显示背板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了显示背板及其制作方法和显示装置。该方法包括在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，效率高、工艺可控、成本较低，可应用于高世代线，且制作所得的显示背板的性能较好。

Display backplane and its fabrication method and display device

The invention provides a display backplane, a manufacturing method and a display device thereof. The method includes forming a light shielding layer on one surface of the substrate, forming a thin film transistor array on one side far from the substrate, the thin film transistor array comprises a plurality of thin film transistors, and the steps for forming an active layer of the thin film transistor include: forming a semiconductor layer; generating heat from the light shielding layer and using the heat to crystallize the semiconductor layer. \u3002 The method is simple, convenient, easy to realize, easy to industrialize, high efficiency, controllable process and low cost. It can be used in advanced generation line, and the performance of the display backplane produced is good.

【技术实现步骤摘要】
显示背板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及显示背板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
目前显示背板中薄膜晶体管的有源层是采用准分子激光技术(ELA)对非晶半导体材料进行晶化后形成的。然而，该技术成本高、运行时间短、生产节拍长，且工艺控制较难，形成的晶粒尺寸均匀度差。另外，由于准分子激光光束的长度限制，因此该技术难以应用于高世代线(G≥6.5，G表示代，即显示背板中基板的尺寸)。因而，现有的显示背板的相关技术仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种操作简单、方便、容易实现、易于工业化生产、效率高、工艺可控、成本较低、可应用于高世代线、或者制作所得的显示背板的性能较好的方法。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种制作显示背板的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。该方法通过遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化，一方面，由于整个晶化过程是利用热效应进行的晶化过程，在对半导体层进行晶化的过程中，所述半导体层表面的温度梯度远小于相关技术中采用准分子激光技术对半导体层进行晶化时半导体层表面的温度梯度，因此采用该方法对所述半导体层进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高、生产效率高，工艺可控，成本较低，可应用于高世代线；另一方面，该方法直接采用遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化，充分利用了显示背板的现有结构，不需要额外设置用于产生热量的结构部件，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，同时由于在所述显示背板制作完成以后，所述遮光层的作用仅在于遮光，因此使所述遮光层产生热量后不会对显示背板的电学性能产生不良影响，可以使得制作所得的显示背板的性能较好。根据本专利技术的实施例，形成所述遮光层的材料包括导电材料，使所述遮光层产生热量的方法包括使所述遮光层通电。根据本专利技术的实施例，所述遮光层包括多个间隔设置的子遮光层，每个所述子遮光层连续设置且在所述基板上的正投影覆盖一个薄膜晶体管组中的所述有源层在所述基板上的正投影，每个所述薄膜晶体管组包括至少一个薄膜晶体管，使所述遮光层通电包括将所述子遮光层上的第一位点和第二位点分别与电源的正极和负极相连接，其中，所述第一位点和所述第二位点位于所述一个薄膜晶体管组中的所述有源层在所述遮光层上的正投影的两侧。根据本专利技术的实施例，多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％，其中所述第一单位面积热量为一个所述子遮光层所产生的热量和所述子遮光层的面积的比值。根据本专利技术的实施例，在形成所述遮光层的步骤中，根据所述遮光层的方块电阻分布调整每个所述子遮光层的面积，以使得在流经每个所述子遮光层的电流相同时，多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％。根据本专利技术的实施例，形成所述遮光层包括在所述基板的一个表面上形成导电层；检测所述导电层上n个位点的方块电阻值R1、R2、……、Rn，并根据测得的方块电阻值计算所述导电层的平均方块电阻值Raverage；对所述导电层进行图案化，以形成M个所述子遮光层，第i个所述子遮光层的面积是根据公式Ai’＝(Raverage/Ri)×Ai确定的，其中，Ai’为第i个所述子遮光层的实际面积，Ai为第i个所述子遮光层的理论面积，Ri为第i个所述子遮光层对应的方块电阻值，其中，n为正整数，i为1、2、3、…、M中的任意一个正整数。根据本专利技术的实施例，在形成所述遮光层的步骤中，根据所述遮光层的方块电阻分布调整流经每个所述子遮光层的电流，以使得多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％。根据本专利技术的实施例，所述遮光层整层连续设置，使所述遮光层通电包括将所述遮光层上的第三位点和第四位点分别与电源的正极和负极相连接，其中，所述第三位点和所述第四位点位于所述薄膜晶体管阵列中的所述有源层在所述遮光层上的正投影的两侧。根据本专利技术的实施例，所述遮光层整层连续设置，使所述遮光层通电包括根据所述遮光层的方块电阻分布将所述遮光层划分为多个预定区域；将多个所述预定区域分别与电压不同的电源相连接，以使得多个所述预定区域的第二单位面积热量之间的偏差不大于3％，其中，所述第二单位面积热量为一个所述预定区域所产生的热量和所述预定区域的面积的比值。根据本专利技术的实施例，所述遮光层通过导线与所述电源电连接，所述方法还包括在所述遮光层与所述导线相接触的接触位点处形成过渡层，所述过渡层包覆所述接触位点和部分所述导线。根据本专利技术的实施例，该方法还包括在所述基板和所述遮光层之间形成第一缓冲层。在本专利技术的又一个方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括由前面所述的方法制作的显示背板。该显示装置可实现较大尺寸的显示，且具有前面所述的显示背板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。附图说明图1显示了本专利技术一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。图2a、图2b显示了本专利技术另一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。图3显示了本专利技术一个实施例中形成显示背板的薄膜晶体管的有源层的步骤的流程示意图。图4a、图4b显示了本专利技术另一个实施例的形成显示背板的薄膜晶体管的有源层的步骤的流程示意图。图5a、图5b、图5c、图5d显示了本专利技术一些实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的平面结构示意图。图6显示了本专利技术一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。图7a、图7b显示了本专利技术另一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。图8a、图8b显示了本专利技术又一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。图9a、图9b显示了本专利技术再一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。图10a、图10b显示了本专利技术再一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。图11显示了本专利技术一个实施例的导电层表面电阻分布情况及对应的选取位点的规则的平面示意图。图12显示了本专利技术另一个实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的平面结构示意图。图13显示了本专利技术一个实施例的使所述遮光层通电的方法的流程示意图。图14显示了本专利技术一个实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的平面结构示意图。图15显示了本专利技术一个实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的剖面结构示意图。图16显示了本专利技术一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。图17显示了本专利技术一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。图18显示了本专利技术另一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。附图标记：100：基板199：导电层199a：第一子区域199b：第二子区域199c：第三子区域200：遮光层201：第一预定区域202：第二预定区203：第三预定区域204：第四预定区域210：子遮光层211：第一位点212：第二位点213：第三位点214：第四位点300：薄膜晶体管310：半导体层320：有源层330：栅极绝缘层340：栅极350：层间绝缘层360：源极370：漏极400：电源500：过渡层600：第一缓冲层700：第二缓冲层具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作显示背板的方法，包括：在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，其特征在于，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。

【技术特征摘要】
1.一种制作显示背板的方法，包括：在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，其特征在于，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述遮光层的材料包括导电材料，使所述遮光层产生热量的方法包括使所述遮光层通电。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述遮光层包括多个间隔设置的子遮光层，每个所述子遮光层连续设置且在所述基板上的正投影覆盖一个薄膜晶体管组中的所述有源层在所述基板上的正投影，每个所述薄膜晶体管组包括至少一个所述薄膜晶体管，使所述遮光层通电包括：将所述子遮光层上的第一位点和第二位点分别与电源的正极和负极相连接，其中，所述第一位点和所述第二位点位于所述一个薄膜晶体管组中的所述有源层在所述遮光层上的正投影的两侧。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％，其中所述第一单位面积热量为一个所述子遮光层所产生的热量和所述子遮光层的面积的比值。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述遮光层的步骤中，根据所述遮光层的方块电阻分布调整每个所述子遮光层的面积，以使得在流经每个所述子遮光层的电流相同时，多个所述子遮光层的所述第一单位面积热量之间的偏差不大于3％。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述遮光层包括：在所述基板的一个表面上形成导电层；检测所述导电层上n个位点的方块电阻值R1、R2、……、Rn，并根据测得的方块电阻值计算所述导电层的平均方块电阻值Raverage；对所述导电层进行图案化，以形...

【专利技术属性】
技术研发人员：关峰，王路，李禹奉，杜建华，吕杨，强朝辉，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11