【技术实现步骤摘要】
一种温度检测电路及方法
本专利技术涉及温度检测保护电路及保护方法,具体涉及一种温度检测电路及方法。
技术介绍
温度检测电路多用于电池充放电过程中的温度保护,在温度高于或低于一定值时,输出检测信号关断电池的充放电功能。常用的温度检测方法有采用热敏电阻和三极管导通电压来感应芯片温度的变化。实际应用中,对于电池的保护除了在高低温时断开充放电过程外,还要有阈值温度来恢复充放电功能,即需要在温度恢复到一定安全温度范围内再取消电池的温度保护。一般的温度检测只能对设定的温度点进行检测,无法实现温度检测阈值调整的功能,而且可能在检测温度附近产生输出振荡。而采用滞回比较器虽然可以消除振荡,但是难以对阈值温度进行调控。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题,本专利技术目的在于提供一种温度检测电路及方法。本专利技术实现了多档位的温度检测,同时能根据检测结果对检测温度进行实时调整,实现报警解除功能。本专利技术所述的一种温度检测电路及方法,包括分压电路、第一选通电路、阈值调整电路、比较器、锁存器、检测电压生成电路和第二选通电路;所述的分压电路包括若干个输出端,所述的分压电路的输出端连接第一选通电路的输入端,所述的第一选通电路的输出端连接阈值调整电路的输入端用于输出参考电压;所述的阈值调整电路的输出端连接比较器的第一输入端,所述的阈值调整电路含有用于调整参考电压数值的参考电压调整回路,所述的第二选通电路用于控制参考电压调整回路;所述的比较器的第二输入端连接检测电压生成电路,所述的比较器的输出端连接锁存器的输入端,所述的锁存器的输出端连接第二选通电路的输入端。优选地,所述的分压电路 ...
【技术保护点】
1.一种温度检测电路,其特征在于,包括分压电路(1)、第一选通电路(2)、阈值调整电路(3)、比较器(4)、锁存器(5)、检测电压生成电路和第二选通电路(6);所述的分压电路(1)包括若干个输出端,所述的分压电路(1)的输出端连接第一选通电路(2)的输入端,所述的第一选通电路(2)的输出端连接阈值调整电路(3)的输入端用于输出参考电压;所述的阈值调整电路(3)的输出端连接比较器(4)的第一输入端,所述的阈值调整电路(3)含有用于调整参考电压数值的参考电压调整回路,所述的第二选通电路(6)用于控制参考电压调整回路;所述的比较器(4)的第二输入端连接检测电压生成电路,所述的比较器(4)的输出端连接锁存器(5)的输入端,所述的锁存器(5)的输出端连接第二选通电路(6)的输入端。
【技术特征摘要】
1.一种温度检测电路,其特征在于,包括分压电路(1)、第一选通电路(2)、阈值调整电路(3)、比较器(4)、锁存器(5)、检测电压生成电路和第二选通电路(6);所述的分压电路(1)包括若干个输出端,所述的分压电路(1)的输出端连接第一选通电路(2)的输入端,所述的第一选通电路(2)的输出端连接阈值调整电路(3)的输入端用于输出参考电压;所述的阈值调整电路(3)的输出端连接比较器(4)的第一输入端,所述的阈值调整电路(3)含有用于调整参考电压数值的参考电压调整回路,所述的第二选通电路(6)用于控制参考电压调整回路;所述的比较器(4)的第二输入端连接检测电压生成电路,所述的比较器(4)的输出端连接锁存器(5)的输入端,所述的锁存器(5)的输出端连接第二选通电路(6)的输入端。2.根据权利要求1所述一种温度检测电路,其特征在于,所述的分压电路(1)包括n个串接的分压电阻,还包括用于控制分压电路(1)开启的第七场P型效应管PM7,所述的第七P型场效应管PM7的漏极连接分压电阻,在栅极处输入使能信号。3.根据权利要求2所述一种温度检测电路,其特征在于,所述的第一选通电路(2)包括n-1个选通器,在每两个相邻的分压电阻之间接入一个选通器,n-1个所述的选通器并接后输出参考电压,所述的选通器设有启动端,在所述的启动端输入控制该选通器启动的Sel信号。4.根据权利要求3所述一种温度检测电路,其特征在于,所述的阈值调整电路(3)包括参考电压调整回路和第六电阻,所述的阈值调整电路(3)的输入端连接第六电阻R6后连接阈值调整电路(3)的输出端;所述的参考电压调整回路包括电流源I1、第一N型场效应管NM1、第二N型场效应管NM2、第三N型场效应管NM3、第四N型场效应管NM4、第五N型场效应管NM5、第六N型场效应管NM6、第七N型场效应管NM7、第一P型场效应管PM1、第二P型场效应管PM2、第三P型场效应管PM3、第四P型场效应管PM4、第五P型场效应管PM5和第六P型场效应管PM6;所述的电流源I1连接第一P型场效应管PM1的漏极,所述的第一P型场效应管PM1的源极连接第一N型场效应管NM1的漏极,在所述的第一P型场效应管PM1的栅极输入使能信号;所述的第一N型场效应管NM1、第二N型场效应管NM2、第五N型场效应管NM5和第六N型场效应管NM6为共源共栅结构,所述的第七N型场效应管NM7的漏极连接第一N型场效应管NM1的栅极,所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈志坚,陈鸿,郑彦祺,黄沫,李斌,周绍林,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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