提供拼接显示装置。拼接显示装置包含第一拼接基板，第一拼接基板包含第一部分和第二部分。拼接显示装置也包含第二拼接基板，且第二拼接基板相邻于第一拼接基板的第一部分。多个发光单元设置于第一拼接基板和第二拼接基板上。设置于第一部分的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分的发光单元的单元密度定义为第二单元密度，且第一单元密度大于第二单元密度。
【技术实现步骤摘要】
拼接显示装置和显示装置
本公开是关于拼接显示装置，特别是关于具有不同单元密度的部分的拼接显示装置。
技术介绍
一般而言，显示器的尺寸范围小至用于手机装置的小型显示器，大至可供数千观众观看的极大型显示器。大型显示器有时可例如将小型显示面板拼接而产生。然而，由于显示面板之间的接合处或狭缝将可能降低整体视觉效果或品质，特别是在高解析度拼接显示装置较为严重。现今的拼接显示装置或拼接面板仍未在各个方面皆符合要求，因此，拼接显示装置或拼接面板目前仍有如上述待克服的问题。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供拼接显示装置或显示装置。拼接显示装置包含第一拼接基板和第二拼接基板，第一拼接基板包含第一部分和第二部分。第二拼接基板相邻于第一拼接基板的第一部分。多个发光单元设置于第一拼接基板和第二拼接基板上。设置于第一部分的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分的发光单元的单元密度定义为第二单元密度，且第一单元密度大于第二单元密度。本公开的一些实施例提供拼接显示装置包含第一拼接基板和第二拼接基板。第一拼接基板包含多个第一像素和多个第二像素。第一像素中的每一者和第二像素中的每一者各自包含多个发光单元。第二拼接基板相邻于第一拼接基板的第一像素。第一像素的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为第一距离，第二像素的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为第二距离，且第一距离小于第二距离。本公开的一些实施例提供显示装置包含基板。基板包含第一部分和第二部分。第一部分较第二部分邻近于基板的边缘。多个发光单元设置于基板上。设置于第一部分的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分的发光单元的单元密度定义为第二单元密度，且第一单元密度大于第二单元密度。附图说明借由以下的详细说明配合所附附图能更加理解本专利技术实施例的观点。值得注意的是，各种元件可能没有按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种元件的尺寸可能被任意地增加或减少。图1A是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；图1B是根据一些其他的实施例，说明拼接显示装置的上视图；图2A是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；图2B是根据一些其他的实施例，说明拼接显示装置的上视图；图3是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；图4是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图；以及图5是根据一些实施例，说明拼接显示装置的上视图。符号说明：100a、100b、100c～拼接显示装置；101、121～第一拼接基板；101e、121e～第一边缘；101-1～第一边界区；103、123～第二拼接基板；103e、123e～第二边缘；103-1～第二边界区；107、127a-1、127a-2、127a-3、127a-4～第一发光单元；109、127b-1、127b-2、127b-3、127b-4～第二发光单元；111、127c-1、127c-2、127c-3、127c-4～第三发光单元；113、133a～像素；1131、1131’、1331～第一像素；1132、1132’、1132”、1132”’、1332～第二像素；1133、1333～第三像素；1134、1334～第四像素；1135～第五像素；A1、B1、C1、D1、E1、F1、G1、H1、I1、J1、151～第一部分；A2、B2、C2、D2、E2、F2、G2、H2、I2、J2、152～第二部分；A3、F3、E3～第三部分；A4、F4、E4～第四部分；E5～第五部分；d1～第一距离；d2～第二距离；d3～第三距离；d4～第四距离；d5～第五距离；d6～第六距离；d7～第七距离；d8～第八距离；d9～第九距离；d10～第十距离；d11～第十一距离；W1～第一像素宽度；W2～第二像素宽度；W3～第一像素间距；W4～第四像素宽度；W5～第五像素宽度；W6～第二像素间距；x～方向；y～方向。具体实施方式以下提供很多不同的实施例或范例，用于实施所提供的标的物的不同元件。各元件和其配置的具体范例描述如下，以简化本专利技术实施例。当然这些仅仅是范例，并非用以限定本专利技术实施例。举例而言，叙述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成在第一和第二元件之间，使第一和第二元件不直接接触。此外，本专利技术实施例可能在不同范例中重复使用参考数字及/或字母。如此重复是为了简明清楚，而非用以表示所不同实施例或形态之间的关系。在不同附图和说明的实施例中，相似的参考数字被用来标示相似的元件。可理解的是，在下述方法之前、期间和之后可提供额外的操作，且一些叙述的操作或方法可于其他实施例被取代或删除。参见图1A，根据一些实施例，说明拼接显示装置100a的上视图。一些实施例中，拼接显示装置100a的像素是以条纹型(stripetype)进行排列。如图1A所示，提供第一拼接基板101和第二拼接基板103。第一拼接基板101可为玻璃基板，硅基板或塑胶基板。第一拼接基板101的材料可包括玻璃、石英、有机高分子、金属或其相似物，但本公开不限于此。若第一拼接基板101的材料为有机高分子，此有机高分子可例如包括聚亚酰胺(polyimide，PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)等，但本公开不限于此。若第一拼接基板101的材料为玻璃基板，则可例如包括硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、二氧化硅(SiO2)、蓝宝石(sapphire)或前述的组合，但本公开不限于此。在一些实施例中，第二拼接基板103的材料可与第一拼接基板101的材料相同。在其他实施例中，第二拼接基板103的材料可与第一拼接基板101的材料不同，但本公开不限于此。此外，显示装置100a可为液晶显示(liquid-crystaldisplay，LCD)装置、有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，OLED)显示装置、量子点有机发光二极管(QuantumDotorganiclight-emittingdiode，QOLED)显示装置、发光二极管(light-emittingdiode，LED)显示装置或其他合适的显示装置。一些实施例中，拼接显示装置100a可为次毫米发光二极管(minilight-emittingdiode，miniLED)显示装置或微型发光二极管(microlight-emittingdiodes，microLED)显示装置。对液晶显示器(LCD)装置而言，发光单元是指液晶显示装置的子像素(sub-pixel)。一般而言，发光二极管的芯片尺寸可约大于300微米(μm)，次毫米发光二极管的芯片尺寸可在约100微米至300微米的范围内，且微型发光二极管的芯片尺寸可约小于100微米。第一拼接基板101具有第一边缘101e，且第二拼接基板103具有第二边缘103e。第一拼接基板101的第一边缘101e是相邻于第二拼接基板103的第二边缘103e设置。换言之，第一拼接基板101具有第一边缘101e，且第一边缘101e朝向或面对第二拼接基板103的第二边缘103e。一些实施例中，拼接显示装置100a是由第一拼接基板101和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种拼接显示装置，包括：一第一拼接基板，包括一第一部分和一第二部分；一第二拼接基板，相邻于该第一拼接基板的该第一部分；以及多个发光单元，设置于该第一拼接基板和该第二拼接基板上；其中设置于该第一部分的发光单元的单元密度定义为一第一单元密度，设置于该第二部分的发光单元的单元密度定义为一第二单元密度，且该第一单元密度大于该第二单元密度。
【技术特征摘要】
2017.08.01 US 62/539,579;2018.02.12 US 15/893,8701.一种拼接显示装置，包括：一第一拼接基板，包括一第一部分和一第二部分；一第二拼接基板，相邻于该第一拼接基板的该第一部分；以及多个发光单元，设置于该第一拼接基板和该第二拼接基板上；其中设置于该第一部分的发光单元的单元密度定义为一第一单元密度，设置于该第二部分的发光单元的单元密度定义为一第二单元密度，且该第一单元密度大于该第二单元密度。2.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，该第二单元密度与该第一单元密度的比值在0.2至0.95的范围内。3.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，该第二拼接基板包括一第三部分和一第四部分，该第三部分位于该第一部分与该第四部分之间，该第三部分的发光单元的单元密度定义为一第三单元密度，该第四部分的发光单元的单元密度定义为一第四单元密度，且该第三单元密度大于该第四单元密度。4.如权利要求3所述的拼接显示装置，其特征在于，该第一单元密度与该第三单元密度的比值在0.8至1.25的范围内。5.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，该第一拼接基板更包括一第五部分位于该第一部分与该第二部分之间，该第五部分的发光单元的单元密度定义为一第五单元密度，且该第五单元密度大于该第二单元密度并小于该第一单元密度。6.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，该第一部分的该多个发光单元的一者的尺寸小于该第二部分的该多个发光单元的一者的尺寸。7.一种拼接显示装置，包括：一第一拼接基板，包括多个第一像素和多个第二像素，该多个第一像素中的每一者和该多个第二像素中的每一者各自包括多个发光单元；以及一第二拼接基板，相邻于该第一拼接基板的该多个第一像素；其中该多个第一像素的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为一第一距离，该多个第二像素的一者中的两相邻发光单元之间的距离定义为一第二距离，且该第一距离小于该第二距离。8.如权利要求7所述的拼接显示装置，其特征在于，该第一距离与该第二距离的比值在0.2至0.95的范围内。9.如权利要求7所述的拼接显示装置，其特征在于，该多个第一像素中的相邻两者之间的距离大于该多个第二像素中的相邻两者之间的距离。10.如权利要求7所述的拼接显示装置，其特征在于，该第二拼接基板包括多个第三像素和多个第四像素，该多个第三像素位于该多个第一像素与该多个第四像素之间，该多...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，蔡宗翰，吴湲琳，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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