The invention discloses an eutectic effect detection method for flip eutectic LED. The detection method has the advantages of simple process, low cost, good effect, fast and high efficiency. Due to the high threshold of flip-chip technology, SMEs do not have the economic strength to support this research and development work, which seriously hinders the promotion of flip-chip eutectic LED. After adopting the method of the invention, small and medium-sized enterprises and research institutes can determine standard flip eutectic LED through a test. The eutectic effect of other flip eutectic LED can be understood only by comparing the heat dissipation effect (i.e. the temperature difference between chip and substrate), which greatly promotes the development of high-power flip eutectic LED technology.
【技术实现步骤摘要】
一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法
本专利技术涉及LED共晶效果检测
,具体涉及一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法。
技术介绍
高功率发光二极管(LED)封装日渐成为封装领域的一个趋势,然而高功率必然伴随着高热量,为了提高光源的品质,延长光源寿命,必须把光源中芯片产生的热量散去,尽可能降低结温。所以,在散热材料一定,制程工艺相同的情况下,提高芯片散热能力就成了该领域必须克服的难题。为了提高光源散热能力,人们提出了倒装LED的概念,通过共晶技术使光源芯片产生的热量及时散去,因而工艺要求倒装芯片与基板实现无气泡融合,但是倒装技术难度大,工艺不成熟。共晶之后的光源通常需要做X-ray探伤检测或超声波探伤检测,以确定共晶效果,对中小企业来讲,这既增加了成本,又降低了企业生产效率,严重阻碍高功率LED技术的推广和LED行业的发展壮大。
技术实现思路
为了克服这一行业难题,本专利技术提供了一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法,所述方法是根据在相同的热导率材料和相同的封装工艺条件下、不同的散热横截面积导致在相同时间内传递热量的不同,造成倒装共晶LED中芯片上累积的热量的差异,通过测试倒装共晶LED中芯片和基板的温差来实现倒装共晶LED的共晶效果的评估,所述方法具有快速、高效、成本低廉、操作简单等优势。本专利技术采用如下技术方案:一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法,包括如下步骤:额定功率下,测试标准倒装共晶LED中芯片和基板的温差ΔT标;同样条件下,测试待测倒装共晶LED中芯片和基板的温差ΔT样;对比ΔT样和ΔT标,判断待测倒装共晶LED的共晶效果。根据本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法,其特征在于,包括如下步骤:额定功率下,测试标准倒装共晶LED中芯片和基板的温差ΔT标;同样条件下,测试待测倒装共晶LED中芯片和基板的温差ΔT样;对比ΔT样和ΔT标,判断待测倒装共晶LED的共晶效果。
【技术特征摘要】
1.一种倒装共晶LED的共晶效果检测方法,其特征在于,包括如下步骤:额定功率下,测试标准倒装共晶LED中芯片和基板的温差ΔT标;同样条件下,测试待测倒装共晶LED中芯片和基板的温差ΔT样;对比ΔT样和ΔT标,判断待测倒装共晶LED的共晶效果。2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述“额定功率”是指通入倒装共晶LED的芯片所允许通过的额定电压和额定电流,从而达到所述倒装共晶LED的额定功率。3.根据权利要求1或2所述的检测方法,其特征在于,所述标准倒装共晶LED和待测倒装共晶LED都是经过共晶固化后的倒装LED。优选地,所述标准倒装共晶LED和待测倒装共晶LED优选为标准倒装共晶LED光源和待测倒装共晶LED光源。4.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述标准倒装共晶LED和待测倒装共晶LED采用相同的工艺制备得到。优选地,所述制备工艺包括如下步骤:将LED芯片用焊料粘附在基板上,经高温回流,制备得到共晶固化的倒装共晶LED。优选地,所述标准倒装共晶LED的芯片和待测倒装共晶LED的芯片的几何尺寸相同,光电参数相同或相近。5.根据权利要求1-4中任一项所述的检测方法,其特征在于,通过下述方法确定标准倒装共晶LED:将制备的倒装共晶LED进行X-ray探伤检测或超声波探伤检测,选择倒装共晶LED中芯片和基板之间的共晶界面无气泡的倒装共晶LED作为标准倒装共晶LED。6.根据权利要求1-5中任一项所述的检测方法,其特征在于,所述的芯片和基板的温差使用测热仪器进行温差测试,例如选用红外热成像仪或红外测温仪进行温差测试。优选地,待倒装共晶LED中芯片和基板的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张卫峰,黄集权,刘著光,邓种华,郭旺,黄秋凤,陈剑,
申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所,
类型:发明
国别省市:福建,35
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