一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可改善源极与金属遮光层接触不良的问题。一种阵列基板，包括衬底，依次设置在所述衬底上的金属遮光层、缓冲层、以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、以及源极和漏极；所述缓冲层包括第一过孔，所述第一过孔露出所述金属遮光层；所述源极通过设置于所述第一过孔中的导电结构与所述金属遮光层电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
如图1所示，阵列基板包括位于衬底10与薄膜晶体管之间、且依次设置在衬底10上的金属遮光层11和缓冲层12。为了实现较好的氧化物特性稳定性，缓冲层12的材料为纯氧化硅，且缓冲层12的厚度比较大。采用干法刻蚀形成缓冲层12和层间绝缘层14的图形时，为保证刻蚀完全，需要有较大的过刻量，即，位于缓冲层12靠近衬底10一侧的金属遮光层11也会被刻蚀，其中，缓冲层12和层间绝缘层14的厚度之和越大，所需的过刻量也越大，进而可能导致薄膜晶体管的源极133与金属遮光层11接触不良。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可改善源极与金属遮光层接触不良的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板，包括衬底，依次设置在所述衬底上的金属遮光层、缓冲层、以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、以及源极和漏极；所述缓冲层包括第一过孔，所述第一过孔露出所述金属遮光层；所述源极通过设置于所述第一过孔中的导电结构与所述金属遮光层电连接。可选的，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述沟道区在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠；所述源极通过层间绝缘层中的第二过孔与所述导电结构电连接，所述源极还通过所述层间绝缘层中的第三过孔与所述源极区电连接；所述漏极通过层间绝缘层中的第四过孔与所述漏极区电连接；所述有源层与所述导电结构通过同一半导体薄膜得到，且所述源极区、所述漏极区、所述导电结构通过对所述半导体薄膜进行导体化后得到。进一步可选的，所述薄膜晶体管还包括设置于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影完全重叠。可选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述导电结构和所述栅极通过同一导电薄膜得到，所述底栅型薄膜晶体管包括栅绝缘层，所述源极通过所述栅绝缘层中的第五过孔与所述导电结构电连接。可选的，所述阵列基板还包括存储电容；所述存储电容包括层叠设置的第一电极、第二电极和第三电极，且所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极之间相互绝缘。进一步可选的，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的源极电连接；所述第一电极与所述像素电极同层设置、所述第二电极与所述源极和所述漏极同层设置、所述第三电极与所述导电结构同层设置。可选的，所述阵列基板为有机致电发光二极管阵列基板，所述有机致电发光二极管阵列基板还包括有机致电发光二极管发光器件，所述有机致电发光二极管发光器件包括依次层叠设置的阳极、有机材料功能层和阴极；在所述阵列基板包括像素电极的情况下，所述像素电极作为所述阳极。第二方面，提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上依次形成金属遮光层和缓冲层，所述缓冲层包括第一过孔，所述第一过孔露出所述金属遮光层；在缓冲层背离所述衬底一侧形成薄膜晶体管和导电结构，所述薄膜晶体管的源极通过位于所述第一过孔中的导电结构与所述金属遮光层电连接。可选的，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述形成所述薄膜晶体管和所述导电结构，包括：在缓冲层背离所述衬底一侧形成半导体薄膜，并在所述半导体薄膜上方形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影形成第一光刻胶图案；对所述半导体薄膜进行刻蚀，形成第一图案和第二图案；对所述第一图案和所述第二图案进行导体化处理，所述第一图案经导体化形成有源层，所述第二图案经导体化形成导电结构；其中，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述沟道区在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠；所述源极通过层间绝缘层中的第二过孔与所述导电结构电连接，所述源极还通过所述层间绝缘层中的第三过孔与所述源极区电连接；所述漏极通过所述层间绝缘层中的第四过孔与所述漏极区电连接。进一步可选的，所述半导体薄膜的材料为金属氧化物；所述对所述第一图案和所述第二图案进行导体化处理，包括：采用化学气相沉积法，利用包含H原子的气体对所述第一图案和所述第二图案进行导体化处理；或者，利用干法刻蚀对所述第一图案和第二图案进行导体化处理。可选的，在形成所述第一图案和所述第二图案之后，对所述第一图案和所述第二图案进行导体化处理之前，形成所述薄膜晶体管的方法还包括：在所述第一图案和所述第二图案背离所述衬底一侧依次形成绝缘薄膜和导电薄膜，并在所述导电薄膜上方形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第二光刻胶图案；采用湿法刻蚀对所述导电薄膜进行刻蚀，形成所述栅极；采用干法刻蚀对所述绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述薄膜晶体管的栅绝缘层。对所述第一图案和所述第二图案进行导体化处理，包括：利用所述第二光刻胶图案覆盖所述第一图案，并对所述第一图案进行导体化处理，以得到导体化的所述源极区和所述漏极区；对所述第二图案进行导体化处理，以得到所述导电结构。可选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述形成所述薄膜晶体管和所述导电结构，包括：在所述缓冲层背离所述衬底一侧形成导电薄膜，并在所述导电薄膜上方形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第三光刻胶图案；对所述导电薄膜进行刻蚀，形成栅极金属层，所述栅极金属层包括所述栅极和所述导电结构。可选的，所述方法还包括：在所述衬底上依次形成第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极之间相互绝缘，并构成存储电容。进一步可选的，所述阵列基板还包括像素电极；所述第一电极与所述像素电极通过同一次构图工艺得到，所述第二电极与所述源极和所述漏极通过同一次构图工艺得到，所述第三电极与所述导电结构通过同一次构图工艺得到。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，通过将导电结构设置在第一过孔中，相较于现有技术，可在形成包含第一过孔的缓冲层之后、形成层间绝缘层或栅绝缘层之前，形成导电结构，一方面，由于在形成导电结构之前，仅需对缓冲层进行刻蚀形成第一过孔，缓冲层的厚度(缓冲层的厚度通常为)相较于缓冲层与层间绝缘层(层间绝缘层的厚度通常为)14的厚度之和更小，或者，缓冲层的厚度相较于缓冲层与栅绝缘层的厚度之和更小，因此，在对缓冲层进行过刻刻蚀时，相较于现有技术，对金属遮光层的刻蚀量更小，金属遮光层中在衬底上的正投影与第一过孔在衬底上的正投影重叠的部分所保留的厚度更大；另一方面，源极需通过层间绝缘层中的第二过孔或栅绝缘层上的过孔与导电结构电连接，而在形成层间绝缘层或栅绝缘层时，导电结构可以对金属遮光层起到保护作用，可避免金属遮光层被刻蚀，综上，相较于现有技术，本专利技术实施例的金属遮光层在衬底上的正投影与第一过孔在衬底上的正投影重叠的部分所保留的厚度更大，可改善源极与金属遮光层接触不良的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，依次设置在所述衬底上的金属遮光层、缓冲层、以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、以及源极和漏极；所述缓冲层包括第一过孔，所述第一过孔露出所述金属遮光层；所述源极通过设置于所述第一过孔中的导电结构与所述金属遮光层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，依次设置在所述衬底上的金属遮光层、缓冲层、以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、以及源极和漏极；所述缓冲层包括第一过孔，所述第一过孔露出所述金属遮光层；所述源极通过设置于所述第一过孔中的导电结构与所述金属遮光层电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述沟道区在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠；所述源极通过层间绝缘层中的第二过孔与所述导电结构电连接，所述源极还通过所述层间绝缘层中的第三过孔与所述源极区电连接；所述漏极通过层间绝缘层中的第四过孔与所述漏极区电连接；所述有源层与所述导电结构通过同一半导体薄膜得到，且所述源极区、所述漏极区、所述导电结构通过对所述半导体薄膜进行导体化后得到。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影完全重叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述导电结构和所述栅极通过同一导电薄膜得到，所述底栅型薄膜晶体管包括栅绝缘层，所述源极通过所述栅绝缘层中的第五过孔与所述导电结构电连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电容；所述存储电容包括层叠设置的第一电极、第二电极和第三电极，且所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极之间相互绝缘。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的源极电连接；所述第一电极与所述像素电极同层设置、所述第二电极与所述源极和所述漏极同层设置、所述第三电极与所述导电结构同层设置。7.根据权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为有机致电发光二极管阵列基板，所述有机致电发光二极管阵列基板还包括有机致电发光二极管发光器件，所述有机致电发光二极管发光器件包括依次层叠设置的阳极、有机材料功能层和阴极；在所述阵列基板包括像素电极的情况下，所述像素电极作为所述阳极。8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成金属遮光层和缓冲层，所述缓冲层包括第一过孔，所述第一过孔露出所述金属遮光层；在缓冲层背离所述衬底一侧形成薄膜晶体管和导电结构，所述薄膜晶体管的源极通过位于所述第一过孔中的导电结构与所述金属遮光层电连接。10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；所述形成所述薄膜晶体管和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：方金钢，丁录科，刘军，程磊磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11