发光器件封装和光源设备制造技术

根据实施例的发光器件封装可以包括本体、布置在本体上的发光器件、以及布置在本体和发光器件之间的粘合剂。根据该实施例，本体包括从本体的下表面到上表面贯穿本体设置的第一通孔和第二通孔、以及在从本体的下表面到上表面指向的方向上凹进地设置的第一凹部，第一凹部布置在第一通孔和第二通孔之间，并且所述粘合剂布置在第一凹部中。根据实施例，该发光器件包括以从本体的下表面到上表面指向的第一方向为基准分别与第一通孔和第二通孔重叠的第一电极和第二电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件封装和光源设备
实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以，该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够容易地用于功率控制、超高频电路或通信模块。因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、取代构成液晶显示器(LCD)的背光源的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。例如，因为氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围内，短波长可以用于灭菌、净化等，而长波长可以用于光刻机、固化设备等。按照长波长的顺序，紫外线可以被分类为UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域被应用于各种领域，例如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、假币的鉴别、光催化灭菌、特殊照明(例如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高半导体器件的光提取效率和提高封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本和提高制造产量的方法的研究。
技术实现思路
技术问题实施例可以提供能够改善光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造该半导体器件封装的方法和光源设备。实施例可以提供能够降低制造成本并提高制造产量的半导体器件封装、制造该半导体器件封装的方法和光源设备。技术方案根据实施例的发光器件封装包括，本体；发光器件，该发光器件被布置在本体上；以及粘合剂，该粘合剂被布置在本体和发光器件之间，其中，该本体包括：第一通孔和第二通孔，该第一通孔和第二通孔从本体的上表面到下表面贯穿该本体设置；和第一凹部，该第一凹部在从本体的上表面朝着本体的下表面指向的方向上凹进地设置，第一凹部布置在第一通孔和第二通孔之间，所述粘合剂布置在第一凹部中，并且所述发光器件包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极以从本体的下表面到本体的上表面指向的第一方向为基准分别与第一通孔和第二通孔重叠。根据实施例，所述粘合剂可以布置成与所述本体和发光器件直接接触。根据实施例的发光器件封装还可以包括：第一导电层，该第一导电层设置在第一通孔中并且布置成与第一电极的下表面直接接触；和第二导电层，该第二导电层设置在第二通孔中并且布置成与第二电极的下表面直接接触。根据实施例的发光器件封装可以包括：电路板，该电路板布置在所述本体下方并包括第一焊盘和第二焊盘；第一结合层，该第一结合层将电路板的第一焊盘与第一电极电连接；以及第二结合层，该第二结合层将电路板的第二焊盘与第二电极电连接。根据实施例，第一结合层可以布置在第一通孔中并且布置成与第一电极的下表面直接接触，且第二结合层可以布置在第二通孔中并且布置成与第二电极的下表面直接接触。根据实施例，第一通孔的上部区域的宽度可以小于或等于第一电极的宽度。根据实施例，第一通孔的上部区域的宽度可以小于或等于第一通孔的下部区域的宽度。根据实施例的光源设备包括：基板；本体，该本体布置在基板上；发光器件，该发光器件布置在本体上；以及粘合剂，该粘合剂布置在本体和发光器件之间，其中，所述本体包括：第一通孔和第二通孔，该第一通孔和第二通孔从本体的上表面到下表面贯穿所述本体设置；和第一凹部，该第一凹部在从本体的上表面朝着本体的下表面指向的方向上凹进地设置，第一凹部布置在第一通孔和第二通孔之间，并且所述粘合剂布置在第一凹部中。该发光器件可以包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极以从本体的下表面到本体的上表面指向的第一方向为基准分别与第一通孔和第二通孔重叠，并且可以包括第一导电层和第二导电层，该第一导电层和第二导电层布置在第一通孔和第二通孔中并将该发光器件的第一电极和第二电极电连接到所述基板。根据实施例，所述粘合剂可以布置成与所述本体的上表面和发光器件的下表面直接接触。根据实施例，第一通孔的上部区域的宽度可以小于或等于第一电极的宽度。根据实施例，第一通孔的上部区域的宽度可以小于或等于第一通孔的下部区域的宽度。[有利效果]根据实施例的半导体器件封装和制造该半导体器件封装的方法能够改善光提取效率、电特性和可靠性。根据实施例的半导体器件封装和制造该半导体器件封装的方法能够提高工艺效率并提出了一种新型的封装结构，从而降低了制造成本并提高了制造产量。根据实施例的半导体器件封装能够提供具有高反射率的本体，以便防止反射器变色，从而提高了半导体器件封装的可靠性。附图说明图1是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的视图。图2是描述根据本专利技术的实施例的发光器件封装的分解透视图。图3至图6是描述根据本专利技术的实施例的制造发光器件封装的方法的视图。图7是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。图8是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。图9至图13是描述根据本专利技术的实施例的制造发光器件封装的方法的另一示例的视图。图14是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。图15是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。图16至图18是示出了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：本体；发光器件，所述发光器件布置在所述本体上；以及粘合剂，所述粘合剂布置在所述本体和所述发光器件之间，其中，所述本体包括：第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔从所述本体的上表面到所述本体的下表面贯穿所述本体设置；和第一凹部，所述第一凹部在从所述本体的上表面朝着所述本体的下表面的方向上凹进地设置，其中，所述第一凹部布置在所述第一通孔和所述第二通孔之间，其中，所述粘合剂布置在所述第一凹部中，并且其中，所述发光器件包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极以从所述本体的下表面到所述本体的上表面指向的第一方向为基准分别与所述第一通孔和第二通孔重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.05.30 KR 10-2017-0067187;2017.06.29 KR 10-2011.一种发光器件封装，包括：本体；发光器件，所述发光器件布置在所述本体上；以及粘合剂，所述粘合剂布置在所述本体和所述发光器件之间，其中，所述本体包括：第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔从所述本体的上表面到所述本体的下表面贯穿所述本体设置；和第一凹部，所述第一凹部在从所述本体的上表面朝着所述本体的下表面的方向上凹进地设置，其中，所述第一凹部布置在所述第一通孔和所述第二通孔之间，其中，所述粘合剂布置在所述第一凹部中，并且其中，所述发光器件包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极以从所述本体的下表面到所述本体的上表面指向的第一方向为基准分别与所述第一通孔和第二通孔重叠。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述粘合剂布置成与所述本体及所述发光器件直接接触。3.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：第一导电层，所述第一导电层设置在所述第一通孔中并且布置成与所述第一电极的下表面直接接触；和第二导电层，所述第二导电层设置在所述第二通孔中并且布置成与所述第二电极的下表面直接接触。4.根据权利要求3所述的发光器件封装，还包括金属层，所述金属层布置在提供所述第一和第二通孔的所述本体与所述第一和第二导电层之间。5.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：电路板，所述电路板布置在所述本体下方，并且包括第一焊盘和第二焊盘；第一结合层，所述第一结合层将所述电路板的所述第一焊盘与所述第一电极电连接；以及第二结合层，所述第二结合层将所述电路板的所述第二焊盘与所述第二电极电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李太星，任仓满，宋俊午，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR