包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜及其制造方法，该包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜是能够应用于触摸传感器的透明导电性粘接剂膜。本发明专利技术的透明导电性粘接剂膜制造方法包括：在基材上形成分离层的步骤；在分离层上形成包含金属纳米线的导电性图案部的步骤；及将包含金属纳米线的导电性图案部转印至具有粘接力的透明介电体层的至少一面的步骤。根据本发明专利技术，通过将曾经用作触摸传感器的透明电极材料的ITO替换为金属纳米线，从而能够克服资源上的限制，能够在抑制电阻增加的同时大面积化，提高薄膜特性及柔性特性，并且由于简化制造工序，因而能够减少制造费用和制造时间，提高制品收率。

【技术实现步骤摘要】
包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜及其制造方法
本专利技术涉及包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜及其制造方法。更具体而言，本专利技术涉及如下包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜及其制造方法，即该包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜通过将曾经用作触摸传感器的透明电极材料的氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)替换为金属纳米线，从而能够克服资源上的限制，能够在抑制电阻增加的同时大面积化，提高薄膜特性及柔性特性，并且通过简化制造工序，从而能够得以减少制造费用和制造时间，提高制品收率。
技术介绍
为了操作计算机系统，利用着多种多样的输入装置。比如，利用按钮(button)、键盘(key)、操作杆(joystick)以及触摸屏之类的输入装置。由于触摸传感器的操作简单方便，因而在操作计算机系统时触摸传感器的应用正在增加。触摸传感器可以构成触摸输入装置的触摸表面，该触摸输入装置包含具备触摸-感应表面(touch-sensitivesurface)的可以为透明面板的触摸传感器面板(touchsensorpanel)。这样的触摸传感器面板附着于显示屏的前面，因而触摸-感应表面可以覆盖显示屏的可看到的一面。使用者通过用手指等来触摸触摸屏，从而使得使用者能够操作计算机系统。一般而言，计算机系统通过识别触摸屏上的触摸及触摸位置，且分析这样的触摸，由此能够执行演算。近年来，触摸传感器技术脱离了单纯的二维坐标识别，发展出了识别触摸按压力水平的所谓力度(Force)触摸传感器。但是，根据现有技术，由于主要使用ITO(氧化铟锡)作为触摸传感器的透明电极材料，因此存在以下问题：从资源方面考虑存在局限，且因电阻增加而难以实现触摸传感器的大面积化，薄膜特性以及柔性特性降低。此外，根据现有技术，还存在与ITO透明电极形成等相关的制造工序复杂从而制造费用及制造时间增加，制品收率下降的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国注册专利公报第10-1482780号(注册日期：2015年01月08日，名称：电导性纳米线膜制造方法及包含由上述制造方法制造的电导性纳米线膜的触摸面板)
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的技术课题在于，提供一种能够应用于触摸传感器的透明导电性粘接剂膜及其制造方法，该透明导电性粘接剂膜通过将曾经用作触摸传感器的透明电极材料的ITO(氧化铟锡)替换为金属纳米线，从而能够克服资源上的限制，且能够在抑制电阻增加的同时大面积化，提高薄膜特性及柔性特性。此外，本专利技术的技术课题在于，提供一种能够应用于触摸传感器的透明导电性粘接剂膜及其制造方法，该透明导电性粘接剂膜通过简化制造工序，从而能够得以减少制造费用和制造时间，提高制品收率。解决课题的方法用于解决这样的技术课题的本专利技术的透明导电性粘接剂膜制造方法包括：在基材上形成分离层的分离层形成步骤；在上述分离层上形成包含金属纳米线的导电性图案部的导电性图案部形成步骤；及将包含上述金属纳米线的导电性图案部转印至具有粘接力的透明介电体层的至少一面的导电性图案部转印步骤。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，进一步包括将上述基材剥离而分离的基材分离步骤。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层为光学透明粘合剂(OpticallyClearAdhesive，OCA)。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层的模量为0.10～5MPa。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层的厚度恢复力为90～100％/sec。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层在-40～+80度的温度范围具有0.10～5MPa的模量。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层在-40～+80度的温度范围具有90～100％/sec的厚度恢复力。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层的厚度为10～150um。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述透明介电体层的介电常数为1～15。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述金属纳米线包含银(Ag)或铜(Cu)。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述金属纳米线的直径为1～100nm。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述金属纳米线的长度为1～100um。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的制造方法的特征在于，上述导电性图案部与上述分离层间的结合力大于上述基材与上述分离层间的结合力。本专利技术的透明导电性粘接剂膜包含具有粘接力的透明介电体层和粘接于上述透明介电体层的两面中的至少一面的包含金属纳米线的导电性图案部。本专利技术的透明导电性粘接剂膜的特征在于，上述透明介电体层为光学透明粘合剂(OpticallyClearAdhesive，OCA)。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，进一步包含形成于上述透明介电体层和上述导电性图案部之间的分离层。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，在上述透明介电体层的两面中，第一面形成有第一基材。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，在上述透明介电体层的两面中，作为上述第一面的相反面的第二面形成有第二基材。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述透明介电体层的模量为0.10～5MPa。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述透明介电体层的厚度恢复力为90～100％/sec。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述透明介电体层在-40～+80度的温度范围具有0.10～5MPa的模量。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述透明介电体层在-40～+80度的温度范围具有90～100％/sec的厚度恢复力。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述透明介电体层的厚度为10～150um。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述透明介电体层的介电常数为1～15。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述金属纳米线包含银(Ag)或铜(Cu)。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述金属纳米线的直径为1～100nm。本专利技术的透明导电性膜的特征在于，上述金属纳米线的长度为1～100um。专利技术效果根据本专利技术，具有提供能够应用于如下触摸传感器的透明导电性粘接剂膜及其制造方法的效果：该触摸传感器通过将曾经用作触摸传感器的透明电极材料的ITO替换为金属纳米线，从而能够克服资源上的限制，且能够在抑制电阻增加的同时大面积化，提高薄膜特性及柔性特性。此外，具有提供能够应用于如下触摸传感器的透明导电性粘接剂膜及其制造方法的效果：该透明导电性粘接剂膜通过简化制造工序，从而能够得以减少制造费用和制造时间，提高制品收率。附图说明图1是本专利技术的一实施例的包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜的制造方法的工序顺序图。图2～图8是本专利技术的一实施例的包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜的制造方法的例示性的工序截面图。符号说明11：第一基材12：第二基材21：第一分离层22：第二分离层31：第一导电性图案部32：第二导电性图案部40：透明介电体层S10：分离层形成步骤S20：导电性图案部形成步骤S30：导电性图案部转印步骤S40：基材分离步骤具体实施方式对于本说明书中所记载的根据本专利技术的概念的实施例，特定的结构性或功能性说明仅是为了用于说明根据本专利技术的概念的实施例而例示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明导电性粘接剂膜的制造方法，其包括：在基材上形成分离层的分离层形成步骤；在所述分离层上形成包含金属纳米线的导电性图案部的导电性图案部形成步骤；及将所述包含金属纳米线的导电性图案部转印至具有粘接力的透明介电体层的至少一面的导电性图案部转印步骤。

【技术特征摘要】
2017.09.26 KR 10-2017-01239791.一种透明导电性粘接剂膜的制造方法，其包括：在基材上形成分离层的分离层形成步骤；在所述分离层上形成包含金属纳米线的导电性图案部的导电性图案部形成步骤；及将所述包含金属纳米线的导电性图案部转印至具有粘接力的透明介电体层的至少一面的导电性图案部转印步骤。2.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，进一步包括将所述基材剥离而分离的基材分离步骤。3.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层为光学透明粘合剂。4.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层的模量为0.10～5MPa。5.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层的厚度恢复力为90～100％/sec。6.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层的厚度为10～150um。7.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层的介电常数为1～15。8.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线包含银(Ag)或铜(Cu)。9.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线的直径为1～100nm。10.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线的长度为1～100um。11.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：琴同基，金浚河，卓光龙，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR