薄膜晶体管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板和显示面板。其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线；多条源极信号线；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。

Thin Film Transistor Array Substrate and Display Device

The application provides a thin film transistor array substrate and a display panel. The thin film transistor array substrate includes: a plurality of gate signal lines; a plurality of source signal lines; a plurality of grid lines, which include the first gate line in the first plane, the second gate line in the second plane, the first gate line through hole connecting the first gate line and the second gate line, and the first gate signal line connecting the first gate line. And the second gate path through hole of the first gate path; a plurality of source paths comprising the first source path in the first plane, the second source path in the second plane, the first source path through hole connecting the first source path and the second source path, and the second source path connecting the source signal line and the first source path. Line through hole.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及显示装置
本申请涉及电子显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
技术介绍
近年来,随着智能终端的发展，用户对电子显示设备的外形有了更高的要求。具有窄边框、高屏占比的显示屏、移动智能设备更被用户所青睐。屏占比是最早用于手机上的一个概念，用于表示屏幕和移动设备前面板面积的相对比值，它是移动设备外观设计上比较容易获得视觉好感的参数。对于液晶显示器，为了实现显示功能，需要从显示面板进行连接走线，使控制电路与显示屏内的薄膜晶体管层相连，实现显示控制。通常，连接走线位于显示面板的显示区域外侧的非显示区域中。目前，大部分的显示设备中，连接走线所占据的区域通常为显示面板面积的5％～10％左右，难以进一步缩减，导致移动设备的屏占比无法进一步缩小，达到用户对“全面屏”的要求。因此，有必要减小显示面板上连接走线所占据的区域面积，以便进一步提高显示设备的屏占比。
技术实现思路
本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板，以解决目前显示面板的屏占比无法进一步减小的技术问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：一种薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线，所述栅极信号线位于第一平面内，且彼此平行设置；多条源极信号线，所述源极信号线位于第二平面内，且彼此平行设置，所述源极信号线与所述栅极信号线垂直；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。根据本申请的其中一个方面，所述第一栅极走线与所述源极信号线平行设置，且与所述源极信号线电绝缘；所述第二栅极走线与所述栅极信号线平行设置，且与所述栅极信号线电绝缘。根据本申请的其中一个方面，所述第一源极走线与所述源极信号线平行设置，且与所述源极信号线电绝缘；所述第二源极走线与所述栅极信号线平行设置，且与所述栅极信号线电绝缘。根据本申请的其中一个方面，所述第一栅极走线通孔彼此之间电绝缘，且贯穿位于所述第一栅极走线和第二栅极走线之间的绝缘层，实现第一栅极走线和第二栅极走线之间的电连接，形成栅极走线。根据本申请的其中一个方面，所述第一源极走线通孔彼此之间电绝缘，且贯穿位于所述第一源极走线和第二源极走线之间的绝缘层，实现第一源极走线和第二源极走线之间的电连接。根据本申请的其中一个方面，所述第二栅极走线通孔彼此之间电绝缘，且贯穿位于所述第一栅极走线和栅极信号线之间的绝缘层，实现第一栅极走线和栅极信号线之间的电连接。根据本申请的其中一个方面，所述第二源极走线通孔彼此之间电绝缘，且贯穿位于所述第一源极走线和源极信号线之间的绝缘层，实现第一源极走线和源极信号线之间的电连接。根据本申请的其中一个方面，所述薄膜晶体管阵列基板还包括绑定区和接地走线，其中，所述多条栅极走线的一端与栅极信号线相连，另一端延伸至所述绑定区中；所述多条源极走线的一端与源极信号线相连，另一端延伸至所述绑定区中；所述接地走线从所述薄膜晶体管阵列基板的基极引出，并沿所述薄膜晶体管阵列基板的边缘延伸至所述绑定区。根据本申请的其中一个方面，所述源极信号线的数目与所述源极走线的数目相等；所述栅极信号线的数目与所述栅极走线的数目相等。相应的，本申请还提供了一种显示面板，其中，所述显示面板包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线，所述栅极信号线位于第一平面内，且彼此平行设置；多条源极信号线，所述源极信号线位于第二平面内，且彼此平行设置，所述源极信号线与所述栅极信号线垂直；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。本申请利用现有的栅极数据线和源极数据线的布线格局，将栅极走线和源极走线分别设置在多条栅极数据线之间和多条源极数据线之间，从而将位于显示面板边缘的非显示区中的栅极走线和源极走线设置在显示区内，减小了非显示区的面积，大幅度提高了显示面板的屏占比。附图说明图1为本申请具体实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中的一个晶体管的结构示意图；图2为现有技术中的显示面板的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图3为本申请具体实施方式中的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。首先对现有技术进行简要说明。参见图2，图2为现有技术中的显示面板的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。现有技术中，薄膜晶体管阵列的栅极数据线彼此平行，并从两端引出，分别与位于显示面板非显示区的栅极走线相连。所述薄膜晶体管阵列的源极数据线彼此平行，且与所述栅极数据线垂直，并从两端引出，分别与位于显示面板非显示区的源极走线相连。由于栅极走线和源极走线均分布于薄膜晶体管阵列基板的非显示区，从而使得非显示区的面积无法进一步减小，无法进一步提高屏占比。因此，本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板，以解决目前显示面板的屏占比无法进一步减小的技术问题。参见图3，本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线250，多条源极信号线260，多条栅极走线以及多条源极走线。下面将结合附图对本申请进行详细说明。参见图1和图3，图1为本申请具体实施方式中的薄膜晶体管阵列基板中的一个晶体管的结构示意图，图3为本申请具体实施方式中的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。如图1所示，所述薄膜晶体管阵列基板从下到上依次包括：基板100、缓冲层110、有源区130、层间介质层150、第一绝缘层170、第二绝缘层190。其中，源极120b、栅极120a和漏极130c位于有源区130中，源极120b通过源极通孔以及位于所述源极通孔中的金属插塞180连接至源极信号线260，栅极120a通过栅极通孔以及位于所述栅极通孔中的金属插塞140连接至栅极信号线250。其中，栅极信号线250位于第一平面中，具体的，所述第一平面为位于层间介质层上方的第一绝缘层170，所述第二平面为位于所述第一绝缘层170上方的第二绝缘层190。所述栅极信号线150位于第一平面(即第一绝缘层170)内，且彼此平行设置；所述源极信号线160位于第二平面(即第二绝缘层190)内，且彼此平行设置。所述源极信号线160与所述栅极信号线150垂直。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线，所述栅极信号线位于第一平面内，且彼此平行设置；多条源极信号线，所述源极信号线位于第二平面内，且彼此平行设置，所述源极信号线与所述栅极信号线垂直；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线，所述栅极信号线位于第一平面内，且彼此平行设置；多条源极信号线，所述源极信号线位于第二平面内，且彼此平行设置，所述源极信号线与所述栅极信号线垂直；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一栅极走线与所述栅极信号线平行设置，且与所述栅极信号线电绝缘；所述第二栅极走线与所述源极信号线平行设置，且与所述源极信号线电绝缘。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一源极走线与所述栅极信号线平行设置，且与所述栅极信号线电绝缘；所述第二源极走线与所述源极信号线平行设置，且与所述源极信号线电绝缘。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一栅极走线通孔彼此之间电绝缘，且贯穿位于所述第一栅极走线和第二栅极走线之间的绝缘层，实现第一栅极走线和第二栅极走线之间的电连接，形成栅极走线。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一源极走线通孔彼此之间电绝缘，且贯穿位于所述第一源极走线和第二源极走线之间的绝缘层，实现第一源极走线和第二源极走线之间的电连接。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯校亮，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42