非隔离升降压电源电路及非隔离升降压电源模块制造技术

本实用新型专利技术涉及电源电路技术领域，实施例公开一种非隔离升降压电源电路及非隔离升降压电源模块。本申请提供的非隔离升降压电源电路，将两片升降压稳压器并联连接，通过SYNCI、SYNCO两个引脚实现MOSFET同步开关，通过EN引脚实现同步启动，通过EAIN引脚共用反馈电阻实现同步输出电压，该电源电路能够提供宽输入、高功率、稳定可靠的电源，且结构简单适合广泛推广。

Non-Isolated Boost-Down Power Circuit and Non-Isolated Boost-Down Power Module

【技术实现步骤摘要】
非隔离升降压电源电路及非隔离升降压电源模块
本技术涉及电源
，具体涉及一种非隔离升降压电源电路及非隔离升降压电源模块。
技术介绍
非隔离电源是指输入端和负载端之间没有变压器进行电气隔离，直接将输入端和负载端共地，与隔离电源相比有如下优点：1、效率高：一般的非隔离电源效率能达到92％以上，而隔离电源一般只能达到85％左右。在带大功率负载情况下，非隔离电源的发热量更小。2、体积小：由于非隔离电源不需要变压器，所以整个产品尺寸可以做的非常小，在对设计尺寸要求比较高的应用场景中，非隔离电源能起到重要的作用。3、成本低：非隔离电源外围电路简单、器件种类少，设计简单易用，在各类产品中得到广泛的应用。在一些控制系统场景中，由于控制系统包括大功率的射频功放、步进电机驱动和高主频的ARM处理器，如何设计一款高效、简单、稳定可靠的电源成为急需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供一种非隔离升降压电源电路及非隔离升降压电源模块，能够解决或者至少部分解决上述存在的问题。为解决以上技术问题，本技术提供的技术方案是一种非隔离升降压电源电路，包括第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2并联连接，其中，所述第一升降压稳压器N1的SYNCI引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCI引脚电连接；所述第一升降压稳压器N1的SYNCO引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCO引脚电连接；所述第一升降压稳压器N1的EN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EN引脚电连接后连接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电压输入端；所述第一升降压稳压器N1的EAIN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EAIN引脚电连接后连接在电阻R4一端和电阻R8一端的连接电路上，电阻R4另一端连接电压输出端，电阻R8另一端接地；所述第一升降压稳压器N1的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L1；所述第二升降压稳压器N2的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L2。更优地，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2均采用PI3749升降压稳压器芯片。更优地，所述非隔离升降压电源电路还包括MCU，所述第一升降压稳压器N1的JMON引脚分别电连接MCU的第一ADC引脚和电容C6一端，电容C6另一端接地，所述第二升降压稳压器N2的JMON引脚分别电连接MCU的第二ADC引脚和电容C9一端，电容C9另一端接地。更优地，所述第一升降压稳压器N1的TRK引脚和所述第二升降压稳压器N2的TRK引脚电连接后连接电容C5一端，电容C5另一端接地。更优地，所述非隔离升降压电源电路还包括与电压输出端电连接的软启动电路，所述软启动电路包括P型MOS管V1和三极管V2，所述电压输出端与所述P型MOS管V1的衬底电连接，所述P型MOS管的衬底与栅极之间并联有电阻R2和电容C4，所述P型MOS管的源极分别连接射频电压输出端和电容C3一端，电容C3另一端接地，所述P型MOS管的栅极通过电阻R8连接到三极管V2的集电极，三极管V2的基集和发射极之间连接有电阻R7，三极管V2的发射极接地，三极管V2的基极通过电阻R6连接到射频电压输出EN信号端。更优地，所述P型MOS管V1的源极和漏极之间连接有寄生寄生二极管。本技术还提供一种非隔离升降压电源模块，包括上述的非隔离升降压电源电路，所述非隔离升降压电源电路设置在PCB板上。更优地，所述PCB板上的第一升降压稳压器N1、第二升降压稳压器N2、电感L1和电感L2分散布置，所述第一升降压稳压器N1、第二升降压稳压器N2、电感L1和电感L2的表面加有导热体填隙。更优地，所述PCB板为四层板，所述PCB板的电压输入端走线宽度为24mm，所述电压输入端走线露铜，且在露铜处加有焊锡。本申请与现有技术相比，其有益效果详细说明如下：本申请提供的非隔离升降压电源电路，将两片升降压稳压器并联连接，通过SYNCI、SYNCO两个引脚实现MOSFET同步开关，通过EN引脚实现同步启动，通过EAIN引脚共用反馈电阻实现同步输出电压，该电源电路能够提供宽输入、高功率、稳定可靠的电源，且结构简单适合广泛推广。附图说明图1为本技术实施例1提供的一种非隔离升降压电源电路；图2为本技术实施例2提供的另一种非隔离升降压电源电路；图3为本技术实施例2提供的非隔离升降压电源电路在未加入软启动电路时输出电压波形；图4为本技术实施例2提供的非隔离升降压电源电路在加入软启动电路后输出电压波形；图5为本技术实施例3提供的一种非隔离升降压电源模块。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。如图1所示，本技术提供一种非隔离升降压电源电路，包括第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2，第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2并联连接。其中，第一升降压稳压器N1的SYNCI引脚和第二升降压稳压器N2的SYNCI引脚电连接；第一升降压稳压器N1的SYNCO引脚和第二升降压稳压器N2的SYNCO引脚电连接；第一升降压稳压器N1的EN引脚和第二升降压稳压器N2的EN引脚电连接后连接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电压输入端；第一升降压稳压器N1的EAIN引脚和第二升降压稳压器N2的EAIN引脚电连接后连接在电阻R4一端和电阻R8一端的连接电路上，电阻R4另一端连接电压输出端，电阻R8另一端接地；第一升降压稳压器N1的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L1；第二升降压稳压器N2的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L2。需要说明的是，第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2均采用PI3749升降压稳压器芯片。这里举例具体说明，某控制系统要求电源输入范围为+24V～+32V，主控单元功率最大72W，天线部分功率最大240W，电源输出总功率不小于320W。由于该设备要求工作温度为-40℃～55℃，考虑高温时电源输出功率的降额，因此设计的电源输出功率应达到400W。鉴于目前市面上暂时没有单片能达到输出功率400W的非隔离芯片，所以设计中采用两片PI3749升降压稳压器芯片并联输出。PI3749芯片输入电压范围+16V～+34V，输出电压范围+12V～+28V，单片最大输出功率240W，效率最高能到98.5％，因此并联输出完全能满足系统设计要求。两片PI3749芯片通过SYNCI、SYNCO两个引脚实现MOSFET同步开关，通过EN引脚实现同步启动，并且能够通过EAIN引脚共用反馈电阻实现同步输出电压。PI3749芯片设置有过压输出保护功能：PI3749芯片配备了两种检测输出过压条件的方法：1，如果输出电压超过EAIN脚规定的值20％；2，输出电压超过了输出门限。PI3749芯片的调节器将完成当前循环，关闭开关并上报过压故障。PI3749芯片还设置有过温保护功能：PI3749芯片内部温度被监控，如果超过过温保护阈值，PI3749芯片的调节器将完成当前的开关周期，进入低功率模式，当温度下降到一定温度后重新启动。如图2所示，非隔离升降压电源电路还包括MCU，第一升降压稳压器N1的JMON引脚分别电连接MCU的第一ADC引脚和电容C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非隔离升降压电源电路，其特征在于，包括第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2并联连接，其中，所述第一升降压稳压器N1的SYNCI引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCI引脚电连接；所述第一升降压稳压器N1的SYNCO引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCO引脚电连接；所述第一升降压稳压器N1的EN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EN引脚电连接后连接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电压输入端；所述第一升降压稳压器N1的EAIN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EAIN引脚电连接后连接在电阻R4一端和电阻R8一端的连接电路上，电阻R4另一端连接电压输出端，电阻R8另一端接地；所述第一升降压稳压器N1的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L1；所述第二升降压稳压器N2的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L2。

【技术特征摘要】
1.一种非隔离升降压电源电路，其特征在于，包括第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2并联连接，其中，所述第一升降压稳压器N1的SYNCI引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCI引脚电连接；所述第一升降压稳压器N1的SYNCO引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCO引脚电连接；所述第一升降压稳压器N1的EN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EN引脚电连接后连接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电压输入端；所述第一升降压稳压器N1的EAIN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EAIN引脚电连接后连接在电阻R4一端和电阻R8一端的连接电路上，电阻R4另一端连接电压输出端，电阻R8另一端接地；所述第一升降压稳压器N1的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L1；所述第二升降压稳压器N2的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L2。2.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2均采用PI3749升降压稳压器芯片。3.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，还包括MCU，所述第一升降压稳压器N1的JMON引脚分别电连接MCU的第一ADC引脚和电容C6一端，电容C6另一端接地，所述第二升降压稳压器N2的JMON引脚分别电连接MCU的第二ADC引脚和电容C9一端，电容C9另一端接地。4.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述第一升降...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岩，李元林，党建波，罗昌海，胡昆霖，陈书锋，荣元政，陈黎明，刘佳，
申请(专利权)人：四川航天神坤科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51