显示设备制造技术

显示设备包括基板，所述基板包括显示区域和显示区域外部的周围区域。电路单元设置在显示区域中并且包括半导体层。绝缘层在半导体层上。导电层通过绝缘层中的接触孔与半导体层连接。导电层包括下层，所述下层包括金属氮化物，所述金属氮化物包括第一金属。显示元件设置在电路单元上，并且包括与导电层电连接的像素电极。连接层设置在导电层之下。连接层与接触孔对应，并且包括第二金属。

【技术实现步骤摘要】
显示设备相关申请的交叉引用本申请要求2017年12月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0170509号的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。
本专利技术的示例性实施方式涉及一种显示设备。
技术介绍
显示设备可包括显示元件以及控制施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件可包括薄膜晶体管(TFT)、电容器和多条布线。电子元件可通过它们之间的绝缘层彼此电绝缘，或可通过在绝缘层中形成的接触孔彼此电连接。
技术实现思路
显示设备的电子元件之间的绝缘层可与电子元件的导电层反应，从而形成非预期的层(例如，取决于绝缘层的材料)。对于用户而言，这种非预期的层可表现为污点。根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备可防止在导电层与绝缘层之间形成层，这可提高生成的图像的质量。根据本专利技术的示例性实施方式，显示设备包括基板，所述基板包括显示区域和显示区域外部的周围区域。电路单元设置在显示区域中并且包括半导体层。绝缘层在半导体层上。导电层通过绝缘层中的接触孔与半导体层连接。导电层包括下层，所述下层包括金属氮化物，所述金属氮化物包括第一金属。显示元件设置在电路单元上并且包括与导电层电连接的像素电极。连接层设置在导电层之下以与接触孔对应。连接层包括第二金属。绝缘层可包括有机绝缘层。导电层的下表面的一部分可与绝缘层的上表面直接接触。显示设备可包括位于接触孔的内壁的至少一部分上的侧面层。侧面层可包括第二金属。下层可包括氮化钛、氮化钽、氮化铌和氮化钨中的至少一种。导电层可包括设置在下层上的金属层。金属层可包括Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。金属层的厚度可大于下层的厚度。下层的厚度可为约或更大。连接层可为包括第二金属的金属硅化物层。显示元件可包括有机发光二极管。根据本专利技术的示例性实施方式，显示设备包括基板，所述基板包括显示区域和显示区域外部的周围区域。电路单元设置在显示区域中。电路单元包括半导体层、导电层和有机绝缘层。导电层的下部与有机绝缘层直接接触。导电层的下部包括金属氮化物。显示元件设置在电路单元上，并且包括与导电层电连接的像素电极。导电层的下表面的一部分可与有机绝缘层直接接触。导电层可包括金属氮化物层和设置在金属氮化物层上的金属层。金属氮化物层可包括氮化钛、氮化钽、氮化铌和氮化钨中的至少一种。金属层可包括Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。导电层可包括金属层上的覆盖层。金属氮化物层的厚度可为约或更大。金属层的厚度可大于金属氮化物层的厚度。导电层可通过有机绝缘层中的接触孔与半导体层连接。显示设备可包括设置在导电层的下部之下的金属硅化物层。显示设备可包括覆盖接触孔的内壁的至少一部分的侧面层。包含在侧面层中的金属与包含在金属硅化物层中的金属相同。导电层可通过有机绝缘层中的接触孔接触设置在有机绝缘层之下的金属元件。电路单元可包括存储电容器。金属元件可为存储电容器的电极。电路单元可包括薄膜晶体管。数据线和驱动电压线可与薄膜晶体管电连接。导电层可为数据线或驱动电压线中的一种。附图说明通过参考附图具体描述本专利技术的示例性实施方式，本专利技术的更全面理解将变得更显而易见，其中：图1为根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的平面图；图2为位于根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的显示区域中的一个像素的等效电路图；图3为根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图；图4至图9为根据本专利技术的示例性实施方式，在显示设备的制造工艺中形成导电层中的数据线的工艺的截面图；图10是根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图；并且图11是根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图。具体实施方式下面，将参考附图更详细地描述本专利技术的示例性实施方式。就此而言，示例性实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文描述的本专利技术的示例性实施方式。在整个说明书和附图中，相同的附图标记可表示相同的元件。应理解，尽管术语“第一”和“第二”可在本文中用来描述各种组件，但这些组件不应该被这些术语限制。如本文中使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”、“所述”也可包括复数形式，除非上下文清楚地另外指出。应理解，当诸如层、膜、区域或板的组件被指在另一组件“上”时，该组件可直接在另一组件上，或可存在中间组件。为了描述的清楚，可放大附图中元件的尺寸。当某一实施方式可被不同地实现时，特定工艺顺序可以不同于所描述的顺序执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行，或以与所描述的顺序相反的顺序(或与所描述的顺序不同的其他方式)执行。应理解，当层、区域或组件被指与另一层、区域或组件“连接”时，其可与另一层、区域或组件直接连接，或可与另一层、区域或组件间接连接，其他层、区域或组件设置在它们之间。显示设备可显示图像。显示设备的例子可包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。下面主要描述作为例子的有机发光显示器。然而，根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备并不限于此，并且可使用各种类型的显示设备。图1为根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的平面图。参考图1，显示设备可包括基板100。基板100可包括显示区域DA和显示区域DA外部的周围区域PA。作为例子，周围区域PA可围绕显示区域DA(例如，当在沿着与基板100的上表面正交的方向的平面图中观察时)。周围区域PA可具有围绕显示区域DA基本上均匀的宽度；然而，本专利技术的示例性实施方式并不限于此。诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件可设置在基板100的显示区域DA中。基板100的周围区域PA可为不显示图像的非显示区域。传输待施加至显示区域DA的电信号的布线可位于周围区域PA中。作为例子，下面更详细地描述了包括OLED作为显示元件的显示设备。然而，本专利技术的示例性实施方式并不限于此。图2为位于根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的显示区域中的一个像素P的等效电路图。图2图示了其中像素P包括OLED的例子。参考图2，像素P可包括第一薄膜晶体管(TFT)T1、第二TFTT2、存储电容器Cst和OLED。第二TFTT2可为开关TFT，并且可与扫描线SL和数据线DL连接。第二TFTT2可响应于来自扫描线SL的开关电压输入，将来自数据线DL的数据电压输入传递到第一TFTT1。存储电容器Cst可与第二TFTT2和驱动电压线PL连接，并且可存储对应于从第二TFTT2传递的电压与通过驱动电压线PL供给的电压ELVDD之间的差的电压。第一TFTT1可为驱动TFT，可与驱动电压线PL和存储电容器Cst连接，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压控制从驱动电压线PL流过OLED的驱动电流Id。OLED可通过使用驱动电流Id发射具有预设亮度的光。例如，OLED可发射红光、绿光、蓝光或白光。作为例子，参考图2描述了包括两个TFT和一个存储电容器的像素P的电路单元；然而，本专利技术的示例性实施方式并不限于此。因此，高质量图像可由根据本专利技术的示例性实施方式的、具有不同设计的与像素P的OLED连接的电路单元的显示设备显示。例如，像素P可包括三个或更多个TFT和/或两个或更多个存储电容器。图3为根据本专利技术的示例性实施方式的显示设备的显示区域的截面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基板，所述基板包括显示区域和所述显示区域外部的周围区域；电路单元，所述电路单元设置在所述显示区域中，并且包括半导体层、在所述半导体层上的绝缘层，和通过所述绝缘层中的接触孔与所述半导体层连接的导电层，其中所述导电层包括下层，所述下层包括金属氮化物，所述金属氮化物包括第一金属；显示元件，所述显示元件设置在所述电路单元上并且包括与所述导电层电连接的像素电极；和连接层，所述连接层设置在所述导电层之下，其中所述连接层与所述接触孔对应并且包括第二金属。

【技术特征摘要】
2017.12.12 KR 10-2017-01705091.一种显示设备，所述显示设备包括：基板，所述基板包括显示区域和所述显示区域外部的周围区域；电路单元，所述电路单元设置在所述显示区域中，并且包括半导体层、在所述半导体层上的绝缘层，和通过所述绝缘层中的接触孔与所述半导体层连接的导电层，其中所述导电层包括下层，所述下层包括金属氮化物，所述金属氮化物包括第一金属；显示元件，所述显示元件设置在所述电路单元上并且包括与所述导电层电连接的像素电极；和连接层，所述连接层设置在所述导电层之下，其中所述连接层与所述接触孔对应并且包括第二金属。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述绝缘层包括有机绝缘层。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述导电层的下表面的一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：白炅旼，李周炫，申相原，申铉亿，李东敏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR