【技术实现步骤摘要】
一种微型LED字符显示芯片的制作方法
[0001]本专利技术属于芯片制造的
,具体涉及一种微型LED字符显示芯片的制作方法。
技术介绍
[0002]符号、字符与数字等显示是LED显示应用中的重要一环,常规的符号显示,如LED数码、LED家电控制屏、LED灯板等一般是采用制作好的符号框架,再在表面增加遮光膜来实现的。但在微型LED显示芯片中,由于微型LED芯片的空间限制,很难再另行设计符号的发光框架或增加遮光膜,故在微型LED显示领域,需要另行设计实现微型LED符号显示的方法。
[0003]为了实现微型LED显示芯片有控制的发光,需要对微型LED字符芯片内的每一个字段实现有控制的通电,即需要在每一字段上具有通电或控制的线路。在微型LED显示芯片中,字段是通过焊线电极-金属线路-字段P欧姆接触金属-P型外延层,然后各字段以共阴形式来组合在一起,发光控制以P电极的独立控制来实现的。当需要分别控制同一字符中不同字段的显示时,可以通过控制不同笔段的电流和时序来实现符号的显示功能。
[0004]控制用的金属导线沉淀于芯片表面,并跨过刻蚀裸露出的PN结与P发光区相连接,常规的工艺方法是通过在芯片表面沉淀一层二氧化硅、氮化硅薄膜以提供二者的电性隔离;二氧化硅、氮化硅等绝缘膜采用PECVD等方法沉淀,具有膜层致密、绝缘性好,与材料基板附着性好的特点。但在实现过程中,二氧化硅绝缘膜与半导体材料的侧壁深度相比,其厚度比约为1:10左右,仍是十分微薄的一层薄膜。且蚀刻后的侧壁受ICP等操作过程影响,存在一定的起伏与粗糙 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微型LED字符显示芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、选取外延片,预处理所述外延片,在所述外延片的表面制作P欧姆接触电极(102)及N欧姆接触电极;步骤2、在晶圆旋涂光刻胶,作为发光区的光刻胶掩膜,利用ICP技术蚀刻去除非发光区,形成独立的发光字段(201),去除ICP操作后的所述光刻胶掩膜;步骤3、在晶片沉淀二氧化硅绝缘膜(106),制作通孔(107);步骤4、在所述晶片表面旋涂一层液态的聚酰亚胺,对所述聚酰亚胺进行烘干与固化得到聚酰亚胺膜(108),再在所述聚酰亚胺膜(108)表面旋涂一层正型光刻胶,对所述正型光刻胶进行烘干;步骤5、对所述晶片进行曝光,采用碱性显影液对所述正型光刻胶膜显影,之后去除所述正型光刻胶,并对所述聚酰亚胺膜(108)进行改性;步骤6、在所述聚酰亚胺膜(108)制作金属导线(109),分割所述晶片得到独立的微型LED字符显示芯片。2.根据权利要求1所述的微型LED字符显示芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤1中包括:步骤1
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1、取一片厚度为150
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350μm的砷化镓衬底的通过MOCVD方式生长有发光层的LED外延片,采用硫酸、水、双氧水按3:1:1的比例配制混合溶液清洗所述外延片的表面;步骤1
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2、利用真空电子束镀膜工艺在P型外延层(101)表面沉淀P型欧姆接触金属层的复合结构;步骤1
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3、利用真空电子束镀膜工艺在N型外延层(103)表面沉淀N型欧姆接触金属层(104)的复合结构;步骤1
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4、利用光刻、刻蚀或退火工艺制作好P欧姆接触电极(102)与N欧姆接触电极。3.根据权利要求1所述的微型LED字符显示芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤2包括:步骤2
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1、在所述晶圆表面旋涂一层所述光刻胶,并利用选择性曝光技术制作所述发光区的所述光刻胶掩膜;步骤2
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2、利用ICP技术蚀刻去除非发光区,所述发光区将构成一种所述微型LED显示字符;步骤2
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3、用去胶液去除ICP操作后的所述光刻胶掩膜。4.根据权利要求1所述的微型LED字符显示芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤3包括:步骤3
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1、采用硫酸、水、双氧水按3:1:1的比例配制混合溶液清洗所述外延片的表面,然后对所述外延片的表面冲去离子水,并运用氮气吹扫所述外延片的表面;步骤3
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2、通过PECVD在所述晶片沉淀所述二氧化硅绝缘膜(106);步骤3
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3、通过光刻、RIE方法制作所述通孔(107),其中,所述通孔(107)裸露出所述P欧姆接触电极(102)的一部分;步骤3
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【专利技术属性】
技术研发人员:于天宝,万金平,陈扬文,朱志甫,黄建民,赵捷,
申请(专利权)人:江西壹创军融光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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