太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池技术

太阳能单电池(1)的制造方法包括：在光电转换部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底层(13)和导电层(14)的工序；在导电层的与分离槽(70)对应的区域上形成抗蚀剂膜(71)的工序；将形成了抗蚀剂膜(71)的导电层(14)作为种子层，通过电解镀依次形成n侧导电层(45)和p侧导电层(55)、含锡的n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的工序；在n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)上形成将n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的表面合金化的n侧金属层(47)和p侧金属层(57)的工序；和分别对导电层和基底层进行蚀刻的工序。

Manufacturing Method and Solar Cell

【技术实现步骤摘要】
太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池
本专利技术涉及太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池。
技术介绍
已经公开了一种太阳能单电池的制造方法(例如参照专利文献1)，其包括：在半导体衬底的一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在p型区域和n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在第1导电层的与分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成有抗蚀剂膜的第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层和Sn层的工序；将Sn层的表面氧化来形成表面氧化膜的工序；和除去抗蚀剂膜并分别对第1导电层和基底层进行蚀刻的工序。在该太阳能单电池的制造方法中，能够提高背面接合型的太阳能单电池制造的成品率和经济性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-185658号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在现有的太阳能单电池的制造方法中，在对基底层进行蚀刻的情况下，使用盐酸-过氧化氢等蚀刻液进行蚀刻，但此时也会将形成于第2导电层上的Sn层溶解。因此，迫切要求对Sn层的溶解进行抑制。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够抑制Sn层溶解的太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池。用于解决课题的方法为了达到上述目的，本专利技术的一个方式的太阳能单电池的制造方法在于，该太阳能单电池在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，上述太阳能单电池的制造方法包括：在上述半导体衬底的上述一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在上述p型区域和上述n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在上述第1导电层的与上述分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成了上述抗蚀剂膜的上述第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层、含锡(Sn)的Sn层的工序；在上述Sn层上形成将上述Sn层的表面合金化的金属层的工序；和分别对上述第1导电层和上述基底层进行蚀刻的工序。另外，本专利技术的一个方式的太阳能单电池，其在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，上述太阳能单电池包括：在上述半导体衬底的上述一个面上具有p型区域和n型区域的半导体衬底；分别形成于上述p型区域和上述n型区域上的基底层；形成于上述基底层上的第1导电层；形成于上述第1导电层上的第2导电层；和覆盖上述第2导电层的Sn层，上述Sn层的表面被合金化。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制Sn层的溶解。附图说明图1是从背面侧所看到的实施方式的太阳能单电池的平面图。图2是表示在图1的Ⅱ-Ⅱ线切断太阳能单电池时的截面图。图3是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的工序的流程图。图4是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的工序的截面图。图5是表示变形例的太阳能单电池的制造方法的工序的流程图。图6A是表示变形例的太阳能单电池的制造方法的工序的截面图。图6B是表示变形例的太阳能单电池的制造方法的工序的截面图。附图标记说明1太阳能单电池13、43、53基底层(43n侧基底层、53p侧基底层)14导电层(第1导电层)20光电转换部(半导体衬底)20bnn型表面(n型区域)20bpp型表面(p型区域)40n侧电极44、54第1导电层(44n侧种子层、54p侧种子层)45、55第2导电层(45n侧导电层、55p侧导电层)46、56Sn层(46n侧Sn层、56p侧Sn层)47、57金属层(47n侧金属层、57p侧金属层)50p侧电极70分离槽71抗蚀剂膜具体实施方式下面，使用附图对本专利技术的实施方式进行详细的说明。以下所要说明的实施方式均表示本专利技术的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所表示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置、连接方式、工序、和工序顺序等只是一个例子，并非用来限定本专利技术。因此，以下的实施方式的结构要素中，就未在表示本专利技术的最上位概念的独立权利要求中记载的结构要素，作为任意的结构要素进行说明。此外，各个附图只是示意图，并非严谨的图示。另外，在各个附图中，对于实质上相同的结构将标注相同的符号，有时省略或者简化重复性的说明。下面，对本专利技术的实施方式的太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法进行说明。(实施方式)[结构]在俯视太阳能单电池1的情况下，将相对于太阳能单电池1的法线方向规定为Z轴方向，将与Z轴方向正交的任意方向规定为X轴方向，将与Z轴方向和X轴方向正交的方向规定为Y轴方向，表示X、Y、Z的各个方向。图1所示的各个方向与图2所示的各个方向对应表示。除了未表示X、Y、Z的各个方向的附图外，在图2之后的附图中也同样。图1是表示实施方式的太阳能单电池单元1的平面图。如图1所示，太阳能单电池单元1是通过接收太阳光等光而能够产生电的光电转换元件。太阳能单电池单元1包括：光电转换部20、n侧电极40和p侧电极50。光电转换部20是通过接收太阳光等光而生成电子和空穴等载流子的部件。光电转换部20既可以仅在太阳能单电池1的受光面上受光时生成载流子，也可以不仅在受光面上也在太阳能单电池单元1的背面受光时生成载流子。此处所说的“背面”是指与光从太阳能单电池的外部入射的受光面相反一侧的面，面向Z轴正方向一侧。背面是其中一个面的一个例子。图2是表示在图1的Ⅱ-Ⅱ线切断太阳能单电池单元1时的截面的截面图。如图1和图2所示，光电转换部20的背面具有：p型表面20bp和n型表面20bn。在p型表面20bp上设置有p侧电极50。在n型表面20bn上设置有n侧电极40。n型表面20bn是n型区域的一个例子。p型表面20bp是p型区域的一个例子。p侧电极50和n侧电极40分别设置成梳齿状，p侧电极50与n侧电极40以相互嵌入的方式设置。具体来讲，p侧电极50、和n侧电极40分别具有：多个副栅线电极部41、51和与多个副栅线电极部41、51电连接的主栅线电极部42、52。未图示的配线件与主栅线电极部42、52电连接，能够将太阳能单电池10组件化。此外，副栅线电极部41、51和主栅线电极部42、52等电极的结构没有特别限制。因此，电极例如也可以仅由多个副栅线电极部41、51构成。另外，光电转换部20具有作为结晶类半导体衬底的n型单晶硅衬底21。结晶类半导体衬底也可以是n型多晶硅衬底、p型单晶或多晶硅衬底。在本实施方式中，结晶类半导体衬底使用n型单晶硅衬底21。光电转换部20是半导体衬底的一个例子。n型单晶硅衬底21可作为发电层发挥功能。其厚度例如是100μm～300μm程度。也可以在n型单晶硅衬底21的受光面上形成纹理结构。此处所说的“纹理结构”是一种抑制表面反射，增大光电转换部20的光吸收量的凹凸结构。作为纹理结构的具体例子，能够列举在具有(100)面的受光面上施以各向异性蚀刻而获得的四角锥状或者四角锥截体状的凹凸结构。如图2所示，在n型单晶硅衬底21的受光面一侧依次形成i型非晶硅层22、n型非晶硅层23、和保护层24。i型非晶硅层22和n型非晶硅层23具有作为钝化层的功能。i型非晶硅层22是本征非晶硅薄膜层，例如具有0.1nm～25nm程度的厚度。另一方面，n型非晶硅层23例如是掺杂了磷等的非晶硅薄膜层，具有2nm～50nm程度的厚度。保护层24在保护钝化层的同时还具有防反射功能。保护层24可以采用透光性好的材料构成。作为这种材料，可以列举氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或者氮氧化硅(SiON本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能单电池的制造方法，该太阳能单电池在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，所述太阳能单电池的制造方法的特征在于，包括：在所述半导体衬底的所述一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在所述p型区域和所述n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在所述第1导电层的与所述分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成了所述抗蚀剂膜的所述第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层、含Sn的Sn层的工序；在所述Sn层上形成将所述Sn层的表面合金化的金属层的工序；和分别对所述第1导电层和所述基底层进行蚀刻的工序。

【技术特征摘要】
2017.12.28 JP 2017-2534201.一种太阳能单电池的制造方法，该太阳能单电池在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，所述太阳能单电池的制造方法的特征在于，包括：在所述半导体衬底的所述一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在所述p型区域和所述n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在所述第1导电层的与所述分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成了所述抗蚀剂膜的所述第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层、含Sn的Sn层的工序；在所述Sn层上形成将所述Sn层的表面合金化的金属层的工序；和分别对所述第1导电层和所述基底层进行蚀刻的工序。2.如权利要求1所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：在对所述第1导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：益子庆一郎，村上洋平，平野浩一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP