极紫外线成像工具的液滴产生器制造技术

极紫外线成像工具的液滴产生器包括熔化的金属的贮槽、及具有连接至贮槽的第一末端及相对的第二末端的喷嘴，此相对的第二末端为熔化的金属液滴从喷嘴排出之处。进气口连接至喷嘴，且隔离阀位于喷嘴的第二末端，此隔离阀配置以将喷嘴与周遭隔离。

Droplet Generator of Ultraviolet Imaging Tool

The droplet generator of the EUV imaging tool includes a storage tank for molten metal and a nozzle connected to the first end of the storage tank and the second end of the relative nozzle, where the molten metal droplets are discharged from the nozzle. The intake port is connected to the nozzle, and the isolation valve is located at the second end of the nozzle. The isolation valve is configured to isolate the nozzle from its surroundings.

【技术实现步骤摘要】
极紫外线成像工具的液滴产生器
本公开涉及极紫外线成像工具的液滴产生器及维护极紫外线成像工具的方法。
技术介绍
随着消费者装置已经变得越来越小以响应消费者的需求，这些装置的个别的元件也必须缩小尺寸。组成装置(例如手机、平板电脑、及其相似物)的主要元件的半导体装置，已经被迫使变得越来越小，从而迫使在半导体装置内的个别的装置(例如晶体管、电阻、电容等)需要缩小尺寸。随着半导体制造技术(例如光刻)的进步，装置尺寸的缩小得到了满足。举例来说，用在光刻的辐射的波长已经从紫外线降低至深紫外线(deepultraviolet，DUV)，且最近降低至极紫外线(extremeultraviolet，EUV)。更进一步缩小元件尺寸需要光刻的分辨率的更进一步的提升，其可使用极紫外线光刻(extremeultravioletlithography，EUVL)而实现。极紫外线光刻运用具有波长约1-100纳米的辐射。随着半导体工业已经演进至纳米技术工艺节点，以追求更高的装置密度、更高的性能、及较低的成本，在缩小半导体特征尺寸方面具有许多挑战。
技术实现思路
本公开的实施例提供极紫外线成像工具的液滴产生器，包括熔化的金属的贮槽、及具有连接至贮槽的第一末端及相对的第二末端的喷嘴，此相对的第二末端为熔化的金属从喷嘴排出之处。进气口连接至喷嘴，且隔离阀位于喷嘴的第二末端，此隔离阀配置以将喷嘴与周遭(ambient，周围环境)隔离。本公开另一实施例提供极紫外线光刻工具(EVUL)，包括极紫外线辐射源、曝光装置、及激光源。极紫外线辐射源包括真空腔室、液滴产生器、激光生成等离子体聚光器及液滴捕集器。液滴产生器位于真空腔室的第一侧边，配置以产生标靶液滴。激光生成等离子体聚光器位于真空腔室的相邻第一侧边的第二侧边，且配置以收集、聚焦、及导引极紫外线辐射朝向曝光装置。液滴捕集器位于相对于液滴产生器的真空腔室的第三侧边。液滴产生器包括熔化的金属的贮槽、喷嘴、进气口及隔离阀。喷嘴具有连接至贮槽的第一末端及相对的第二末端，此相对的第二末端为熔化的金属从喷嘴排出之处。进气口连接至喷嘴。隔离阀位于喷嘴的第二末端，且配置以将液滴产生器与真空腔室隔离。本公开又一实施例提供维护极紫外线光刻工具的方法，包括提供极紫外线光刻成像工具。提供极紫外线光刻成像工具包括极紫外线辐射源。极紫外线辐射源包括容纳真空环境的真空腔室。液滴产生器位于真空腔室的第一侧边，配置以产生融化的金属的液滴。液滴产生器包括熔化的金属的贮槽及喷嘴。喷嘴具有连接至贮槽的第一末端及相对的第二末端，此相对的第二末端为熔化的金属从喷嘴排出之处。位于喷嘴的第二末端的隔离阀配置以将液滴产生器与真空腔室隔离。维护极紫外线光刻工具的方法包括关闭隔离阀，以将喷嘴与真空腔室的环境隔离。增加在真空腔室中的压力，使其不再是真空环境，且真空腔室被开启。对真空腔室中的一或多个元件施行保养。恢复真空腔室中的真空环境，且隔离阀被开启，从而将喷嘴暴露至真空腔室的环境。附图说明根据以下的详细说明并配合附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。图1示出根据本公开一些实施例的极紫外线光刻工具。图2示出根据本公开一些实施例的极紫外线光刻工具的细节的示意图。图3示出根据本公开一些实施例的液滴产生器的示意图。图4示出根据本公开一些实施例的液滴产生器的详细视图。图5示出根据本公开一些实施例的液滴产生器喷嘴的详细视图。图6示出根据本公开一些实施例的液滴产生器喷嘴的视图。图7示出根据本公开一些实施例的维护极紫外线成像光刻的方法的流程图。符号说明100极紫外线辐射源(极紫外线光源)105腔室(真空腔室)110聚光器(激光生成等离子体聚光器、聚光镜)115液滴产生器(标靶滴液产生器)120喷嘴(液滴产生器喷嘴)125液滴捕集器130第一缓冲气体供应器135第二缓冲气体供应器140出气口145流体(熔化的金属、熔化的锡、熔化的标靶材料)150贮槽155流孔160可电驱动元件165信号产生器170压力感应器175惰性气体入口(惰性气体线路、入口)180控制器185隔离阀190外覆体195喷嘴尖部200曝光装置210基板300激发激光源310激光源(激光产生器)320激光导引光学元件330聚焦设备400方法410、420、430、440、450、460、470、480操作505加热元件510不断电系统515电力分配单元205a、205b、205c、205d、205e光学元件BF底层地板DP标靶液滴(液滴)DP1、DP2液滴DR1、DR2阻尼器EUV极紫外线辐射EUVLR极紫外线光辐射器LR1激光光LR2激发激光(激光脉冲、激光光)MF主地板P压力PP1、PP2基座板ZE激发区域具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，元件的尺寸不被限于本公开的范围或数值，但可取决于工艺状态和/或装置的期望的性质。再者，若是本公开说明书叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。为了清楚及简化的缘故，不同的特征可被任意的按相异的比例绘制。此外，其与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。再者，此用词“由…制成”可指“包括”或“由…组成”。本公开大体上涉及极紫外线(extremeultraviolet，EUV)光刻系统及方法。更具体地说，涉及极紫外线光刻(extremeultravioletlithography，EUVL)工具及维护此工具的方法。在极紫外线光刻工具中，激光生成等离子体(laser-producedplasma，LPP)产生用来将涂覆光刻胶的基板成像的极紫外线辐射。在极紫外线光刻工具中，激发激光在激光生成等离子体腔室中加热金属(例如锡、锂等)标靶滴液，以离子化滴液为发射极紫外线辐射的等离子体。为了极紫外线辐射的可再生的生成，抵达焦点(在此亦被称为“激发区域”)的标靶滴液必须实质上具有一样的尺寸，且当从激发激光来的激发脉冲抵达时，标靶滴液必须同时抵达激发区域。因此，以一致(或可预期的)速度从标靶滴液产生器行进至激发区域的标靶滴液的稳定生成，有助于激光生成等离子体极紫外线辐射源的效率及稳定性。在本公开的实施例中，标靶滴液重复地产生，且标靶滴液以一致的速度行进，且没有改变其尺寸或外形。图1是根据本公开的一些实施例建造的具有运用激光生成等离子体(laserproductionplasma，LPP)的极紫外线辐射源的极紫外线光刻工具的示意图。极紫外线光刻系统包括极紫外线辐射源100，以产生极紫外线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外线成像工具的液滴产生器，包括：熔化的金属的一贮槽；一喷嘴，具有连接至该贮槽的一第一末端及相对的一第二末端，且多个熔化的金属液滴经由该第二末端从该喷嘴排出；一进气口，连接至该喷嘴；以及一隔离阀，位于该喷嘴的该第二末端，配置以将该喷嘴与周遭隔离。

【技术特征摘要】
2017.11.15 US 62/586,679;2018.11.01 US 16/178,1571.一种极紫外线成像工具的液滴...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖韦志，张汉龙，刘柏村，陈立锐，郑博中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71