电致发光显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种电致发光显示装置，其包括：基板，包括发射区域和非发射区域；设置在基板的发射区域上方的多个突起，所述多个突起彼此间隔开；多个突起之间的气隙；多个突起和气隙上的高粘度材料层；设置在高粘度材料层上的第一电极；第一电极上的发射层；以及发射层上的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月27日提交于韩国的韩国专利申请第10-2017-0124973号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及一种电致发光显示装置，并且更具体地，涉及一种能够提高光提取效率的电致发光显示装置。
技术介绍
平板显示器已被广泛开发并应用于各种领域。在平板显示器中，电致发光显示装置是如下装置：在该装置中，电荷被注入到形成在作为电子注入电极的阴极与作为空穴注入电极的阳极之间的发射层中，使得通过电子和空穴形成激子。发生激子的辐射复合(radiativerecombination)，从而发射光。这种电致发光显示装置的优点在于，不仅甚至在柔性基板(诸如塑料)上也能够成形，而且由于是自发光型而具有大的对比度，这种电致发光显示装置由于具有约几微秒(μs)的响应时间而能够容易地实现动态图像，并且这种电致发光显示装置对视角没有限制，甚至在低温下也是稳定的，并且能够在相对低的DC5V至15V的电压下被驱动，从而易于制造和设计驱动电路。图1是常规的电致发光显示装置的示意性截面图。如图1所示，电致发光显示装置1包括基板10、设置在基板10上的薄膜晶体管Tr、设置在基板10上方且连接至薄膜晶体管Tr的发光二极管D、以及设置在发光二极管D下方的滤色器图案50。在发光二极管D上方可以设置有封装层(未示出)。发光二极管D包括第一电极41、发射层42和第二电极43，其中来自发射层42的光穿过第一电极41被输出到外部。从发射层42发射的光穿过电致发光显示装置1的各种结构，并且离开电致发光显示装置1。然而，在金属与发射层42之间的边界处所生成的表面等离子体部分和由在两侧插入到反射层中的发射层42所配置的光波导模式占了所发射的光的约60％至70％。因此，在从发射层42发射的光中，存在着被陷获在电致发光显示装置1中而不是离开电致发光显示装置1的光线。因此，存在着电致发光显示装置1的光提取效率(外耦合效率)降低的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题的电致发光显示装置。本专利技术的另外的特征和优点将在下面的描述中阐明，并且部分地将根据描述变得明显，或者可以通过本专利技术的实践来获知这些特征和优点。本专利技术的目的和其他优点将通过在书面描述和其权利要求以及附图中所具体指出的结构来实现和获得。实施方式涉及一种电致发光显示装置，其包括：基板，包括发射区域和非发射区域；设置在基板的发射区域上方的多个突起，所述多个突起彼此间隔开；多个突起之间的气隙；多个突起和气隙上的高粘度材料层；设置在高粘度材料层上的第一电极；第一电极上的发射层；以及发射层上的第二电极。应该理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是示例且是说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步解释。附图说明附图示出了本专利技术的实施方式并且连同说明书一起用于说明本专利技术的原理，附图被包括以提供本专利技术的进一步的理解，并且被合并在该说明书中且构成该说明书的一部分。图1是示出常规的电致发光显示装置的示意性截面图。图2是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的单个子像素区域的电路图。图3是示出根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。图4是示出根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的外涂层和发光二极管的示意性放大图。图5是从根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的凹陷部分区域观察到黑色区域的图片。图6是示出根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。图7是示出根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的发射区域的示意性平面图。图8是沿图7的线A-A'截取的截面图。图9A是根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置中的突起的示意性放大截面图。图9B是示出根据图9A的d1/d2的比率的所提取的光的量的曲线图。图9C是示出根据图9A的d1/d2的比率的所提取的光的量的表。图10是示出根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的光学路径的示意图。图11是示出根据本公开的第三实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。图12是示出根据本公开的第三实施方式的电致发光显示装置的发射区域的示意性平面图。图13是沿着图12的线B-B'截取的截面图。图14是示出根据本公开的第三实施方式的电致发光显示装置的光学路径的示意图。图15是示出在根据本公开的第三实施方式的电致发光显示装置的突起上设置的突出部分的位置变化的示意图。图16A至图16D是示出根据以下位置变化的光学路径的示意图：在根据本公开的第三实施方式的电致发光显示装置的突起上设置的突出部分的位置变化。具体实施方式在下文中，将参考附图描述本公开的示例性实施方式。<第一实施方式>图2是示出根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的单个子像素区域的电路图。如图2所示，根据本公开的实施方式的电致发光显示装置包括彼此交叉并且限定子像素区域SP的栅极线GL和数据线DL，其中在每个子像素区域SP中形成有开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管D。更具体地，开关薄膜晶体管Ts的栅电极连接至栅极线GL，并且源电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅电极连接至开关薄膜晶体管Ts的漏电极，并且漏电极连接至高电势电压VDD。发光二极管D的阳极连接至驱动薄膜晶体管Td的源电极，并且阴极连接至低电势电压VSS。存储电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和源电极。在这种电致发光显示装置的图像显示操作中，开关薄膜晶体管Ts根据通过栅极线GL施加的栅极信号而被导通，并且在这种情况下，施加至数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts被施加至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极。驱动薄膜晶体管Td根据数据信号而被导通，并且控制在发光二极管D中流动的电流以显示图像。发光二极管D由于通过驱动薄膜晶体管Td传输的高电势电压VDD的电流而发射光。也就是说，由于发光二极管D中流动的电流的量与数据信号的幅度成比例，并且由发光二极管D发射的光的强度与发光二极管D中流动的电流的量成比例，所以子像素区域SP显示依据数据信号的幅度而不同的灰度，因此，电致发光显示装置显示图像。存储电容器Cst用于在一帧期间内保持与数据信号对应的电荷，以使得在发光二极管D中流动的电流的量恒定，并且保持发光二极管D显示的灰度恒定。还可以在子像素区域SP中添加除了开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管Td以及存储电容器Cst之外的晶体管和/或电容器。图3是示出根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图，并且图4是示出根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的外涂层和发光二极管的示意性放大图。如图3所示，根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置100包括基板110、薄膜晶体管120、外涂层160和电连接至薄膜晶体管120的发光二极管D。根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置100被示出为底部发射型，其中，来自发射层142的光穿过第一电极141输出到外部，但是实施方式不限于此。也就是说，根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置100也可以是顶部发射型，其中来自发射层142的光穿过第二电极143输出到外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光显示装置，包括：基板，其包括发射区域和非发射区域；设置在所述基板的所述发射区域上方的多个突起，所述多个突起彼此间隔开；在所述多个突起之间的气隙；在所述多个突起和所述气隙上的高粘度材料层；设置在所述高粘度材料层上的第一电极；在所述第一电极上的发射层；以及在所述发射层上的第二电极。

【技术特征摘要】
2017.09.27 KR 10-2017-01249731.一种电致发光显示装置，包括：基板，其包括发射区域和非发射区域；设置在所述基板的所述发射区域上方的多个突起，所述多个突起彼此间隔开；在所述多个突起之间的气隙；在所述多个突起和所述气隙上的高粘度材料层；设置在所述高粘度材料层上的第一电极；在所述第一电极上的发射层；以及在所述发射层上的第二电极。2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：外涂层，其设置在所述高粘度材料层与所述第一电极之间，并且包括在所述发射区域上方的多个突出部分和凹陷部分。3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述多个突起中的每个突起包括设置在所述高粘度材料层内的第一部分、与所述气隙接触的第二部分、以及作为所述第一部分与所述第二部分之间的边界表面的第一表面，以及其中，相邻突起的第一表面之间的距离小于第一表面的长度。4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中，所述第一表面的长度与相邻突起的第一表面之间的距离的比率在1.1至2.9的范围内。5.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中，所述第二部分包括设置在所述第一表面和所述基板之间的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔墉辉，具沅会，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR