【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，具体涉及一种电源轨电路。
技术介绍
1、随着互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，简称cmos)集成电路工艺的发展，电子产品在日常生活中的应用越来越广泛，其成为各个领域不可缺少的一部分。而cmos集成电路芯片的日益小型化的发展目标决定了低功耗、高集成度成为cmos集成电路发展的重要方向。
2、电源轨电路一般应用于存在高压输入电源的ic中，与传统ldo不同的是，其产生与电源相对稳定且带电流能力的电压，即vout＝vdd-n*vref,vref为对相对电源电压的基准电压，而非相对地，n为分压系数。
3、传统电源轨架构如图1和图2所示。图1为最简单的实现方式，应用比较广泛，其中vout＝(vdd-vzenor)+vgs，其中vzenor是齐纳二极管的反向导通电压，vgs为mos管的栅源压降。输出电压随着工艺、温度的变化范围大概为vdd-[3，6]v，由于输出电压变化大，且输出电压随着负载变化而变化，在一些应用场景下不太适合。如图2所示，传统高精度电源轨电路由基准电压电路、误差放大器ea、功率管、负载系统、反馈系统等组成。带隙基准电路bandgap一般需要bipolar器件，提供电源轨工作所需要的基准电压及偏置电流；误差放大器ea一般由多级放大器及buffer系统组成，比较复杂，尤其运放级数较多时补偿难度大，而且其中的带隙基准电路bandgap所形成的参考电压是针对电源(vdd-vref)，而非针对地(vref-gnd)，并且
技术实现思路
1、本专利技术旨在克服上述现有技术中至少一种缺陷，提供一种电源轨电路，该电路简单且可生成精度相对较高的输出电压，从而大大减小了芯片面积，降低了成本。
2、本专利技术采用的技术方案为：
3、第一方面，提供一种电源轨电路，包括基准电压生成电路、主控制电路和功率管mp，所述主控制电路包括mos管m3、mos管m5、mos管m6、mos管m7和分压单元；所述基准电压生成电路的第一端、mos管m5的源极、所述分压单元的第一端连接后，用于接入电源电压vdd，所述基准电压生成电路的第二端与mos管m5的栅极连接；所述基准电压生成电路的第三端与mos管m6的栅极连接；所述基准电压生成电路的第四端与mos管m3的栅极连接；所述基准电压生成电路的第五端、mos管m3的源极、功率管mp的源极均接地；mos管m5的漏极与mos管m6的源极、mos管m7的源极连接；mos管m6的漏极与mos管m3的漏极、功率管mp的栅极连接；mos管m7的栅极与所述分压单元的第二端连接，mos管m7的漏极与所述分压单元的第三端、功率管mp的漏极连接后，作为所述电源轨电路的输出端。
4、优选地，所述基准电压生成电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管m1、mos管m2、mos管m4；电阻r1的一端、mos管m4的源极作为所述基准电压生成电路的第一端，电阻r1的另一端与mos管m1的栅极、mos管m1的漏极、mos管m2的栅极连接后，作为所述基准电压生成电路的第四端与mos管m3的栅极连接；mos管m4的栅极与mos管m4的源极、电阻r3的一端连接后，作为所述基准电压生成电路的第二端与mos管m5的栅极连接；电阻r3的另一端与mos管m2的漏极连接后，作为所述基准电压生成电路的第三端与mos管m6的栅极连接；mos管m2的源极与电阻r2的一端连接；电阻r2的另一端与mos管m1的源极连接后作为所述基准电压生成电路的第五端接地。
5、优选地，所述基准电压生成电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管m1、mos管m2、mos管m4、mos管m3’、mos管m4’；电阻r1的一端、mos管m4的源极、mos管m4’的源极作为所述基准电压生成电路的第一端，电阻r1的另一端与mos管m1的栅极、mos管m1的漏极、mos管m2的栅极连接；mos管m4的栅极与mos管m4的源极、mos管m4’的栅极、电阻r3的一端连接后，作为所述基准电压生成电路的第二端与mos管m5的栅极连接；电阻r3的另一端与mos管m2的漏极连接后，作为所述基准电压生成电路的第三端与mos管m6的栅极连接；mos管m2的源极与电阻r2的一端连接；电阻r2的另一端与mos管m1的源极、mos管m3’的源极连接后，作为所述基准电压生成电路的第五端接地；mos管m4’的漏极与mos管m3’的漏极、mos管m3’的栅极连接后，作为所述基准电压生成电路的第四端与mos管m3的栅极连接。
6、优选地，mos管m3与mos管m5的大小关系为m5＝n*m3，其中，n为大于0的自然数，n与mos管m6、mos管m7的大小取值相关。
7、优选地，mos管m6与mos管m7相同。
8、优选地，所述分压单元包括电阻rfb1和电阻rfb2，电阻rfb2的一端作为所述分压单元的第一端，电阻rfb2的另一端与电阻rfb1的一端连接后作为所述分压单元的第二端，电阻rfb1的另一端作为所述分压单元的第三端。
9、第二方面，提供一种电源轨电路，包括基准电压生成电路、主控制电路和功率管mp；所述主控制电路包括mos管m3、mos管m5、mos管m6、mos管m7和分压单元；所述基准电压生成电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管m1、mos管m2、mos管m4；电阻r1的一端、mos管m4的源极、mos管m5的源极、所述分压单元的一端连接后，用于接入电源电压vdd；电阻r1的另一端与mos管m1的栅极、mos管m1的漏极、mos管m2的栅极、mos管m3的栅极连接；mos管m4的栅极与mos管m4的源极、电阻r3的一端、mos管m5的栅极连接；电阻r3的另一端与mos管m2的漏极、mos管m6的栅极连接；mos管m2的源极与电阻r2的一端连接；电阻r2的另一端与mos管m1的源极、mos管m3的源极、功率管mp的源极接地；mos管m3的漏极与mos管m6的漏极、功率管mp的栅极连接；mos管m5的漏极与mos管m6的源极、mos管m7的源极连接；mos管m7的栅极与所述分压单元的第二端连接，mos管m7的漏极与所述分压单元的第三端、功率管mp的漏极连接后，作为所述电源轨电路的输出端。
10、第三方面，提供一种电源轨电路，包括基准电压生成电路、主控制电路和功率管mp；所述主控制电路包括mos管m3、mos管m5、mos管m6、mos管m7和分压单元；所述基准电压生成电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管m1、mos管m2、mos管m4、mos管m3’、mos管m4’；电阻r1的一端、mos管m4的源极、mos管m4’的源极mos管本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电源轨电路，其特征在于，包括基准电压生成电路、主控制电路和功率管MP，所述主控制电路包括MOS管M3、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7和分压单元；所述基准电压生成电路的第一端、MOS管M5的源极、所述分压单元的第一端连接后，用于接入电源电压VDD，所述基准电压生成电路的第二端与MOS管M5的栅极连接；所述基准电压生成电路的第三端与MOS管M6的栅极连接；所述基准电压生成电路的第四端与MOS管M3的栅极连接；所述基准电压生成电路的第五端、MOS管M3的源极、功率管MP的源极均接地；MOS管M5的漏极与MOS管M6的源极、MOS管M7的源极连接；MOS管M6的漏极与MOS管M3的漏极、功率管MP的栅极连接；MOS管M7的栅极与所述分压单元的第二端连接，MOS管M7的漏极与所述分压单元的第三端、功率管MP的漏极连接后，作为所述电源轨电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的电源轨电路，其特征在于，所述基准电压生成电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M4；电阻R1的一端、MOS管M4的源极作为所述基准电压生成电路的第一端，电
3.根据权利要求1所述的电源轨电路，其特征在于，所述基准电压生成电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M4、MOS管M3’、MOS管M4’；电阻R1的一端、MOS管M4的源极、MOS管M4’的源极作为所述基准电压生成电路的第一端，电阻R1的另一端与MOS管M1的栅极、MOS管M1的漏极、MOS管M2的栅极连接；MOS管M4的栅极与MOS管M4的源极、MOS管M4’的栅极、电阻R3的一端连接后，作为所述基准电压生成电路的第二端与MOS管M5的栅极连接；电阻R3的另一端与MOS管M2的漏极连接后，作为所述基准电压生成电路的第三端与MOS管M6的栅极连接；MOS管M2的源极与电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端与MOS管M1的源极、MOS管M3’的源极连接后，作为所述基准电压生成电路的第五端接地；MOS管M4’的漏极与MOS管M3’的漏极、MOS管M3’的栅极连接后，作为所述基准电压生成电路的第四端与MOS管M3的栅极连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述电源轨电路，其特征在于，MOS管M3与MOS管M5的大小关系为M5＝N*M3，其中，N为大于0的自然数，N与MOS管M6、MOS管M7的大小取值相关。
5.根据权利要求1所述的电源轨电路，其特征在于，MOS管M6与MOS管M7相同。
6.根据权利要求1所述的电源轨电路，其特征在于，所述分压单元包括电阻Rfb1和电阻Rfb2，电阻Rfb2的一端作为所述分压单元的第一端，电阻Rfb2的另一端与电阻Rfb1的一端连接后作为所述分压单元的第二端，电阻Rfb1的另一端作为所述分压单元的第三端。
7.一种电源轨电路，其特征在于，包括基准电压生成电路、主控制电路和功率管MP；所述主控制电路包括MOS管M3、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7和分压单元；所述基准电压生成电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M4；电阻R1的一端、MOS管M4的源极、MOS管M5的源极、所述分压单元的一端连接后，用于接入电源电压VDD；电阻R1的另一端与MOS管M1的栅极、MOS管M1的漏极、MOS管M2的栅极、MOS管M3的栅极连接；MOS管M4的栅极与MOS管M4的源极、电阻R3的一端、MOS管M5的栅极连接；电阻R3的另一端与MOS管M2的漏极、MOS管M6的栅极连接；MOS管M2的源极与电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端与MOS管M1的源极、MOS管M3的源极、功率管MP的源极接地；MOS管M3的漏极与MOS管M6的漏极、功率管MP的栅极连接；MOS管M5的漏极与MOS管M6的源极、MOS管M7的源极连接；MOS管M7的栅极与所述分压单元的第二端连接，MOS管M7的漏极与所述分压单元的第三端、功率管MP的漏极连接后，作为所述电源轨电路的输出端。
8.一种电源轨电路，其特征在于，包括基准电压生成电路、主控...
【技术特征摘要】
1.一种电源轨电路，其特征在于，包括基准电压生成电路、主控制电路和功率管mp，所述主控制电路包括mos管m3、mos管m5、mos管m6、mos管m7和分压单元；所述基准电压生成电路的第一端、mos管m5的源极、所述分压单元的第一端连接后，用于接入电源电压vdd，所述基准电压生成电路的第二端与mos管m5的栅极连接；所述基准电压生成电路的第三端与mos管m6的栅极连接；所述基准电压生成电路的第四端与mos管m3的栅极连接；所述基准电压生成电路的第五端、mos管m3的源极、功率管mp的源极均接地；mos管m5的漏极与mos管m6的源极、mos管m7的源极连接；mos管m6的漏极与mos管m3的漏极、功率管mp的栅极连接；mos管m7的栅极与所述分压单元的第二端连接，mos管m7的漏极与所述分压单元的第三端、功率管mp的漏极连接后，作为所述电源轨电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的电源轨电路，其特征在于，所述基准电压生成电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管m1、mos管m2、mos管m4；电阻r1的一端、mos管m4的源极作为所述基准电压生成电路的第一端，电阻r1的另一端与mos管m1的栅极、mos管m1的漏极、mos管m2的栅极连接后，作为所述基准电压生成电路的第四端与mos管m3的栅极连接；mos管m4的栅极与mos管m4的源极、电阻r3的一端连接后，作为所述基准电压生成电路的第二端与mos管m5的栅极连接；电阻r3的另一端与mos管m2的漏极连接后，作为所述基准电压生成电路的第三端与mos管m6的栅极连接；mos管m2的源极与电阻r2的一端连接；电阻r2的另一端与mos管m1的源极连接后作为所述基准电压生成电路的第五端接地。
3.根据权利要求1所述的电源轨电路，其特征在于，所述基准电压生成电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管m1、mos管m2、mos管m4、mos管m3’、mos管m4’；电阻r1的一端、mos管m4的源极、mos管m4’的源极作为所述基准电压生成电路的第一端，电阻r1的另一端与mos管m1的栅极、mos管m1的漏极、mos管m2的栅极连接；mos管m4的栅极与mos管m4的源极、mos管m4’的栅极、电阻r3的一端连接后，作为所述基准电压生成电路的第二端与mos管m5的栅极连接；电阻r3的另一端与mos管m2的漏极连接后，作为所述基准电压生成电路的第三端与mos管m6的栅极连接；mos管m2的源极与电阻r2的一端连接；电阻r2的另一端与mos管m1的源极、mos管m3’的源极连接后，作为所述基准电压生成电路的第五端接地；mos管m4’的漏极与mos管m3’的漏极、mos管m3’的栅极连接后，作为所述基准电压生成电路的第四端与mos管m3的栅极连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述电源轨电路，其特征在于，mos管m3与mos管m5的大小关系为m5＝n*m3，其中，n为大于0的自然数，n与mos管m6、mos管m7的大小取值相...
【专利技术属性】
技术研发人员：李斌斌，郭晓锋，邵元超，王超，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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