为检测热辐射的热辐射检测器。流体传感器还包括在支撑结构的顶部主表面区域上具有第一波导部段和第二波导 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种流体传感器(100、200、400、500、1100),包括:支撑结构(110),具有顶部主表面区域(112),其中,所述支撑结构的所述顶部主表面区域形成所述传感器的公共系统平面;以及热发射器(120),在所述支撑结构(110)的所述顶部主表面区域(112)上,其中所述热发射器被配置为沿平行于所述系统平面的至少两个不同辐射发射方向(122、124)发射热辐射;以及热辐射检测器(130、136、138),在所述支撑结构(110)的所述顶部主表面区域(112)上,其中所述热辐射检测器(130、136、138)被配置为检测热辐射;以及波导结构(140),在所述支撑结构(110)的所述顶部主表面区域(112)上具有第一波导部段(142)和第二波导部段(144);其中所述第一波导部段(142)被配置为将由所述热发射器(120)沿所述热发射器(120)的所述至少两个不同辐射方向中的第一辐射发射方向(122)发射的所述热辐射的第一部分引导至所述热辐射检测器(130、136、138);以及其中所述第二波导部段(144)被配置为将由所述热发射器(120)沿所述热发射器(120)的所述至少两个不同辐射方向中的第二辐射发射方向(124)发射的所述热辐射的第二部分引导至所述热辐射检测器(130、136、138);以及其中所述波导结构(140)被配置为使得所述被引导的所述热辐射的第一部分和/或第二部分的消逝场能够与周围流体相互作用。2.根据权利要求1所述的流体传感器(100、200、400、500、1100),其中,所述热辐射检测器(130、136、138)被配置为检测来自平行于所述系统平面的至少两个不同检测方向(132、134)的热辐射;以及其中所述第一波导部段(142)被配置为将所述热辐射的所述第一部分引导至所述热辐射检测器(130、136、138),以使所述被引导的所述热辐射的第一部分从所述热辐射检测器(130、136、138)的所述至少两个不同检测方向中的第一检测方向(132)耦合到所述热辐射检测器(130、136、138)中;以及其中所述第二波导部段(144)被配置为将所述热辐射的所述第二部分引导至所述热辐射检测器(130、136、138),以使所述被引导的所述热辐射的第二部分从所述热辐射检测器(130、136、138)的所述至少两个不同检测方向中的第二检测方向(134)耦合到所述热辐射检测器(130、136、138)中。3.根据权利要求2所述的流体传感器(100、200、400、500、1100),其中,所述第一辐射发射方向(122)和所述第二辐射发射方向(124)彼此相对;以及其中,所述第一检测方向(132)和所述第二检测方向(134)彼此相对。4.根据前述权利要求中的任一项所述的流体传感器(100、200、400、500、1100),其中所述波导结构(140)包括弯曲波导和/或矩形波导。5.根据前述权利要求中的任一项所述的流体传感器(100、200、400、500、1100),其中所述流体传感器包括滤波器结构(410),并且其中所述滤波器结构被配置为对由所述热发射器(120)发射的所述热辐射的所述第一部分和/或所述第二部分进行滤波;以及其中,所述波导结构(140)包括所述滤波器结构(410);和/或其中,所述热发射器(120)包括所述滤波器结构(410);和/或
其中,所述热辐射检测器(130、136、138)包括所述滤波器结构(410);和/或其中,所述滤波器结构(410)在所述支撑结构(110)的所述顶部主表面区域(112)上被布置在所述热发射器(120)与所述波导结构(140)之间、和/或被布置在所述热辐射检测器(130、136、138)与所述波导结构(140)之间。6.根据权利要求5所述的流体传感器(100、200、400、500、1100),其中所述热发射器(120)包括半导体条带(126),并且其中所述半导体条带被配置为沿所述至少两个不同辐射发射方向(122、124)发射作为所述热辐射的宽带热辐射;以及其中,所述滤波器结构(410)是包括半导体材料的光学滤波器结构;以及其中,所述光学滤波器结构具有窄透射带;以及其中,所述光学滤波器结构(410)被配置为对沿所述至少两个不同辐射发射方向(122、124)发射的所述宽带热辐射进行滤波。7.根据权利要求6所述的流体传感器(100、200、400、500、1100),其中所述光学滤波器结构包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:G,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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