有机发光二极管阵列基板及电子装置制造方法及图纸

一种有机发光二极管阵列基板及电子装置。该有机发光二极管阵列基板包括显示区以及位于该显示区以外的第一封装测试电极、第一封装测试引线，该显示区包括第一电源线和第一信号线；该第一封装测试引线连接该第一封装测试电极与所述第一电源线，以向该显示区提供第一电源电压，该第一信号线配置为向该显示区提供第一电信号，该第一封装测试引线的导热率高于该第一信号线。该有机发光二极管阵列基板及电子装置通过设置第一封装测试引线的导热率高于第一信号线，有助于第一封装测试引线在传输第一电源电压时的热量易消散，避免引起该第一封装测试引线上方的有机材料层灼伤的情形。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管阵列基板及电子装置
本技术的实施例涉及一种有机发光二极管阵列基板及电子装置。
技术介绍
在显示领域，有机发光二极管(OLED)显示面板具有自发光、对比度高、能耗低、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、制造简单等特点，具有广阔的发展前景。如何优化显示面板的制作工艺是本领域关注的问题。
技术实现思路
本公开实施例提供一种有机发光二极管阵列基板，包括显示区以及位于所述显示区以外的第一封装测试电极、第一封装测试引线，所述显示区包括第一电源线和第一信号线；所述第一封装测试引线连接所述第一封装测试电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第一电源电压，所述第一信号线配置为向所述显示区提供第一电信号，所述第一封装测试引线的导热率高于所述第一信号线。在至少一个示例中，所述显示区还包括第二信号线，所述第二信号线配置为向所述显示区提供第二电信号，第一封装测试引线与第二信号线同层设置且材料相同。在至少一个示例中，所述第一信号线为扫描线，所述第二信号线为数据线。在至少一个示例中，所述显示区包括像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏电极层，所述源漏电极层与所述第二信号线同层设置且材料相同。在至少一个示例中，所述薄膜晶体管包括栅电极层，所述栅电极层与所述第一信号线同层设置且材料相同。在至少一个示例中，所述第一封装测试引线的导热率大于138W/(m·K)。在至少一个示例中，所述第一封装测试引线的材料为金、银、铜、铝、镁或它们的合金材料。在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括位于所述显示区以外的第二封装测试电极和第二封装测试引线，所述显示区包括公共电极线；所述第二封装测试引线连接所述第二封装测试电极与所述公共电极线，以提供与所述第一电源电压对应的第二电源电压，所述第二电源电压低于所述第一电源电压。在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括位于所述显示区以外的第一模组邦定电极和第一模组邦定引线，所述第一模组邦定引线连接所述第一模组邦定电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第三电源电压。在至少一个示例中，所述第一模组邦定电极为梳状结构。在至少一个示例中，所述第一模组邦定电极与所述第一封装测试电极位于所述显示区的不同侧。在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括位于所述显示区以外的第二模组邦定电极和第二模组邦定引线，所述显示区包括公共电极线；所述第二模组邦定引线连接所述第二模组邦定电极与所述公共电极线以提供与所述第三电源电压对应的第四电源电压。在至少一个示例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括在所述第一封装测试引线上的平坦化层和像素界定层。本公开实施例还提供一种电子装置，包括上述有机发光二极管阵列基板。在至少一个示例中，所述第一封装测试电极悬空。在至少一个示例中，所述电子装置还包括柔性电路板，在所述有机发光二极管阵列基板包括所述第一模组邦定电极的情形下，所述第一模组邦定电极与所述柔性电路板邦定。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。图1为一种OLED显示面板的平面示意图。图2A为本技术一实施例提供的阵列基板的平面示意图。图2B示出了图2A中阵列基板沿剖面线A-A’的剖视图。图3为本技术另一实施例提供的阵列基板的平面示意图。图4为本技术一实施例提供的电子装置的平面示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。有机发光二极管(OLED)显示面板在制作过程中通常会依次经历三个工艺阶段：薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)阵列(Array)工艺阶段、面板(Cell)工艺阶段及模组(Module)工艺阶段。例如，在薄膜晶体管阵列工艺阶段，首先，在衬底基板上进行半导体工艺形成TFT驱动电路阵列；然后进行喷墨打印、蒸镀等工艺形成有机发光元件；再进行封装工艺形成有机发光二极管显示面板。例如，在面板工艺阶段，对OLED显示面板进行老化(Aging)处理以使得TFT性能稳定，以使得OLED的发光亮度达到稳定，以及对OLED显示面板进行封装测试以检测显示面板中显示区的显示不良。例如，在模组工艺阶段，对显示面板进行芯片(各种驱动芯片等)邦定(Bonding)形成显示模组，以及对显示模组进行测试以检测显示模组的不良。在上述显示面板测试以及显示模组测试中，分别是通过显示面板的显示区外的周边区中的邦定电极(BondingPad)对显示面板输入测试信号。图1示出了一种OLED显示面板的平面示意图。该显示面板包括显示区100以及位于显示区域外的周边区101，显示区域包括像素单元的阵列以及为该阵列提供扫描信号的扫描线(栅线)、提供数据信号的数据线、提供电源电压的电源线等，每个像素单元与栅线、数据线和电源线连接以接收相应的电信号以进行发光，实现显示操作。图1中主要示意出了显示面板的周边区101中为显示面板提供电源电压信号的邦定电极以及与该邦定电极连接的邦定引线。如图所示，封装测试电极11和模组邦定电极13分别通过封装测试引线15、模组邦定引线17连接至显示区中的电源线(未示出)，封装测试电极12和模组邦定电极14分别通过封装测试引线16、模组邦定引线18连接至显示区中的公共电极线(未示出)。封装测试电极11、12分别配置为在面板工艺阶段为显示区提供高电压信号VDD和低电压信号VSS，模组邦定电极13、14分别配置为在模组工艺阶段为显示区提供高电压信号ELVDD和低电压信号ELVSS。为了节省工艺步骤，例如，显示区周边的邦定引线要么与显示区中的数据线在同一构图工艺中形成，要么与显示区中的扫描线在同一构图工艺中形成。如图1所示，为了进一步优化布线，模组邦定引线17、18与显示区中的数据线同层形成；为了防止封装测试引线15与模组邦定引线18之间短路，封装测试引线15与显示区中的扫描线同层形成于另一层中。相应地，在封装测试引线15、16和模组邦定引线17、18之上形成有各种绝缘层(例如栅绝缘层、钝化层、平坦化层、像素界定层等)、封装层等，这些绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区以外的第一封装测试电极、第一封装测试引线，所述显示区包括第一电源线和第一信号线；所述第一封装测试引线连接所述第一封装测试电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第一电源电压，所述第一信号线配置为向所述显示区提供第一电信号，其中，所述第一封装测试引线的导热率高于所述第一信号线。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括显示区以及位于所述显示区以外的第一封装测试电极、第一封装测试引线，所述显示区包括第一电源线和第一信号线；所述第一封装测试引线连接所述第一封装测试电极与所述第一电源线，以向所述显示区提供第一电源电压，所述第一信号线配置为向所述显示区提供第一电信号，其中，所述第一封装测试引线的导热率高于所述第一信号线。2.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括第二信号线，所述第二信号线配置为向所述显示区提供第二电信号，所述第一封装测试引线与第二信号线同层设置且材料相同。3.如权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为扫描线，所述第二信号线为数据线。4.如权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述显示区包括像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏电极层，所述源漏电极层与所述第二信号线同层设置且材料相同。5.如权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极层，所述栅电极层与所述第一信号线同层设置且材料相同。6.如权利要求1-5任一所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一封装测试引线的导热率大于138W/(m·K)。7.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭利满，刘祺，吴岩，杨津，张倩倩，薛智勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11