部件制造用膜及部件的制造方法技术

本发明专利技术的课题是提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也可以在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜。进一步提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法，以及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。作为解决本发明专利技术课题的方法，本部件制造用膜1是半导体部件或电子部件的制造方法所使用的膜，具备基层11以及设置于其一面11a侧的粘着材层12，基层的未设置粘着材层的一面的表面的Ra(μm)为0.1～2.0，Rz(μm)为1.0～15。本方法使用部件制造用膜1，具备单片化工序和拾取工序，在拾取工序前具备评价工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】部件制造用膜及部件的制造方法
本专利技术涉及半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法，以及电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。更详细地，涉及由半导体晶片制造半导体部件时，贴附于半导体晶片的背面而被利用的半导体部件制造用膜和半导体部件的制造方法，以及由阵列状电子部件制造电子部件时，贴附于阵列状电子部件的背面而被利用的电子部件制造用膜和电子部件的制造方法。
技术介绍
近年来，利用了下述方法：将形成有电路的晶片进行单片化之后，评价(检查)单片化了的半导体部件，仅将该评价中合格了的半导体部件再配置于载体上，然后，利用密封剂阵列状地密封，从而将大量的电子部件一并制造，实现高成品率的方法。该类型的制造方法公开于下述专利文献1(参照图3A-图3E，[0028]和[0029])中。此外，下述专利文献2公开了将形成有电路的晶片进行单片化时可以利用的粘着膜。进一步，下述专利文献3公开了密封时可以利用的粘着膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-287235号公报专利文献2：日本特开2007-005436号公报专利文献3：日本特开2010-278065号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题半导体部件虽然在1张半导体晶片上大量形成，但潜藏有一旦实际运行就发生初始故障的半导体部件。因此，期望不将担心初始故障的半导体部件带入至之后的工序，而在更前阶段的工序将其排除，提高最终制品的成品率。关于这一点，在专利文献1中，虽然记载了在粘着膜的粘着面，以使彼此具有充分的间隙的方式，配置初始阶段的评价完了的优异的裸片(die)(将晶片单片化了的半导体部件)这样的概要，但是具体而言，对于使用怎样的粘着膜可以实现该工序，并没有提及。半导体制造工序被细分化，根据各工序的要求，变更被粘着物(半导体晶片、半导体部件和电子部件等)的支持体(粘着膜、托盘等)。例如，为了获得上述“评价完了的裸片”，需要进行半导体晶片的评价。在进行该评价的工序中，一般而言，在粘着膜的粘着面固定半导体晶片之后，进一步，将该粘着膜的背面(非粘着面)吸附于吸引平台来进行评价。而且，在评价工序中，施以加温环境、冷却环境。即，即使在加温环境、冷却环境下，也进行评价半导体部件是否正常运行的工作评价、进行热压的负荷的加速评价。然而，可知如果进行这些评价，则即使在之后停止对于粘着膜的吸引，有时也无法将粘着膜从吸引平台取下，或者变得难以取下。认为这是因为，在伴有温度变化的环境中使用了粘着膜，结果成为粘着膜的背面牢固地密合在平滑性极其高的吸附平台的平台面上的状态而无法真空破坏。这样，如果平台面与粘着膜的密合状态在每次操作都发生变化等而不稳定，则不能使用于取下粘着膜所需要的力恒定，具有操作效率降低这样的问题。本专利技术是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也能够在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜及电子部件制造用膜。进一步，其目的在于提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。用于解决课题的方法即，本专利技术如下。权利要求1所述的半导体部件制造用膜是半导体部件的制造方法所使用的半导体部件制造用膜，其主旨在于具备基层以及设置于上述基层的一面侧的粘着材层，上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。权利要求2所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1所述的半导体部件制造用膜中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。权利要求3所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1或2所述的半导体部件制造用膜中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.01≤RE2≤1。权利要求4所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1～3中的任一项所述的半导体部件制造用膜中，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。权利要求5所述的半导体部件制造用膜的主旨在于，在权利要求1～4中任一项所述的半导体部件制造用膜中，上述半导体部件的制造方法具备下述工序：在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有上述粘着材层的状态下，将上述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及将上述半导体部件与上述粘着材层分离的拾取工序，并且在上述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行上述半导体晶片或上述半导体部件的评价的评价工序。权利要求6所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，其具备下述工序：在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有半导体部件制造用膜的粘着材层的状态下，将上述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及将上述半导体部件与上述粘着材层分离的拾取工序，并且在上述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行上述半导体晶片或上述半导体部件的评价的评价工序，上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。权利要求7所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，在权利要求6所述的半导体部件的制造方法中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。权利要求8所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，在权利要求6或7所述的半导体部件的制造方法中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’(160)/E’(-40))为0.01≤RE2≤1。权利要求9所述的半导体部件的制造方法的主旨在于，在权利要求6～8中任一项所述的半导体部件的制造方法中，上述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。权利要求10所述的电子部件制造用膜是电子部件的制造方法所使用的电子部件制造用膜，其主旨在于具备基层以及设置于上述基层的一面侧的粘着材层，上述基层的未设置上述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。权利要求11所述的电子部件制造用膜的主旨在于，在权利要求10所述的电子部件制造用膜中，上述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1(＝E’(100)/E’(25))为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。权利要求12所述的电子部件制造用膜的主旨在于，在权利要求10或11所述的电子部件制造用膜中，上述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2(＝E’本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体部件制造用膜，其是半导体部件的制造方法所使用的半导体部件制造用膜，其特征在于，具备基层以及设置于所述基层的一面侧的粘着材层，所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0727551.一种半导体部件制造用膜，其是半导体部件的制造方法所使用的半导体部件制造用膜，其特征在于，具备基层以及设置于所述基层的一面侧的粘着材层，所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。2.根据权利要求1所述的半导体部件制造用膜，所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1即E’(100)/E’(25)为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体部件制造用膜，所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2即E’(160)/E’(-40)为0.01≤RE2≤1。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体部件制造用膜，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体部件制造用膜，所述半导体部件的制造方法具备下述工序：在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有所述粘着材层的状态下，将所述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及将所述半导体部件与所述粘着材层分离的拾取工序，并且在所述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行所述半导体晶片或所述半导体部件的评价的评价工序。6.一种半导体部件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在形成有电路的半导体晶片的背面贴附有半导体部件制造用膜的粘着材层的状态下，将所述半导体晶片单片化来获得半导体部件的单片化工序，以及将所述半导体部件与所述粘着材层分离的拾取工序，并且在所述拾取工序前，具备在25℃以下或75℃以上的温度区域进行所述半导体晶片或所述半导体部件的评价的评价工序，所述基层的未设置所述粘着材层的一面的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm以上2.0μm以下，并且最大高度粗糙度(Rz)为1.0μm以上15μm以下。7.根据权利要求6所述的半导体部件的制造方法，所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1即E’(100)/E’(25)为0.2≤RE1≤1，并且E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。8.根据权利要求6或7所述的半导体部件的制造方法，所述基层的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE2即E’(160)/E’(-40)为0.01≤RE2≤1。9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体部件的制造方法，所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体以及聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。10.一种电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP