【技术实现步骤摘要】
一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法
本申请涉及半导体器件封装领域,具体而言,涉及一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法。
技术介绍
深紫外发光二极管(DeepUltravioletLightEmittingDiode,简称UV-CLED),是指一种发光中心波长小于400nm的发光二极管。在UV-CLED的封装结构一般采用绝缘基板与绝缘围坝构成的支架结构来放置发光紫外二极管芯片,再将光学透镜与围坝之间通过封装胶进行粘接或焊接材料进行焊接,从而使光学透镜和支架结构之间共同形成封闭空间,并以此来保护其中的紫外发光二极管芯片。然而,上述封装结构的UV-CLED在使用过程中往往表现出较短的使用寿命。
技术实现思路
为改善、甚至解决UV-CLED的使用寿命短的问题,本申请提出了一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法。本申请是这样实现的:在第一方面,本申请的示例提供了一种用于半导体器件封装的支架。该支架包括依次叠层分布的第一架、电镀层以及第二架。其中,第一架包括第一陶瓷基体及其表面的第一金属覆层。与第一架对置的第二架包括第二陶瓷基体及其表面的第二金属覆层。电镀层,位于对置的第一架和第二架之间且分别与第一金属覆层和第二金属覆层电镀连接。在该支架结构中,由于第一架和第二架均采用陶瓷材料的基体,因此,两者具有相对更适宜的热膨胀系数匹配关系,从而可以承受一定高温的。同时由于第一架和第二架通过电镀连接,因此,其连接牢固和稳定,且 ...
【技术保护点】
1.一种支架,其特征在于,所述支架包括:/n第一架,包括第一陶瓷基体及其表面的第一金属覆层;/n与所述第一架对置的第二架,包括第二陶瓷基体及其表面的第二金属覆层;/n电镀层,位于对置的所述第一架和所述第二架之间,且分别与所述第一金属覆层和所述第二金属覆层电镀连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种支架,其特征在于,所述支架包括:
第一架,包括第一陶瓷基体及其表面的第一金属覆层;
与所述第一架对置的第二架,包括第二陶瓷基体及其表面的第二金属覆层;
电镀层,位于对置的所述第一架和所述第二架之间,且分别与所述第一金属覆层和所述第二金属覆层电镀连接。
2.根据权利要求1所述的支架,其特征在于,所述支架包括下述任意一项或多项之限定:
第一限定、所述第一陶瓷基体的厚度在0.2毫米至1.5毫米之间;
第二限定、所述第二陶瓷基体的厚度小于等于1.0毫米;
第三限定、所述第一架的热膨胀系数与所述第二架的热膨胀系数一致或相近;
第四限定、所述支架在工作温度达到250℃至400℃的条件下的工作时间在5分钟以上;
第五限定、所述支架能够在高低温温差50至200℃的交替高低温环境下持续工作;
第六限定、所述第一金属覆层和所述第二金属覆层均是平整的或凹凸不平的,和/或,所述第一陶瓷基体和所述第一陶瓷基体分别独立地构造为平整的或凹凸不平的;
第七限定、第一陶瓷基体与第二陶瓷基体之间的金属材料,包括第一金属覆层、第二金属覆层和电镀金属层,厚度不超过100μm。
3.根据权利要求1或2所述的支架,其特征在于,所述第一金属覆层和所述第二金属覆层之间具有垫片;
或,所述垫片位于所述第一金属覆层和所述电镀层之间;
和/或,所述垫片的厚度小于80微米;
和/或,所述垫片的厚度小于70微米;
和/或,所述垫片的材料是金属或非金属;
或,所述垫片结合于所述电镀层内。
4.根据权利要求1或2所述的支架,其特征在于,所述第一金属覆层和所述第二金属覆层直接通过所述电镀层电镀连接。
5.根据权利要求1或3或4所述的支架,其特征在于,所述支架具有电镀电极,且所述电镀电极与所述电镀层电性连接;
或者,所述支架具有结合于所述第二陶瓷基体的电镀电极,所述第二陶瓷基体具有通孔、填充于所述通孔内的导电柱,所述电镀电极通过所述导电柱与所述电镀层电性连接。
6.根据权利要求1或3或4所述的支架,其特征在于,所述支架具有结合于所述第二陶瓷基体的电镀电极,所述第二陶瓷基体具有两个电镀通孔、分别填充于所述两个电镀通孔内的两个导电柱,所述电镀电极通过所述两个导电柱与所述电镀层电性连接;
所述第二陶瓷基体具有正电极和负电极,所述正电极具有正极通孔,所述负电极具有负极通孔,所述正极通孔和所述负极通孔的连线与所述两个电镀通孔的连线正交或与正负电极连线呈一倾斜角度;
或者,所述电镀电极位于所述第二陶瓷基体的边缘。
7.根据权利要求1所述的支架,其特征在于,所述第一陶瓷基体的材料和所述第二陶瓷基体的材料分别独立地选自含有氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化铍、碳化硅、氮化硼、氮化硅、氧化锆增韧氧化铝陶瓷的组中的任意一者。
8.一种制备支架的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供陶瓷基板,所述陶瓷基板的表面镀有第一金属镀层;
提供陶瓷围板,所述陶瓷围板的表面镀有第二金属镀层;
使所述陶瓷基板和所述陶瓷围板在对位配合状态下进行电镀,以在所述第一金属镀层和所述第二金属镀层之间形成电镀层使二者连接。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板和所述陶瓷围板对位配合是通过使所述第一金属镀层和所述第二金属镀层部分接触的方式实现的;
或者,所述第一金属镀层的表层材料为铜、镍、金或银,或者,所述第二金属镀层的表层材料为铜、镍、金或银。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板和所述陶瓷围板对位配合是通过使...
【专利技术属性】
技术研发人员:王维昀,王新强,李永德,王后锦,康俊杰,袁冶,罗巍,
申请(专利权)人:松山湖材料实验室,
类型:发明
国别省市:广东;44
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