一种热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件技术

技术编号:22153628 阅读:15 留言:0更新日期:2019-09-21 05:45
本发明专利技术公开了一种热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件,热活化延迟荧光分子包括电子给体和电子受体,其中,所述电子受体含三聚二氧代硫色烯酮基团,本发明专利技术的有益效果在于本发明专利技术的热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件,其中热活化延迟荧光分子中具有三聚二氧代硫色烯酮基团,三聚二氧代硫色烯酮基团含有羰基结构,使得热活化延迟荧光分子具有高的系间窜越速率常数和反系间窜越速率常数,能够有效抑制由于能隙规则导致的辐射跃迁速率的降低,从而获得高的光致发光量子产率。

A Thermally Activated Delayed Fluorescence Molecule and Its Preparation Method, Electrothermally Activated Delayed Fluorescence Device

【技术实现步骤摘要】
一种热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件
本专利技术涉及化学领域,特别涉及一种热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件。
技术介绍
有机发光二极管(organiclighting-emittingdiodes,OLEDs),由于主动发光、可视角度大、相应速度快、温度适应范围宽、驱动电压低、功耗小、亮度大、生产工艺简单、轻薄、且可以柔性显示等优点,在OLED显示和照明领域表现出巨大的应用前景,吸引了科研工作者和公司的关注。目前,三星、LG已经实现OLEDs应用在手机上。在OLED中,发光层材料的优劣是OLED能否产业化起决定作用。通常的发光层材料由主体和客体发光材料,而发光材料的发光效率和寿命是发光材料好坏的两个重要指标。早期的OLED发光材料为传统荧光材料,由于在OLED中单重态和三重态的激子比例为1:3,而传统荧光材料只能利用单重态激子发光,因此,传统荧光材料的OLED理论内量子效率为25%。金属配合物磷光材料由于重原子的自旋轨道耦合效应,使得其能够实现单重态激子和三重态激子的100%利用率;并且现在也已经用在红光和绿光OLED显示上。但是,磷光材料通常要使用重金属Ir、Pt、Os等贵重金属,不仅成本高,而且毒性较大。此外,高效、长寿命的磷光金属配合物材料仍旧是极大的挑战。2012年,Adachi等人提出了“热活化延迟荧光”(TADF)机理的纯有机发光分子,通过合理的D-A结构分子设计,使得分子具有较小的最低单重态和三重能级差(ΔEST),这样三重态激子可以通过反系间窜越(RISC)回到单重态,再通过辐射跃迁至基态而发光,从而能够同时利用单、三重态激子,可以实现激子的100%的利用率,同时不需要重金属的参与。并且TADF材料结构设计丰富,其材料大部分物理性质容易调节,以获得满足要求的高效、长寿命的有机发光材料。对于TADF材料,小的ΔEST以及高的光致发光量子产率(PLQY)是制备高效率OLED的必要条件。目前,绿光和天蓝光TADF材料已经获得不错的外量子效率(EQE);但是波长TADF材料由于能隙规则(Energygaplaw),无法获得优异的器件性能。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了一种热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件以解决由于现有技术中的热活化延迟荧光分子局限于能隙规则(Energygaplaw)从而无法获得优异的器件性能的问题。解决上述问题的技术方案是:本专利技术提供了一种热活化延迟荧光分子,包括电子给体和电子受体,所述电子受体含三聚二氧代硫色烯酮基团。进一步的,电子受体的分子结构式包括以下结构式中的一种:进一步的,所述电子给体的分子结构式包括以下结构式中的一种:进一步的,当所述电子给体的结构式为电子受体的结构式为所述热活化延迟荧光分子对应的分子式为:本专利技术还提供了一种热活化延迟荧光分子的制备方法包括提供电子给体和具有三聚二氧代硫色烯酮基团的电子受体化合形成所述热活化延迟荧光分子。进一步的,具体步骤包括将3,9,15-三溴-三聚二氧代硫色烯酮、4-(二苯基氨基)-苯硼酸、甲苯和2.5M碳酸钾水溶液加入到的史莱克瓶中,用氩气进行抽换气,得到第一溶液。在所述第一溶液中加入四三苯基磷钯,在在80℃的温度下回流反应24h,得到第二溶液。冷却至室温后,将所述第二溶液用二氯甲烷进行萃取、水洗、干燥、过滤和旋干得到第四溶液;用硅胶对所述第四溶液进行柱层析得到目标化合物。进一步的,所述柱层析的淋洗液为石油醚和二氯甲烷的混合物。本专利技术还提供了一种电致热激活延迟荧光器件,其具有所述热活化延迟荧光分子。进一步的,电致热激活延迟荧光器件还包括衬底,所述衬底为设有导电薄膜的玻璃层;注入层,设于所述衬底上;空穴传输层,设于所述注入层上;发光层,设于所述空穴传输层上,所述发光层所用材料为所述热活化延迟荧光分子;电子传输层,设于所述发光层上;阴极层,设于所述电子传输层上。进一步的,所述注入层的材料为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲;所述空穴传输的材料为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺];所述电子传输层的材料为1,3,5-三(3-(3-吡啶基)苯基)苯;所述阴极层的材料为氟化锂和铝。本专利技术的优点是:本专利技术的热活化延迟荧光分子及其制备方法、电致热激活延迟荧光器件,热活化延迟荧光分子中具有三聚二氧代硫色烯酮基团,三聚二氧代硫色烯酮基团含有羰基结构,使得热活化延迟荧光分子具有高的系间窜越速率常数和反系间窜越速率常数,能够有效抑制由于能隙规则导致的辐射跃迁速率的降低,从而获得高的光致发光量子产率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是实施例1中的热活化延迟荧光分子的荧光发射光谱。图2是实施例2中的电致热激活延迟荧光器件示意图。图3是实施例2中的电致热激活延迟荧光器件性能图。图中1电致热激活延迟荧光器件;10衬底;20注入层;30空穴传输层;40发光层;50电子传输层;60阴极层;具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。本实施例中,本专利技术的热活化延迟荧光分子包括电子给体D和电子受体A,电子受体A具有三聚二氧代硫色烯酮基团,其中,热活化延迟荧光分子的结构组成为Dn-A式结构,n为自然数。如图1所示,为本实施中的热活化延迟荧光分子的荧光发射光谱。所述电子受体A具有三聚二氧代硫色烯酮基团,由于三聚二氧代硫色烯酮基团具有羟基结构,所以所述热活化延迟荧光分子具有超大平面,使得所述热活化延迟荧光分子具有高的系间窜越速率常数和反系间窜越速率常数,能够有效抑制由于能隙规则导致的辐射跃迁速率的降低,从而获得高的光致发光量子产率(PLQY)。同时超大平面表现出大的刚性,增加了“热活化延迟荧光”(TADF)材料的稳定性,能够提高器件的寿命。本实施例中,所述电子受体A的分子结构式为所述电子给体的结构式为所述热活化延迟荧光分子对应的分子式为:其合成路线为在本专利技术的其余实施例中,所述电子受体A的分子结构式还可以为以下结构式中的至少一种:电子给体D的分子结构式还可以为以下结构式中的至少一种或以下给体的衍生物:通过电子给体D和电子受体A的排列组合,总有108个不同结构的热活化延迟荧光分子分子。为了更好的解释本专利技术,本实施例中还详细说明了本专利技术的热活化延迟荧光分子的制备方法,其具体制备步骤如下:将8.13g,10mmol的3,9,15-三溴-5,11,17-三甲基-三聚喹啉酮、3.18g,33mmol的4-(二苯基氨基)-苯硼酸、30mL甲苯和10mL的2.5M碳酸钾水溶液加入到100mL的史莱克(schlenk)瓶中,用氩气进行抽换气,得到第一溶液。然后在所述第一溶液加入0.48g,0.4mmol的四三苯基磷钯,在80℃的温度下进行回流反应24h,得到第二溶液。将所述第二溶液冷却至室温后,将第二溶液用DCM(二氯甲烷)进行萃取三次,水洗三次,并用无水硫酸钠干燥,过滤,旋干。用200-300目的硅胶进本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种热活化延迟荧光分子,其特征在于,包括电子给体和电子受体,其中,所述电子受体含三聚二氧代硫色烯酮基团。

【技术特征摘要】
1.一种热活化延迟荧光分子,其特征在于,包括电子给体和电子受体,其中,所述电子受体含三聚二氧代硫色烯酮基团。2.根据权利要求1所述的热活化延迟荧光分子,其特征在于,电子受体的分子结构式包括以下结构式中的一种:3.根据权利要求1所述的热活化延迟荧光分子,其特征在于,所述电子给体的分子结构式包括以下结构式中的一种:4.根据权利要求1所述的热活化延迟荧光分子,其特征在于,当所述电子给体的结构式为电子受体的结构式为所述热活化延迟荧光分子对应的分子式为:5.一种热活化延迟荧光分子的制备方法,其特征在于,包括提供电子给体和具有三聚二氧代硫色烯酮基团的电子受体化合形成所述热活化延迟荧光分子。6.根据权利要求5所述的热活化延迟荧光分子的制备方法,其特征在于,具体步骤包括将3,9,15-三溴-三聚二氧代硫色烯酮、4-(二苯基氨基)-苯硼酸、甲苯和2.5M碳酸钾水溶液加入到的史莱克瓶中,用氩气进行抽换气,得到第一溶液。在所述第一溶液中加入四三苯基磷钯,在在80℃的温度下回流反应24h,得到第二溶液。冷却至室温后,将所述第二溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员:王彦杰
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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