固态硬盘及其掉电保护方法、系统技术方案

本发明专利技术适用于固态硬盘及信息存储领域，提供了一种固态硬盘及其掉电保护方法、系统，所述方法包括：固态硬盘写入数据时，进行自适应数据备份计算并判断是否进行数据备份；若需要进行备份，则将数据备份到由MLC型存储区转换的SLC型存储区后再写入MLC型存储区，否则直接将数据写入MLC型存储区；固态硬盘上电时，根据数据备份信息进行数据恢复。借此，本发明专利技术能够在不增加硬件设计成本和复杂度的基础上，通过自适应备份技术解决因异常掉电导致Nand?Flash中耦合页的数据被破坏的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态硬盘及信息存储领域，尤其涉及一种固态硬盘及其掉电保护方法、系统。
技术介绍
现有固态硬盘所用Nand Flash芯片主要为MLC(Multi-Level Cell，多层单元) 型Nand Flash芯片，而对于大多数MLC型Nand Flash芯片而言，有两个显著的特点一、同一単元里的两个位被分配在不同的两个页中，从而这两个页具有强耦合性，如果破坏其中的高位页，那么低位页的数据也将被损毁。ニ、通过专用技术和软件管理技术可以将MLC型 Nand Flash 转化为 SLC (Single Layer Cell，单层单元)型 Nand Flash。目前固态硬盘都通过多个Nand Flash控制器作为多个通道并行使用，从而达到高数据吞吐量，同一时刻存在大量的Nand Flash读写操作。在系统意外掉电时，由于大量同 ー时刻存在大量的Nand Flash写操作，当电源不能保证Nand Flash写操作的完成时再断电，不仅会破坏当前写入页的数据完整性，而且会破坏跟当前页相关的耦合页的数据。为了解决该问题，出现了固态硬盘掉电保护机制。图1为传统掉电保护技术结构示意图，当固态硬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方浩俊，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：