一种半导体器件及集成半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件及集成半导体器件，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，引线框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架、芯片与引线框架通过塑封材料塑封在一起，铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片一侧从所述塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，从而加强了芯片的散热，延长了器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及集成半导体器件
本技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种半导体器件及集成半导体器件。
技术介绍
半导体是一种导电性介于良导电体与绝缘体之间的物质，半导体器件是一种利用半导体材料制作而成的一种电子器件。通常用来制造半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓。并且随着半导体器件技术的发展，半导体器件一直在往高性能、高可靠性和小型化的方向发展。一般情况下，功率半导体分立器件大都采用TO系列封装的封装方式。而对于TO系列封装的功率器件散热问题是首要需要解决的，因为功率器件的散热将直接影响着器件的可靠性及性能。对于上述问题，目前功率器件一般采用焊线方式来实现电性连接，由于导线的截面积小长度较长导致阻抗增大，且随着使用时间的延长焊线可靠性也降低。有的芯片在封装时是全部封装在环氧树脂里，这种情况下芯片的散热只能由环氧树脂进行散热。另外传统TO系列封装的功率器件一般只是芯片下方的引线框架外露，芯片上方的由环氧树脂塑封，这种情况下芯片的热量一般只能通过引线框架单面散热；综上所述，现有技术中的半导体器件的散热性很差，容易导致芯片寿命下降。
技术实现思路
本技术提供一种半导体器件及集成半导体器件，用以解决现有技术中的半导体器件的散热性很差，容易导致芯片寿命下降的问题。本技术提供一种半导体器件，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；所述铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，所述引线框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架、所述芯片与所述引线框架通过塑封材料塑封在一起，所述铜桥框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出，所述引线框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出。本技术半导体器件包括铜桥框架和引线框架，铜桥框架与引线框架之间设置有芯片，芯片与引线框架之间通过结合材连接，芯片与铜桥框架之间通过结合材连接，并且芯片、铜桥框架与引线框架通过塑封材料塑封在一起；铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片一侧从塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，从而加强了芯片的散热，延长了器件的使用寿命。优选的，所述铜桥框架具有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述芯片的功率电极连接，所述第二焊盘与所述芯片的栅极连接。优选的，所述第一焊盘具有弯折部，所述弯折部上方设置有用于与芯片焊接的凸起平台，所述凸起平台朝向所述弯折部还设置有用于定位结合材的凹槽。优选的，所述第二焊盘设置有与第一焊盘相对应的弯折部。优选的，所述引线框架设置有用于与所述芯片连接的连接部。优选的，所述塑封材料是环氧树脂。优选的，所述结合材的材料为锡膏。优选的，本技术还提供一种集成半导体器件，包括上述技术方案中提到的任一所述的半导体器件。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a-1b为本技术实施例提供的一种半导体器件的整体架构示意图；图2a-2c为本技术实施例铜桥框架结构示意图；图3a-3b为本技术实施例提供的引线框架结构示意图；图4a-4b为本技术实施例在引线框架设置第一结合材，然后在第一结合材设置芯片示意图；图5a-5b为本技术实施例在芯片背离第一结合材一侧的表面设置第二结合材结构示意图；图6a-6b为本技术实施例在第二结合材上方设置铜桥框架，并使所述铜桥框架与所述芯片的功率电极和栅极连接结构示意图；图7为本技术实施例通过塑封材料将引线框架和铜线框架塑封后的半导体器件。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。如图1a-1b所示，为本技术实施例提供的一种半导体器件的整体架构示意图，其中图1a为本技术实施例中半导体器件的俯视图，图1b为本技术实施例中半导体器件的侧视图；本技术提供一种半导体器件，该半导体器件包括：铜桥框架100；引线框架101；所述铜桥框架100与所述引线框架101之间设置有芯片102，所述引线框架101与所述芯片102之间通过结合材103连接，所述铜桥框架100与所述芯片102之间通过结合材103连接，所述铜桥框架100、所述芯片102与所述引线框架101通过塑封材料104塑封在一起，所述铜桥框架100背离所述芯片102一侧从所述塑封材料104中露出，所述引线框架101背离所述芯片102一侧从所述塑封材料104中露出。本技术半导体器件包括铜桥框架100和引线框架101，铜桥框架100与引线框架101之间设置有芯片102，芯片102与引线框架101之间通过结合材103连接，芯片102与铜桥框架100之间通过结合材103连接，并且芯片102、铜桥框架100与引线框架101通过塑封材料104塑封在一起；铜桥框架100背离芯片102一侧从塑封材料104中露出，引线框架101背离芯片102一侧从塑封材料104中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架100背离芯片102的一侧从塑封材料104中露出，引线框架101背离芯片102的一侧从塑封材料104中露出，从而加强了芯片102的散热，延长了器件的使用寿命。具体的，所述结合材103的材料为锡膏。锡膏是一种用于PCB表面电阻、电容、IC等电子元器件的焊接的材料，是由焊锡粉、助焊剂以及其它的表面活性剂、触变剂等加以混合，形成的膏状混合物；具有良好的焊接结合性。一种可行的实施方式中，所述铜桥框架100具有第一焊盘1000和第二焊盘1001，所述第一焊盘1000与所述芯片102的功率电极105连接，所述第二焊盘1001与所述芯片102的栅极106连接。如图2a-2b所示，是铜桥框架100的示意图；其中，图2a为铜桥框架100的主视图；图2b为铜桥框架100的侧视图；并且，如图2c所示，铜桥框架100的第一焊盘1000与芯片102的功率电极105连接；铜桥框架100的第二焊盘1001与芯片102的栅极106连接；这种将铜桥框架100设计成两个框架的方式可以使芯片102与铜桥框架100之间的连接更加方便，还会减少虚焊的发生。具体的，所述第一焊盘1000具有弯折部200，所述弯折部200上方设置有用于与芯片102焊接的凸起平台201，所述凸起平台201朝向所述弯折部200还设置有用于定位结合材的凹槽202。如图2b所示，第一焊盘1000设置有凸起平台201，凸起平台201是为了结合材103与芯片102之间的连接；凸起平台201下方还设置有凹槽202，凹槽202是为了防止结合材103与芯片102连接时结合材103由于融化流动等因素跑出预定区域，如果结合材103跑出预定区域残留在芯片102上容易导致芯片102侧面电流击穿；所以，凹槽202的设计可以有效避本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；所述铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，所述引线框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架、所述芯片与所述引线框架通过塑封材料塑封在一起，所述铜桥框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出，所述引线框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；所述铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，所述引线框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架与所述芯片之间通过结合材连接，所述铜桥框架、所述芯片与所述引线框架通过塑封材料塑封在一起，所述铜桥框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出，所述引线框架背离所述芯片一侧从所述塑封材料中露出。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铜桥框架具有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述芯片的功率电极连接，所述第二焊盘与所述芯片的栅极连接。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：江伟，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44