一种电荷泵稳压电路以及存储器制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种电荷泵稳压电路以及存储器，所述电荷泵稳压电路包括电荷泵，以及与电荷泵连接的存储单元，还包括：第一MOS管、第二MOS管、偏置电路；其中，第一MOS管串联在电荷泵、存储单元之间，在第一MOS管与存储单元之间存在第一支路，第二MOS管位于第一支路中，第二MOS管的栅极与偏置电路的输出端相连；偏置电路，用于在对所述存储单元进行操作的过程中，当存储单元的输入电压大于第一阈值时，将第二MOS管导通，以使输入电压通过第二MOS管的漏极放电。通过本发明专利技术实施例，实现了将由于寄生电容拉高的电压降低，避免了对存储单元的输入电压被干扰而无法使用，保证了输入电压VPPIN的稳定，使得对存储单元的读、写、擦等操作保持正常。

A Charge Pump Regulating Circuit and Memory

The embodiment of the present invention provides a charge pump voltage stabilization circuit and a memory. The charge pump voltage stabilization circuit includes a charge pump and a storage unit connected with the charge pump, and also includes a first MOS transistor, a second MOS transistor and a bias circuit. The first MOS transistor is in series between the charge pump and the storage unit, and there is a first branch between the first MOS transistor and the storage unit, and a second MOS transistor. In the first branch, the gate of the second MOS transistor is connected to the output end of the bias circuit; the bias circuit is used to turn on the second MOS transistor when the input voltage of the storage unit exceeds the first threshold in the operation of the storage unit, so that the input voltage can be discharged through the drain of the second MOS transistor. Through the embodiment of the present invention, the voltage due to the parasitic capacitance is reduced, the input voltage of the storage unit is avoided being disturbed and can not be used, the stability of the input voltage VPPIN is guaranteed, and the operation of reading, writing and erasing of the storage unit is maintained normal.

【技术实现步骤摘要】
一种电荷泵稳压电路以及存储器
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种电荷泵稳压电路，以及一种存储器。
技术介绍
目前，在对存储单元的读、写、擦等操作的过程中，可以采用NORFLASH，NORFlash是一种非易失闪存技术，应用NORFlash可以提升对存储单元的操作的效率，其可以分为Parallel(并行)NORFlash和SPI(串行)NORFlash。应用SPINORFLASH，在对存储单元进行操作的过程时，通常需要高压的电荷泵实现对存储单元的控制，电荷泵的输出电压可以设计成可根据输入参数调控的电压，从而为不同的芯片选择不同的电压。然而，电荷泵可能连接多个储存单元，多个存储单元的存在会形成较大的寄生电容，而较大的寄生电容会拉高电荷泵的输出电压，主流的电荷泵设计通常采用将拉高的电压回流至电荷泵中，但对于采用二极管分压接法的电荷泵，由于二极管只允许电流由单一方向通过，从而无法将拉高的电压回流至电荷泵中，导致对存储单元的输入电压不稳定，不稳定的输入电压会影响对存储单元的正常操作，如容易造成过写、过擦除等问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种电荷泵稳压电路以及存储器。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种电荷泵稳压电路，包括电荷泵，以及与所述电荷泵连接的存储单元，所述电路还包括：第一MOS管、第二MOS管、偏置电路；其中，所述第一MOS管串联在所述电荷泵、所述存储单元之间，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第一支路，所述第二MOS管位于所述第一支路中，所述第二MOS管的栅极与所述偏置电路的输出端相连；所述偏置电路，用于在对所述存储单元进行操作的过程中，当所述存储单元的输入电压大于第一阈值时，将所述第二MOS管导通，以使所述输入电压通过所述第二MOS管的漏极放电。优选地，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第二支路，所述电路还包括位于所述第二支路中的钳位电路，以及与所述钳位电路的输出端连接的第三MOS管；所述钳位电路，用于在对所述存储单元的操作完成时，将所述输入电压通过所述第三MOS管放电后，固定至第二阈值。优选地，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第三支路，所述电路还包括位于所述第三支路中的第四MOS管；所述第四MOS管，用于在所述输入电压固定至所述第二阈值时，将所述输入电压放电至第三阈值。优选地，所述第二支路与所述第一支路为同一支路，所述第三MOS管与所述第二MOS管并联。优选地，所述电路还包括第一使能信号输入端，所述第一使能信号输入端与所述电荷泵相连。优选地，所述电路还包括与所述第一使能信号输入端连接的反相器，与所述反相器连接的非门电路，以及串联在所述第一MOS管与所述存储单元之间的第五MOS管；其中，所述第五MOS管的源极与所述第一MOS管的栅极、漏极相连，所述第五MOS管的栅极与所述非门电路相连。优选地，所述第五MOS管P位于所述第三支路与第一MOS管之间，所述第三支路位于所述第五MOS管与所述第二支路之间，所述第三阈值为零。优选地，所述电路还包括第二使能信号输入端、第三使能信号输入端、第四使能信号输入端，所述第二使能信号输入端与所述偏置电路相连，所述第三使能信号输入端与所述第三MOS管的栅极相连，所述第四使能信号输入端与所述第四MOS栅极相连。优选地，所述第二使能信号输入端与所述第一能信号输入端为同一输入端。本专利技术实施例公开了一种存储器，所述存储器具有如上所述的电荷泵稳压电路。本专利技术实施例包括以下优点：在本专利技术实施例中，电荷泵稳压电路可以包括电荷泵、与电荷泵连接的存储单元，以及串联在电荷泵、存储单元之间的第一MOS管，在第一MOS管与存储单元之间存在第一支路，电荷泵稳压电路还可以包括位于第一支路中的第二MOS管，以及与第二MOS管的栅极相连的偏置电路，在对存储单元进行操作的过程中，当存储单元的输入电压大于第一阈值时，偏置电路可以将第二MOS管导通，以使输入电压通过第二MOS管的漏极放电，实现了将由于寄生电容拉高的电压降低，避免了对存储单元的输入电压被干扰而无法使用，保证了输入电压VPPIN的稳定，使得对存储单元的读、写、擦等操作保持正常。再者，在第一MOS管与存储单元之间存在第二支路，电荷泵稳压电路还可以包括位于第二支路中的钳位电路，以及与钳位电路的输出端连接的第三MOS管，在对存储单元的操作完成时，钳位电路可以将输入电压通过第三MOS管放电后，固定至第二阈值，避免了输入电压直接放电到地而产生的较大电压差，影响到其他信号。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例的一种电荷泵稳压电路的示意图；图2是本专利技术实施例的一种偏置电路的示意图；图3是本专利技术实施例的一种钳位电路的示意图；图4是本专利技术实施例的一种使能信号的示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参照图1，示出了本专利技术实施例的一种电荷泵稳压电路的示意图，所述电路可以包括电荷泵101、第一MOS管N1，以及与电荷泵101连接的存储单元102。当对存储单元102进行操作时，如读、写、擦等操作，可以控制电荷泵101产生较高输出电压VPP，经过第一MOS管N1，减去第一MOS管N1的导通电压，进而形成对存储单元102的输入电压VPPIN，然后采用输入电压VPPIN对存储单元102进行操作。在一种优选示例中，所述电路还可以包括与第一MOS管N1并联的开关(图中未示出)，通过该开关，电荷泵101可以跳过第一MOS管N1直接将电压输送至存储单元102。其中，电荷泵101可以是VPPPUMP，即正高压的电荷泵电路，其可以由多级的2倍电源电压电荷泵组成，其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速电容器的充电和放电，使输入的电压以一定因数(0.5，2或3)倍增或降低，从而得到所需要的输出电压VPP。第一MOS管N1可以为采用二极管分压接法的NMOS管，MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体，第一MOS管N1可以串联在电荷泵101、存储单元102之间，第一MOS管N1的源极与电荷泵101的输出端相连，第一MOS管N1的漏极与存储单元102的输入端相连。存储单元102可以为应用SPINORFlash的存储器，当然也可以为其他类型的存储单元，如嵌入式储存器，且存储单元102可以为多个，由于多个存储单元102的存在，会产生较大的寄生电容，而较大的寄生电容会拉高电荷泵的输出电压VPP，而由于采用二极管分压接法的第一MOS管的存在，其只允许电流由单一方向通过，使得拉高的电压无法回流至电荷泵10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电荷泵稳压电路，包括电荷泵，以及与所述电荷泵连接的存储单元，其特征在于，所述电路还包括：第一MOS管、第二MOS管、偏置电路；其中，所述第一MOS管串联在所述电荷泵、所述存储单元之间，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第一支路，所述第二MOS管位于所述第一支路中，所述第二MOS管的栅极与所述偏置电路的输出端相连；所述偏置电路，用于在对所述存储单元进行操作的过程中，当所述存储单元的输入电压大于第一阈值时，将所述第二MOS管导通，以使所述输入电压通过所述第二MOS管的漏极放电。

【技术特征摘要】
1.一种电荷泵稳压电路，包括电荷泵，以及与所述电荷泵连接的存储单元，其特征在于，所述电路还包括：第一MOS管、第二MOS管、偏置电路；其中，所述第一MOS管串联在所述电荷泵、所述存储单元之间，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第一支路，所述第二MOS管位于所述第一支路中，所述第二MOS管的栅极与所述偏置电路的输出端相连；所述偏置电路，用于在对所述存储单元进行操作的过程中，当所述存储单元的输入电压大于第一阈值时，将所述第二MOS管导通，以使所述输入电压通过所述第二MOS管的漏极放电。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第二支路，所述电路还包括位于所述第二支路中的钳位电路，以及与所述钳位电路的输出端连接的第三MOS管；所述钳位电路，用于在对所述存储单元的操作完成时，将所述输入电压通过所述第三MOS管放电后，固定至第二阈值。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，在所述第一MOS管与所述存储单元之间存在第三支路，所述电路还包括位于所述第三支路中的第四MOS管；所述第四MOS管，用于在所述输入电压固定至所述第二阈值时，将所述输入电压放电至第三阈值。4.根据权利要求2或3所述的电路，其特征在于，所述第二支路与所述第一支...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓庆，胡俊，舒清明，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11