一种保护打嗝电路制造技术

技术编号:22089725 阅读:30 留言:0更新日期:2019-09-12 22:18
本实用新型专利技术公开了一种保护打嗝电路,在现有保护锁死模式电路基础上增加了电容C2、电容C3、电阻R2和电阻R6;由电容C3与电阻R2并联组成的电路,连接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间,实现在VCC电压下降时,关断三极管Q2,切断三极管Q1的正反馈回路,从而使电路还具备了打嗝功能;由电容C2和电阻R6串联组成的充电储电电路,连接在保护信号输入端与接地端之间,即使三极管Q2截止时,三极管Q1依然能够靠电容C2中的储电维持导通,使电路具备打嗝间隔时间可控制的功能。

A protective burping circuit

【技术实现步骤摘要】
一种保护打嗝电路
本技术涉及AC-DC、DC-DC电路,特别涉及保护打嗝电路。
技术介绍
在开关电源应用电路中,常常需要多种保护电路,通常包含输出过压保护电路、输出过流保护电路与电源过热保护电路,其中实现这些保护功能,会优先选用到两种保护模式,即锁死模式与打嗝模式,如果是输出保护电路,还可以选择钳位保护模式。输出过压保护为输出电压钳位保护模式时,在实际应用中,虽然输出过电压可以设计在后级负载的输入电压范围内,可以避免后级负载损坏,但是长时间输入极限高电压,必然会使其寿命大减,其次如果采用输出过压保护为输出电压钳位保护模式的开关电源,带阻性负载时,当电源输出过压钳位时,势必还会导致,开关电源长期过载运行,从而影响电源的使用寿命,还可能会使负载处于更加危险的工作状态,因此主流的输出过压保护、输出过流保护电路与电源过热保护功能都采用打嗝保护模式或锁死模式,不仅对后级负载的寿命影响小,还可以保证电源与负载不会过载运行。然而主流的开关电源输出过压保护、输出过流保护电路与电源过热保护锁死模式与打嗝模式功能,多依赖于PWM芯片本身的锁死与打嗝功能或者直接切断PWM芯片的供电电源,迫使PWM芯片重启实现打嗝保护。一种现有的保护锁死模式电路原理,如图1所示:由电阻R1、电阻R4、电阻R5、电阻R7、电容C1、三极管Q1和三极管Q2、二极管D1组成,该锁死电路包括保护信号输入端SIN、供电端VCC、接地端GND和使能端EN四个端口,供电端VCC依次经电阻R1、三极管Q1的集电极、三极管Q1的发射极后连接接地端,供电端VCC还依次经三极管Q2的发射极、三极管Q2的集电极、电阻R5、电阻R7后连接接地端,三极管Q1的集电极和三极管Q2的基极连接后依次经二极管D1的阴极、二极管D1的阳极连接至使能端EN,三极管Q1的基极经电阻R4后连接至保护信号输入端SIN,三极管Q2的集电极经电阻R5后连接至保护信号输入端SIN,电容C1与电阻R1并联。其中供电端VCC用于连接开关电源的辅助供电电源正极和开关电源的启动供电电路,使能端EN用于连接开关电源PWM芯片的控制引脚,保护信号输入端SIN用于连接前级电路反馈的保护信号输出端。图1所示电路工作原理为,Q1为NPN型三极管、Q2为PNP型三极管。由于C1与R1并联,两端分别连接于三极管Q2的发射极与基极,当VCC上电时,电容C1被VCC通过二极管D1与三极管Q1、三极管Q2的微小器件漏电流充电,同时因为R1的取值较小,所以三极管Q2的发射极与基极电压VBE被钳位在很小的电压值,并且小于三极管Q2的死区截止电压,Q2为截止状态,与此同时保护信号输入端SIN为低电平,由图1电路可知三极管Q1为截止状态,因此电路不会被触发,不会拉低使能端EN的电位,电阻R7为器件漏电流泄放电阻,防止因器件漏电流引起电路误触发。当保护信号输入端SIN为高电平时,由图1可知,三极管Q1将被触发导通,通过二极管D1拉低使能端EN的电位,使电源停止输出。由于三极管Q1导通后将会引起流经电阻R1的电流加大,R1两端上正、下负的电压也增大,并且大于三极管Q2的死区截止电压,三极管Q2被驱动导通,同时VCC依次经过三极管Q2的发射极、集电极、电阻R5、电阻R4驱动三极管Q1的基极,使三极管Q1持续导通,形成正激励。由图1可知,此时即使保护信号输入端SIN不再强制输出高电平,三极管Q1依然会持续导通,若此时开关电源的启动供电电路持续为VCC供电,那么开关电源被锁死,停止输出,直到开关电源重新上电,开关电源才能恢复输出。电源产品的开发,同系列产品中不同的输出电压型号通常需要不同的保护模式,能够共用PCB电路板将十分重要,从而可以方便管理、方便设计、方便满足不同的客户需求、简化电路、降低成本。图1电路可以实现锁死保护模式,但是不能实现控制打嗝间隔时间,其应用的扩展性差。
技术实现思路
有鉴于此,本技术要解决的技术问题是提供一种保护打嗝电路,能够同时实现锁死保护模式与打嗝模式。为解决上述技术问题,本技术的技术方案如下:方案一:一种保护打嗝电路,其特征在于:包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、电容C3,以及保护信号输入端、供电端、接地端和使能端四个端口;其连接关系为:电阻R1与电容C1并联后一端连接供电端,另一端连接三极管Q2的基极;电阻R2与电容C3并联后一端连接三极管Q2的基极,另一端连接三极管Q1的集电极;电阻R3的一端连接使能端,另一端连接三极管Q1的集电极;三极管Q1的发射极连接接地端;电阻R5的一端连接三极管Q2的集电极,另一端连接保护信号输入端;电阻R4的一端连接保护信号输入端,另一端连接三极管Q1的基极;电阻R6与电容C2串联后再与电阻R7并联,电阻R7的一端连接保护信号输入端,电阻R7的另一端连接接地端。进一步地,电容C2为电解电容,电解电容的负极与接地端电联接。方案二:一种保护打嗝电路,其特征在于:包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、二极管D1、电容C1、电容C3、电容C2,以及保护信号输入端、供电端、接地端和使能端四个端口;其连接关系为:电阻R1与电容C1并联后一端连接供电端,另一端连接三极管Q2的基极;电阻R2与电容C3并联后一端连接三极管Q2的基极,另一端连接三极管Q1的集电极;二极管D1的阳极连接使能端,阴极连接三极管Q1的集电极;三极管Q1的发射极连接接地端;电阻R5的一端连接三极管Q2的集电极,另一端连接保护信号输入端;电阻R4的一端连接保护信号输入端,另一端连接三极管Q1的基极;电阻R6与电容C2串联再与电阻R7并联,电阻R7的一端连接保护信号输入端,电阻R7的另一端连接接地端。进一步地,电容C2为电解电容,电解电容的负极与接地端电联接。本技术是通过对图1现有保护锁死模式电路进行改进创新,通过增加几个元器件,组成非常简单的电路,实现该电路还具有延时打嗝模式。以下以方案一为代表,结合工作原理分析来讲述本技术的有益效果。本技术电路,改进点在于在现有保护锁死模式电路中加入了电容C3、电阻R2、电阻R6、电容C2,开关电源中用到了开关电源启动电路专用芯片,该芯片启动完成后将停止提供启动电流,只有当VCC电压低于设计阀值时(开关电源的辅助供电VCC电压并不会下降到0V),才能再一次提供启动电流,因为保护通常发生在开关电源启动之后,所以当发生保护时,开关电源启动电路专用芯片已经停止提供启动电流,因此开关电源停止输出后开关电源的辅助供电电压VCC将会下降,当发生保护时,三极管Q1导通后将会引起流经电阻R1、电阻R2的电流加大,电阻R1、电阻R2两端形成上正、下负的电压,电容C1、电容C3将被充电,三极管Q2导通电容C2也被充电。当VCC电压下降时电容C1、电容C3开始放电,直到电容C3对电容C1反向充电,使三极管Q2的基极与发射极电压VBE减小到反向,使三极管Q2截止。当三极管Q2截止后,电容C2通过电阻R6、电阻R4驱动三极管Q1,使三极管Q1继续导通,同时电容C2两端电压开始下降,直到不能维持三极管Q1不能继续导通。综上所述,本技术电路本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种保护打嗝电路,其特征在于:包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、电容C3,以及保护信号输入端、供电端、接地端和使能端四个端口;其连接关系为:电阻R1与电容C1并联后一端连接供电端,另一端连接三极管Q2的基极;电阻R2与电容C3并联后一端连接三极管Q2的基极,另一端连接三极管Q1的集电极;电阻R3的一端连接使能端,另一端连接三极管Q1的集电极;三极管Q1的发射极连接接地端;电阻R5的一端连接三极管Q2的集电极,另一端连接保护信号输入端;电阻R4的一端连接保护信号输入端,另一端连接三极管Q1的基极;电阻R6与电容C2串联后再与电阻R7并联,电阻R7的一端连接保护信号输入端,电阻R7的另一端连接接地端。

【技术特征摘要】
1.一种保护打嗝电路,其特征在于:包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、电容C3,以及保护信号输入端、供电端、接地端和使能端四个端口;其连接关系为:电阻R1与电容C1并联后一端连接供电端,另一端连接三极管Q2的基极;电阻R2与电容C3并联后一端连接三极管Q2的基极,另一端连接三极管Q1的集电极;电阻R3的一端连接使能端,另一端连接三极管Q1的集电极;三极管Q1的发射极连接接地端;电阻R5的一端连接三极管Q2的集电极,另一端连接保护信号输入端;电阻R4的一端连接保护信号输入端,另一端连接三极管Q1的基极;电阻R6与电容C2串联后再与电阻R7并联,电阻R7的一端连接保护信号输入端,电阻R7的另一端连接接地端。2.根据权利要求1所述的保护打嗝电路,其特征在于:电容C2为电解电容,电解电容的负极与接地端电联接。...

【专利技术属性】
技术研发人员:田新凯程志勇潘成章
申请(专利权)人:广州金升阳科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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