The invention discloses a deposition method of silicon nitride film, silicon nitride film and PERC battery. The deposition method includes placing the silicon substrate with alumina film deposited on the back side in the reaction device, using the first microwave source, the second microwave source, the third microwave source, the fourth microwave source, the fifth microwave source and the sixth microwave source to deposit the silicon nitride film. After the deposition process, the silicon nitride film is prepared on the alumina film. The silicon nitride film has both high total reflection and high compactness. The silicon nitride film prepared by the invention is mainly used as the back silicon nitride film of PERC battery. The method of the invention can reduce the thickness of the silicon nitride film to 75 nanometers or less without reducing the conversion efficiency of the PERC battery, thereby improving the productivity of the equipment and expanding the process window.
【技术实现步骤摘要】
氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池
本专利技术属于太阳能电池片领域,涉及一种氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池,尤其涉及一种具有高致密性的PERC电池背面氮化硅薄膜的沉积方法、由该沉积方法得到的氮化硅薄膜以及含有该氮化硅薄膜的PERC电池。
技术介绍
PERC电池(Passivated-EmitterandRearCell,钝化发射极背面接触电池)由于其制备工艺与当前工业化电池生产线有着高度兼容性,仅在原有的电池生产线上增加背面氧化铝/氮化硅沉积设备和激光消融设备,使得技术导入生产企业的成本大幅度降低,同时转换效率得到较大幅度的提升。常规PERC电池生产中采用平板式PECVD设备进行背面氧化铝/氮化硅钝化膜的沉积,由于该钝化膜中,氮化硅薄膜的致密性较差,较为疏松,导致在后续的烧结工艺中,容易被丝网印刷的铝浆料所腐蚀。当氮化硅薄膜的厚度低于110纳米时,沉积的氮化硅薄膜将会被大量腐蚀,从而影响了氮化硅薄膜的钝化效果,导致硅片的少子寿命降低,电池的转换效率下降。一般来说,当氮化硅薄膜的厚度小于90纳米时,该PERC电池的转换效率小于21%。因此,在目前PERC电池的生产中,背面氮化硅薄膜的厚度一般为110纳米以上,部分厂家甚至要求背面氮化硅薄膜的厚度达到195纳米。这限制了设备的产能,同时对工艺窗口要求较高。当设备中的微波分布、气体氛围发生变化时,将有可能导致部分硅片的氮化硅膜厚低于90纳米,此时该部分硅片的电池效率将发生大幅度的下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种具有高致密性的氮化硅薄膜的沉积方法 ...
【技术保护点】
1.一种氮化硅薄膜的沉积方法,所述氮化硅薄膜为用于PERC电池的背面氮化硅薄膜,所述沉积方法包括以下步骤:将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于反应装置中,控制压力为0.15mbar~0.30mbar,温度为300℃~400℃,传送速度为180cm/min~240cm/min,先后采用第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源进行氮化硅薄膜的沉积,各微波源均设有左微波发生器和右微波发生器,各微波源的工艺参数设置如下:采用第一微波源时,左微波功率为3200W~4200W,右微波功率为3200W~4200W,通入硅烷的流量为250sccm~300sccm,通入氨气的速率为850sccm~950sccm;采用第二微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为225sccm~275sccm,通入氨气的速率为825sccm~925sccm;采用第三微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为175sccm~275sccm,通入氨气的速率为800sccm~900sccm ...
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅薄膜的沉积方法,所述氮化硅薄膜为用于PERC电池的背面氮化硅薄膜,所述沉积方法包括以下步骤:将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于反应装置中,控制压力为0.15mbar~0.30mbar,温度为300℃~400℃,传送速度为180cm/min~240cm/min,先后采用第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源进行氮化硅薄膜的沉积,各微波源均设有左微波发生器和右微波发生器,各微波源的工艺参数设置如下:采用第一微波源时,左微波功率为3200W~4200W,右微波功率为3200W~4200W,通入硅烷的流量为250sccm~300sccm,通入氨气的速率为850sccm~950sccm;采用第二微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为225sccm~275sccm,通入氨气的速率为825sccm~925sccm;采用第三微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为175sccm~275sccm,通入氨气的速率为800sccm~900sccm;采用第四微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为150sccm~250sccm,通入氨气的速率为800sccm~900sccm;采用第五微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为150sccm~250sccm,通入氨气的速率为800sccm~900sccm;采用第六微波源时,左微波功率为3000W~4000W,右微波功率为3000W~4000W,通入硅烷的流量为175sccm~275sccm,通入氨气的速率为825scc...
【专利技术属性】
技术研发人员:许烁烁,舒勇东,刘良玉,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十八研究所,
类型:发明
国别省市:湖南,43
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。