一种固态硬盘及其掉电保护电路制造技术

本实用新型专利技术属于固态硬盘的保护技术领域，提供一种固态硬盘的掉电保护电路及固态硬盘；所述掉电保护电路包括：掉电检测单元、充放电控制单元及掉电保护单元；通过掉电检测单元分别对控制单元的供电电压、存储单元的供电电压以及缓存单元的供电电压进行检测得到第一检测电压、第二检测电压以及第三检测电压，充放电控制单元根据各个检测电压确定固态硬盘中各个电路单元的掉电状态；若固态硬盘中的电路单元处于掉电状态，通过掉电保护单元分别对控制单元、存储单元以及缓存单元进行掉电保护；因此本实用新型专利技术中掉电保护电路分别对固态硬盘中不同的数据存储区域进行恰当的掉电保护，解决了传统技术中固态硬盘在异常掉电时数据易丢失的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种固态硬盘及其掉电保护电路
本技术属于固态硬盘的保护
，尤其涉及一种固态硬盘的掉电保护电路及固态硬盘。
技术介绍
固态硬盘在电子电路中作为常见的电子元器件，由于固态硬盘的体积小以及数据存储容量较大的特点，固态硬盘已经成为了移动终端中核心的数据存储设备；当用户使用移动终端的过程中，固态硬盘能够实时存储并更新用户数据，从而确保移动终端能够完成数据读取以及数据处理功能；而固态硬盘作为一种电子元器件，固态硬盘需要稳定的供电电源以保证其正常工作，若移动终端突然出现异常掉电事件，固态硬盘失去供电电源，那么固态硬盘极容易出现数据完全丢失的情况，因此异常掉电事件将会严重损害固态硬盘所存储数据的安全。在实际应用过程中，固态硬盘出现掉电的原因具有多种多样，并且固态硬盘出现掉电的时间也是不确定的，为了防止固态硬盘在掉电过程中数据完全丢失的情况，传统技术中采用了掉电保护电路来确保固态硬盘在异常掉电时的数据安全；然而传统技术中的掉电保护电路至少存在以下问题：由于固态硬盘可划分为多个数据存储区域，而不同的数据存储区域中存储着不同类型的数据，传统的掉电保护电路仅仅将固态硬盘中不同数据存储区域作为一个整体存储模块，以实现对固态硬盘中的数据整体掉电保护，然而，实际上固态硬盘中不同的数据存储区域具有不同数据存储格式，而传统的掉电保护电路并没有区分固态硬盘中不同的数据存储区域，若对固态硬盘中不同的数据存储区域采用统一的掉电保护方式，将会导致固态硬盘中部分数据出现丢失的现象。综上所述，传统技术中掉电保护电路无法对固态硬盘中的数据进行全面、准确地保护，导致固态硬盘在异常掉电时容易出现部分数据丢失的问题。
技术实现思路
本技术提供一种固态硬盘的掉电保护电路及固态硬盘，旨在解决传统的掉电保护电路对固态硬盘中不同的数据存储区域没有进行区分保护，进而导致固态硬盘在异常掉电时容易出现数据丢失的问题。本技术第一方面提供一种固态硬盘的掉电保护电路，所述固态硬盘包括：控制单元、缓存单元以及存储单元，所述掉电保护电路包括：被配置为检测所述控制单元的供电电压并输出第一检测电压、检测所述存储单元的供电电压并输出第二检测电压以及检测所述缓存单元的供电电压并输出第三检测电压的掉电检测单元；与所述掉电检测单元连接，被配置为根据所述第一检测电压确定所述控制单元处于掉电状态则生成第一掉电保护信号，根据所述第二检测电压确定所述存储单元处于掉电状态则生成第二掉电保护信号，根据所述第三检测电压确定所述缓存单元处于掉电状态则生成第三掉电保护信号的充放电控制单元；与所述充放电控制单元连接，被配置为根据所述第一掉电保护信号控制所述控制单元停止工作、根据所述第二掉电保护信号控制所述存储单元的用户数据写入NANDFLASH芯片以及根据所述第三掉电保护信号控制所述缓存单元的缓存数据写入所述NANDFLASH芯片的掉电保护单元。在其中的一个实施例中，所述NANDFLASH芯片的型号为：HY27UF082G2B、K558G13ACM或者THGVN1G4D1E。在其中的一个实施例中，所述掉电检测单元包括：电压检测芯片、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及第五电容；其中，所述第一二极管的阳极、所述第二二极管的阳极以及所述第二电阻的第一端接所述固态硬盘，所述第一二极管的阴极、所述第二二极管的阴极、所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电阻的第一端共接于所述电压检测芯片的电源输入管脚，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端共接于地，所述电压检测芯片的复位管脚接入复位信号，所述第二电阻的第二端和所述第四电容的第一端共接于所述电压检测芯片的电压检测管脚，所述第四电容的第二端接地，所述第一电阻的第二端接所述电压检测芯片的重置信号输入管脚，所述第三电容的第一端和所述电压检测芯片的接地管脚共接于地，所述第三电容的第二端接所述电压检测芯片的参考电压输入管脚，所述电压检测芯片的电压信号输出管脚和所述第三电阻的第二端共接于所述充放电控制单元，所述第四电阻的第一端接所述电压检测芯片的延时信号输入管脚，所述第四电阻的第二端接所述第五电容的第一端，所述第五电容的第二端接地。在其中的一个实施例中，所述电压检测芯片的型号为：TL7733BCDG4、XC61CC或者LY61C33M。在其中的一个实施例中，所述充放电控制单元包括：电压比较芯片、第五电阻以及第六电阻；其中，所述第五电阻的第一端和所述第六电阻的第一端接所述掉电检测单元，所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第二端共接于所述电压比较芯片的电压信号输入管脚，所述电压比较芯片的基准信号输入管脚和所述电压比较芯片的电源管脚共接于第一基准电源，所述电压比较芯片的接地管脚接地，所述电压比较芯片的电压信号输出管脚接所述掉电保护单元。在其中的一个实施例中，所述电压比较芯片为SN74LVC1G126系列芯片。在其中的一个实施例中，所述掉电保护单元包括掉电保护芯片，其中所述掉电保护芯片的型号为IRF7751TRPBF，所述掉电保护芯片的通讯管脚接所述充放电控制单元，所述掉电保护芯片的电源管脚接第二基准电源。在其中的一个实施例中，还包括：与所述掉电保护单元连接，被配置为根据所述第一掉电信号向所述控制单元提供应急电源、根据所述第二掉电保护信号向所述存储单元提供所述应急电源以及根据所述第三掉电保护信号向所述缓存单元提供所述应急电源的储能单元。在其中的一个实施例中，所述储能单元包括多个并联的电容，其中所述电容的一端接所述掉电保护单元，所述电容的另一端接地。本技术第二方面提供一种固态硬盘，包括如上所述的固态硬盘的掉电保护电路。本技术相对于传统技术所取得有益技术效果为：当固态硬盘出现异常失电，根据固态硬盘中所存储数据的类型及其功能，分别对固态硬盘中三个不同数据存储区域：控制单元、存储单元以及缓存单元进行掉电保护，通过掉电检测单元对控制单元的供电电压进行检测并输出第一检测电压，充放电控制单元根据第一检测电压确定控制单元的掉电状态，通过掉电检测单元对存储单元的供电电压进行检测并输出第二检测电压，充放电控制单元根据第二检测电压确定存储单元处于掉电状态，通过掉电检测单元对缓存单元的供电电压进行检测并输出第三检测电压，充放电控制单元根据第三检测电压确定缓存单元处于掉电状态；当固态硬盘中的各个电路单元处于掉电状态时，掉电保护单元分别根据各个掉电保护信号对固态硬盘中的电路单元进行相应的掉电保护，以防止固态硬盘中的数据被丢失，提高用户的信息安全等级；从而在本技术中，当固态硬盘中的不同数据存储区域出现异常掉电时，掉电保护电路可针对固态硬盘中不同的数据存储区域分别进行相应的掉电保护，使固态硬盘在异常掉电时仍然能够完整地保存数据，掉电保护电路可根据每一个数据存储区域中数据的类型对固态硬盘进行更加准确、全面的掉电保护，避免固态硬盘在异常掉电时出现数据丢失的现象，进而极大地保护了固态硬盘中所存储数据的安全；有效地解决了传统技术中掉电保护电路在异常掉电时无法全面、准确地保存固态硬盘中数据，导致固态硬盘中的数据容易丢失的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态硬盘的掉电保护电路，所述固态硬盘包括：控制单元、缓存单元以及存储单元，其特征在于，所述掉电保护电路包括：被配置为检测所述控制单元的供电电压并输出第一检测电压、检测所述存储单元的供电电压并输出第二检测电压以及检测所述缓存单元的供电电压并输出第三检测电压的掉电检测单元；与所述掉电检测单元连接，被配置为根据所述第一检测电压确定所述控制单元处于掉电状态则生成第一掉电保护信号，根据所述第二检测电压确定所述存储单元处于掉电状态则生成第二掉电保护信号，根据所述第三检测电压确定所述缓存单元处于掉电状态则生成第三掉电保护信号的充放电控制单元；与所述充放电控制单元连接，被配置为根据所述第一掉电保护信号控制所述控制单元停止工作、根据所述第二掉电保护信号控制所述存储单元的用户数据写入NAND FLASH芯片以及根据所述第三掉电保护信号控制所述缓存单元的缓存数据写入所述NAND FLASH芯片的掉电保护单元。

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘的掉电保护电路，所述固态硬盘包括：控制单元、缓存单元以及存储单元，其特征在于，所述掉电保护电路包括：被配置为检测所述控制单元的供电电压并输出第一检测电压、检测所述存储单元的供电电压并输出第二检测电压以及检测所述缓存单元的供电电压并输出第三检测电压的掉电检测单元；与所述掉电检测单元连接，被配置为根据所述第一检测电压确定所述控制单元处于掉电状态则生成第一掉电保护信号，根据所述第二检测电压确定所述存储单元处于掉电状态则生成第二掉电保护信号，根据所述第三检测电压确定所述缓存单元处于掉电状态则生成第三掉电保护信号的充放电控制单元；与所述充放电控制单元连接，被配置为根据所述第一掉电保护信号控制所述控制单元停止工作、根据所述第二掉电保护信号控制所述存储单元的用户数据写入NANDFLASH芯片以及根据所述第三掉电保护信号控制所述缓存单元的缓存数据写入所述NANDFLASH芯片的掉电保护单元。2.根据权利要求1所述的掉电保护电路，其特征在于，所述NANDFLASH芯片的型号为：HY27UF082G2B、K558G13ACM或者THGVN1G4D1E。3.根据权利要求1所述的掉电保护电路，其特征在于，所述掉电检测单元包括：电压检测芯片、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容以及第五电容；其中，所述第一二极管的阳极、所述第二二极管的阳极以及所述第二电阻的第一端接所述固态硬盘，所述第一二极管的阴极、所述第二二极管的阴极、所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电阻的第一端共接于所述电压检测芯片的电源输入管脚，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端共接于地，所述电压检测芯片的复位管脚接入复位信号，所述第二电阻的第二端和所述第四电容的第一端共接于所述电压检测芯片的电压检测管脚，所述第四电容的第二端接地，所述第一电阻的第二端接所述电压检测芯片的重置信号输入管脚，所述第三电容的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，李四林，杨会平，
申请(专利权)人：深圳忆数存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44