晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统，所述控制方法包括：获取晶圆片对应的第一区域；获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；在对所述TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。本发明专利技术使得整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无Ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。率及产品良率。率及产品良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统


[0001]本专利技术涉及加工设备
，特别涉及一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统。

技术介绍

[0002]TiNiAg工艺通常用在电压保护器件、肖特基等单管的产品上。正面TiNiAg层的主要用途是为了满足贴片的封装要求，该封装方式无需金引线，封装尺寸小，可以达到有效的降低成本的目的。
[0003]考虑到液体的流动对Ni的腐蚀有极大的影响，而测试图形、对准标记、监控图形及空白区域与正常管芯的光刻后暴露的区域不同，液体在这些区域的流动会受到阻碍，从而导致Ni的腐蚀速率降低，极易造成Ni的残留，而AgNi腐蚀一旦有残留，就会引起产品的报废，降低成品率，对在线生产造成极大的浪费。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中液体在测试图形、对准标记、监控图形及空白区域等位置极易腐蚀不干净，容易造成产品的报废的缺陷，提供一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统。
[0005]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0006]本专利技术提供一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法，所述控制方法包括：
[0007]获取晶圆片对应的第一区域；
[0008]获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；
[0009]根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0010]在对所述TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。
[0011]较佳地，所述根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域的步骤包括：
[0012]确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
[0013]较佳地，所述采用管芯对所述目标区域进行填充的步骤包括：
[0014]采用管芯将所述目标区域填充满。
[0015]较佳地，当所述管芯将所述目标区域填充满时，所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
[0016]较佳地，所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
[0017]本专利技术还提供一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统，所述控制系统包
括第一区域获取模块、第二区域获取模块、目标区域获取模块和控制模块；
[0018]所述第一区域获取模块用于获取晶圆片对应的第一区域；
[0019]所述第二区域获取模块用于获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；
[0020]所述目标区域获取模块用于根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0021]所述控制模块用于在对所述TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。
[0022]较佳地，所述第二区域获取模块用于确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
[0023]较佳地，所述控制模块用于采用管芯将所述目标区域填充满。
[0024]较佳地，当所述管芯将所述目标区域填充满时，所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
[0025]较佳地，所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
[0026]本专利技术的积极进步效果在于：
[0027]本专利技术中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和TiNiAg层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无Ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
附图说明
[0028]图1为本专利技术实施例1的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法的流程图。
[0029]图2为本专利技术实施例2的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法的流程图。
[0030]图3为本专利技术实施例2的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法中的目标区域分布示意图。
[0031]图4为本专利技术实施例2的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法中的第一目标区域示意图。
[0032]图5为本专利技术实施例2的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法中的第二目标区域示意图。
[0033]图6为本专利技术实施例2的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法中的第三目标区域示意图。
[0034]图7为专利技术实施例3的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统的模块示意图。
具体实施方式
[0035]下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。
[0036]实施例1
[0037]如图1所示，本实施例的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法包括：
[0038]S101、获取晶圆片对应的第一区域；
[0039]S102、获取晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，第二区域中排布若干个管芯，即为TiNiAg层的正面。
[0040]S103、根据第一区域和第二区域获取晶圆片中没有排布管芯的目标区域；
[0041]具体地，确定第一区域中除第二区域之外的区域为晶圆片中没有排布管芯的目标区域。
[0042]其中，目标区域包括但不限于测试图形、对准标记、监控图形和空白区域。
[0043]S104、在对TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对目标区域进行填充。
[0044]本实施例中，通过获取晶圆片中没有排布管芯的测试图形、对准标记、监控图形和空白区域等目标区域，然后在对TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对这些目标区域进行同步填充，使得目标区域的管芯排布状态和TiNiAg层对应的第二区域的管芯排布状态一致，即整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通，从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性，保证腐蚀时液体流动的通畅，使得每颗管芯的腐蚀状态都相近，达到均匀腐蚀，无Ni残留，进而提高了生产效率及产品良率。
[0045]实施例2
[0046]如图2所示，本实施例的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法是对实施例1的进一步改进，具体地：
[0047]步骤S104包括：
[0048]S1041、在对TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯将目标区域填充满。
[0049]具体地，当管芯将目标区域填充满时，目标区域中的管芯的排布状态与第二区域中的管芯的排布状态一致。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：获取晶圆片对应的第一区域；获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域；其中，所述第二区域中排布若干个管芯；根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域；在对所述TiNiAg层进行光刻版时，采用管芯对所述目标区域进行填充。2.如权利要求1所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法，其特征在于，所述根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域的步骤包括：确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。3.如权利要求1所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法，其特征在于，所述采用管芯对所述目标区域进行填充的步骤包括：采用管芯将所述目标区域填充满。4.如权利要求3所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法，其特征在于，当所述管芯将所述目标区域填充满时，所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。5.如权利要求1所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法，其特征在于，所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。6.一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦冬云，张琼，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：