【技术实现步骤摘要】
一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路
[0001]本专利技术涉及电路
,尤其是涉及一种开关电容电路。
技术介绍
[0002]目前随着科学技术的发展,家用电器不断地小型化集成化,也就加大了对芯片的需求,对芯片的面积要求也是越小越好,成本越低越好。在芯片内部电路部分中有时会需要比外部电压更高的工作电压,才能够使得芯片正常工作。在传统的技术中,当电路中存在电荷泵电路时,由于电荷泵输出电压越大,电路内部NMOS管开启时需要的栅极电压越大,就需要单独的为NMOS管的栅极提供大的开启电压,这样就会导致整个电荷泵电路中存在很大的电源功耗,不利于整体电路的优化设计。
技术实现思路
[0003]为了克服现有技术的不足,本专利技术提供一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路。本专利技术通过二级倍压技术,降低单独NMOS管的栅极开启电压,可以大大减小电路中的电源功耗,可以有效地解决相关领域的技术难题。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0005]一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路,包括P沟道增强型MOS 管PM1-PM4,N沟道增强型MOS管NM1-NM4,电容C1-C4,整流二极管D1、D2,反相器INV1,以及VIN输入端口、CLK逻辑输入端口和VBST输出端口;
[0006]所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接P沟道增强型MOS管PM2源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口,漏极连接P沟道增强型MOS管PM2栅极、N 沟 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路,其特征在于:所述用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路,包括P沟道增强型MOS管PM1-PM4,N沟道增强型MOS管NM1-NM4,电容C1-C4,整流二极管D1、D2,反相器INV1,以及VIN输入端口、CLK逻辑输入端口和VBST输出端口;所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接P沟道增强型MOS管PM2源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口,漏极连接P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板,栅极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极和电容C3的上极板;所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接P沟道增强型MOS管PM1源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口,漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板,栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板;所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM2源极,漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板;所述N沟道增强型MOS管NM2源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM1源极,漏极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板,栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板;所述P沟道增强型MOS管PM1、PM2和N沟道增强型MOS管NM1、NM2在电路中充当开关管使用,共同构成开关电容电路的第二层增压电路;所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM4源极,漏极连接P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、N沟道增强型MOS管NM4 栅极和电容C2的上极板,栅极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和电容C4的上极板;所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM3源极,漏极连接P沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM3栅...
【专利技术属性】
技术研发人员:方建平,边疆,张适,
申请(专利权)人:西安拓尔微电子有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
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