一种次声波发生装置制造方法及图纸

技术编号:21210930 阅读:76 留言:0更新日期:2019-05-25 05:38
本实用新型专利技术公开了一种次声波发生装置,包括壳体,设置于壳体内的减震单元、信号调理单元、发声单元和低频振膜,所述的低频振膜、发声单元、信号调理单元和减震单元在壳体内由上而下依此设置。本实用新型专利技术提供的一种次声波发生装置,结构合理,由壳体和设置于壳体内的减震单元、信号调理单元、发声单元和低频振膜组成,装置由信号输入接口得到激励电压,经过信号调理单元得到纯净激励源,低频发声单元,推动低频振膜振动发出次声波,在出声孔得到相同的低失真声压;减震单元避免发声单元与安装结构共振产生失真,出声孔可支持1/2英寸及1英寸次声传感器插入校准,经济,便携,适用于次声波传感器产线及现场校准。

An Infrasound Generator

The utility model discloses an infrasound generating device, which comprises a shell, a shock absorbing unit, a signal conditioning unit, a sound generating unit and a low frequency vibration film arranged in the shell. The low frequency vibration film, a sound generating unit, a signal conditioning unit and a shock absorbing unit are arranged from top to bottom in the shell accordingly. The utility model provides an infrasound generating device with reasonable structure, which consists of a shell and a shock absorption unit, a signal conditioning unit, a sound generating unit and a low-frequency vibration film arranged in the shell. The device is composed of a signal input interface to obtain an excitation voltage, a pure excitation source through a signal conditioning unit, a low-frequency sound generating unit to promote the vibration of a low-frequency vibration film to produce infrasound waves, and a sound hole to obtain the excitation voltage. To the same low distortion sound pressure; shock absorber unit avoids distortion caused by resonance between sound generating unit and installation structure. The sound outlet can support 1/2 inch and 1 inch infrasound sensor insertion calibration. It is economical, portable and suitable for infrasound sensor production line and field calibration.

【技术实现步骤摘要】
一种次声波发生装置
本技术涉及次声波的
,特别涉及一种次声波发生装置。
技术介绍
目前,次声波发生利用位移反馈型的激光活塞发生器获得低失真的次声声压,但是位移反馈型的激光活塞发生器价格昂贵,不适合次声波次声传感器产线及现场校准。为此,有必要提出一种次声波发生装置,以满足次声波传感器产线及现场校准。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种次声波发生装置,其旨在解决现有技术中位移反馈型的激光活塞发生器价格昂贵,不适合次声波次声传感器产线及现场校准的技术问题。为实现上述目的,本技术提出了一种次声波发生装置,包括壳体,设置于壳体内的减震单元、信号调理单元、发声单元和低频振膜,所述的低频振膜、发声单元、信号调理单元和减震单元在壳体内由上而下依此设置。作为优选,所述的壳体由底座和安装于所述底座上的上盖构成,所述的上盖上设置有多个出声孔,所述的出声孔位于低频振膜的上方。作为优选,所述的出声孔的数量为两个,对称分布在上盖上。作为优选,两个所述的出声孔孔径满足1/2英寸次声传感器及1英寸次声传感器插入。作为优选,所述的底座的侧部设置有信号输入接口,所述的信号输入接口与信号调理单元连接。作为优选,所述的减震单元固定安装于壳体的内腔底部,所述的信号调理单元固定于减震单元的顶部,所述的发声单元固定于信号调理单元的上方,所述的低频振膜设置于发声单元的上方。本技术的有益效果:与现有技术相比,本技术提供的一种次声波发生装置,结构合理,由壳体和设置于壳体内的减震单元、信号调理单元、发声单元和低频振膜组成,装置由信号输入接口得到激励电压,经过信号调理单元得到纯净激励源,低频发声单元,推动低频振膜振动发出次声波,在出声孔得到相同的低失真声压;减震单元避免发声单元与安装结构共振产生失真,出声孔可支持1/2英寸及1英寸次声传感器插入校准,经济,便携,适用于次声波传感器产线及现场校准。本技术的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。【附图说明】图1是本技术实施例一种次声波发生装置的结构示意图。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面通过附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。但是应该理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限制本技术的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本技术的概念。参阅图1,本技术实施例提供一种次声波发生装置,包括壳体1,设置于壳体1内的减震单元2、信号调理单元3、发声单元4和低频振膜5,所述的低频振膜5、发声单元4、信号调理单元3和减震单元2在壳体1内由上而下依此设置。其中,所述的壳体1由底座11和安装于所述底座11上的上盖12构成,所述的上盖12上设置有多个出声孔13,所述的出声孔13位于低频振膜5的上方。进一步地,所述的出声孔13的数量为两个,对称分布在上盖12上。在本技术实施例中,两个所述的出声孔13孔径满足1/2英寸次声传感器及1英寸次声传感器插入。进一步地,所述的底座11的侧部设置有信号输入接口14,所述的信号输入接口14与信号调理单元3连接。更进一步地,所述的减震单元2固定安装于壳体1的内腔底部,所述的信号调理单元3固定于减震单元2的顶部,所述的发声单元4固定于信号调理单元3的上方,所述的低频振膜5设置于发声单元4的上方。本技术一种次声波发生装置,结构合理,由壳体1和设置于壳体1内的减震单元2、信号调理单元3、发声单元4和低频振膜5组成,装置由信号输入接口14得到激励电压,经过信号调理单元3得到纯净激励源,低频发声单元,推动低频振膜振动发出次声波,在出声孔得到相同的低失真声压;减震单元2避免发声单元4与安装结构共振产生失真,出声孔可支持1/2英寸及1英寸次声传感器插入校准,经济,便携,适用于次声波传感器产线及现场校准。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种次声波发生装置,其特征在于:包括壳体(1),设置于壳体(1)内的减震单元(2)、信号调理单元(3)、发声单元(4)和低频振膜(5),所述的低频振膜(5)、发声单元(4)、信号调理单元(3)和减震单元(2)在壳体(1)内由上而下依此设置。

【技术特征摘要】
1.一种次声波发生装置,其特征在于:包括壳体(1),设置于壳体(1)内的减震单元(2)、信号调理单元(3)、发声单元(4)和低频振膜(5),所述的低频振膜(5)、发声单元(4)、信号调理单元(3)和减震单元(2)在壳体(1)内由上而下依此设置。2.如权利要求1所述的一种次声波发生装置,其特征在于:所述的壳体(1)由底座(11)和安装于所述底座(11)上的上盖(12)构成,所述的上盖(12)上设置有多个出声孔(13),所述的出声孔(13)位于低频振膜(5)的上方。3.如权利要求2所述的一种次声波发生装置,其特征在于:所述的出声孔(13)的数量为两个,对称分布...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹祖杨周航张凯强
申请(专利权)人:杭州兆华电子有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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