本实用新型专利技术涉及长余辉荧光材料的余辉参数测量装置。它包括激发光源、控制样品曝光的曝光控制装置、用于曝光和测量的暗箱，在暗箱上安装有样品座，在暗箱内设有接收样品余辉光信号的余辉探测器，余辉探测器的输出端与测量仪表相连。工作时，在曝光控制装置的控制下，样品受到激发光源辐照曝光，曝光结束，样品将不断释放荧光即余辉，由余辉探测器接收余辉，并将余辉光信号转换成电信号输入测量仪表，在仪表显示余辉亮度和余辉时间参数值。本实用新型专利技术的长余辉荧光材料测试仪结构紧凑、简单，它利用曝光控制装置和连体的曝光、测量暗箱，将样品的曝光和测量有机地结合在一起，测量数据准确、一致性好，使用方便。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及长余辉荧光材料的余辉参数测量装置。
技术介绍
长余辉荧光材料，又称夜光粉、蓄光粉、夜光指示牌等。它受到光照射时，部分照射光能量被吸收、贮存；当光照停止后。将逐渐释放出光能。它广泛应用于夜间警示标识，轮船和公共场所应急指示牌等。余辉亮度及余辉时间是长余辉荧光材料最重要的参数。目前对这些参数的测量没有统一、可靠的方法。现有的方法是先将长余辉荧光材料在太阳光、日光灯或某一特定灯下照射一段时间后，在暗室里用亮度计测量该荧光材料的余辉亮度，不断读取每一时刻亮度计上的读数值，得到余辉亮度随时间的变化关系。所有这些方法中，样品的激发和余辉亮度测量都是分开操作，使用麻烦，一致性差。
技术实现思路
本技术的目的旨在提供一种集曝光和测量于一体，使用方便的长余辉荧光材料测试仪。本技术的长余辉荧光材料测试仪包括激发光源、控制样品曝光的曝光控制装置、用于曝光和测量的暗箱，在暗箱上安装有样品座，在暗箱内设有接收样品余辉光信号的余辉探测器，余辉探测器的输出端与测量仪表相连。工作时，在曝光控制装置的控制下，样品受到激发光源辐照曝光，曝光结束，样品将不断释放荧光即余辉，由余辉探测器接收余辉，并将余辉光信号转换成电信号输入测量仪表，在仪表显示余辉亮度和余辉时间参数值。本技术的长余辉荧光材料测试仪结构紧凑、简单，它利用曝光控制装置和连体的曝光、测量暗箱，将样品的曝光和测量有机地结合在一起，测量数据准确、一致性好，使用方便。附图说明图1是本技术构成示意图；图2是本技术一种具体结构示意图。具体实施方式参照图1，本技术的长余辉荧光材料测试仪包括激发光源1、用于曝光和测量的暗箱3，在暗箱3上安装有样品座6，暗箱内设有接收样品余辉光信号的余辉探测器4，余辉探测器4与测量仪表5相连，在激发光路上设有曝光控制装置2，用于控制照到样品表面的激发光。样品释放的余辉由余辉探测器4接收，并将余辉光信号转换成电信号输给测量仪表5。激发光源1可以用汞灯、氙灯、荧光灯或金属卤化灯。曝光控制装置可以是控制激发光源点亮或关闭的控制器，如继电器，或者也可以是安装在激发光源1与样品座6之间的光闸。图2是本技术的具体实例，它包括安装在光源箱内的激发光源1，用于曝光和测量的暗箱3，此例，暗箱3具有曝光箱3a和测量箱3b两部分，该两箱利用余辉光孔11相连通，在曝光箱3a安装有样品座6，在测量箱3b内设有余辉探测器4。图例，样品座6用弹簧托架14支撑，紧贴在曝光箱底部的测试口上。在样品座上装有控制样品温度的温控元件15，如热电致冷器或电热丝。为使激发光源发光稳定，通常，将采用的汞灯、氙灯、荧光灯或金属卤化灯的两个电极垂直安装，再利用设在暗箱内的光转折镜8将激发光折射到样品座6上，光转折镜可以是平面反光镜或折光棱镜。图示实例中，曝光控制装置2是设在暗箱内能绕轴9转动90°的用于控制激发光孔10和余辉光孔11打开或关闭的电动光闸，曝光时，光闸打开激发光孔10，它同时关闭余辉光孔11，测量余辉时，光闸关闭激发光孔10，它同时打开余辉光孔11。余辉从余辉光孔进入测量箱3b，由余辉探测器4将余辉光信号转换成电信号输给测量仪表5。余辉探测器4可用硅光电二极管或高灵敏光电倍增管。为使照射到样品座的光均匀，可如图所示，在激发光源1至暗箱3的光路上设置光漫射板7，该光漫射板可以采用漫透射板或漫反射板。此例中，在暗箱内的激发光路上还安装了用于控制照到样品光强的激发照度监测装置，它由部分反光镜12和光电探测器13组成，部分反光镜12可以采用半透/反射镜，由其将部分激发光反射到光电探测器13，光电探测器将光信号转换成电信号输入到测量仪表5，在测量仪表显示光强，以便据此调节激发光源的光强。测量仪表5以采用带有串行接口的仪表为好，如可用带RS-232C串行接口的PR-305型仪表，将它与计算机16相连，这样利用计算机采集每一时刻荧光样品的余辉信号，可得到余辉的亮度曲线。权利要求1.长余辉荧光材料测试仪，其特征是它包括激发光源、控制样品曝光的曝光控制装置、用于曝光和测量的暗箱，在暗箱上安装有样品座，在暗箱内设有接收样品余辉光信号的余辉探测器，余辉探测器的输出端与测量仪表相连。2.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是激发光源是汞灯、氙灯、荧光灯或金属卤化灯。3.按权利要求2所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是所说的汞灯、氙灯、荧光灯或金属卤化灯的两个电极垂直安装。4.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是曝光控制装置是控制激发光源点亮或关闭的控制器。5.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是曝光控制装置是安装在激发光源与样品座之间的光闸。6.按权利要求5所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是所说的光闸是设在暗箱内能绕轴转动90°的用于控制激发光孔和余辉光孔打开或关闭的电动光闸，在光闸打开激发光孔的同时，光闸又关闭余辉光孔，在光闸关闭激发光孔的同时，光闸又打开余辉光孔。7.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是在激发光源的光路上设置光漫射板。8.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是在暗箱内设有将激发光折射到样品座的光转折镜。9.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是在暗箱的激发光路上安装有由部分反光镜和光电探测器组成的激发照度监测装置，光电探测器的输出端与测量仪表相连。10.按权利要求1所述的长余辉荧光材料测试仪，其特征是在样品座上装有控制测试样品温度的温控元件。专利摘要本技术涉及长余辉荧光材料的余辉参数测量装置。它包括激发光源、控制样品曝光的曝光控制装置、用于曝光和测量的暗箱，在暗箱上安装有样品座，在暗箱内设有接收样品余辉光信号的余辉探测器，余辉探测器的输出端与测量仪表相连。工作时，在曝光控制装置的控制下，样品受到激发光源辐照曝光，曝光结束，样品将不断释放荧光即余辉，由余辉探测器接收余辉，并将余辉光信号转换成电信号输入测量仪表，在仪表显示余辉亮度和余辉时间参数值。本技术的长余辉荧光材料测试仪结构紧凑、简单，它利用曝光控制装置和连体的曝光、测量暗箱，将样品的曝光和测量有机地结合在一起，测量数据准确、一致性好，使用方便。文档编号G01N21/64GK2537010SQ0125485公开日2003年2月19日 申请日期2001年11月21日 优先权日2001年11月21日专利技术者牟同升 申请人:浙江大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
长余辉荧光材料测试仪，其特征是它包括激发光源［１］、控制样品曝光的曝光控制装置［２］、用于曝光和测量的暗箱［３］，在暗箱上安装有样品座［６］，在暗箱内设有接收样品余辉光信号的余辉探测器［４］，余辉探测器［４］的输出端与测量仪表［５］相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：牟同升，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]
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