一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺，包括以下步骤：在芯板的两表面铜层上贴膜，而后通过曝光、显影和蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路，然后退膜；在芯板的两表面上贴膜，而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光；在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板；而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形；而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路，然后退膜；去掉芯板上表面的支撑基板，在芯板的下表面上贴支撑基板，然后再依次去除芯板上的膜和支撑基板；芯板通过半固化片与外层铜箔压合，形成生产板。本发明专利技术方法借助支撑基板和膜的支撑力来防止介质层破损，且减少压合次数至一次，降低了成本和提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺
本专利技术涉及印制线路板制作
，具体涉及一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺。
技术介绍
随着电子系统的集成度不断提高，PCB埋容工艺作为一种替代表面电容贴片的方法，可以节约PCBA日益紧张的表面空间，同时也比贴片电容可靠性更高，所以被广泛采用。随着埋容芯板的单位面积容值增加，伴随着芯板介质层变薄，陶瓷粉料比例增高，导致芯板的介质层强度降低，可加工性容易出现问题。对于电容密度较高的埋容芯板(Cp>1pF/inch2)，在相同位置的两面图形都没有铜面支撑介质层的时候，过蚀刻喷淋容易造成介质层破损，导致蚀刻线被埋容材料碎片所污染，且介质层破损的板在后工序中涨缩行为容易发生异常造成板报废。针对上述情况，业内有使用双次压合的工艺来克服介质层破损的问题，即在芯板上先做一面图形，另一面用整面曝光的干膜支撑过DES线，在做好线路的一面与外层铜箔压合后，再做芯板另一面的图形，然后在芯板的这一面与外层铜箔压合，这种做法可以保证第一次图形有整张铜面支撑，第二次图形有压合后的板材做支撑，保证介质层不被喷淋压力冲破，但是采用双次压合的方式成本高，流程冗长，生产效率低，且分别通过两次压合容易出现层偏的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于为克服现有的技术缺陷，提供一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺，该方法借助支撑基板和膜的支撑力来防止介质层破损，解决了介质层破损造成材料碎片污染生产线和板报废的问题，且在克服介质层破损问题的基础上，减少压合次数至一次，降低了成本和提高了生产效率。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺，包括以下步骤：S1、在芯板的两表面铜层上贴膜，而后通过曝光、显影在芯板的上表面上形成内层线路图形，且曝光时芯板下表面的膜整面被曝光；S2、而后通过蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路，然后退膜；S3、在芯板的两表面上贴膜，而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光，且芯板上表面的膜不进行曝光；S4、在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同；而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形；S5、而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路，然后退膜；S6、去掉芯板上表面的支撑基板，在芯板的下表面上贴支撑基板，然后再依次去除芯板上表面上的膜和下表面上的支撑基板；S7、芯板通过半固化片与外层铜箔压合，形成生产板。优选地，步骤S1中具体包括以下步骤：S11、在芯板的两表面铜层上贴干膜；S12、在干膜的外侧贴保护膜；S13、而后通过曝光工序在芯板的上表面完成内层线路曝光，且芯板下表面的干膜被整面曝光；S14、去掉保护膜后，通过显影工序在芯板的上表面形成内层线路图形。优选地，步骤S3中具体包括以下步骤：S31、在芯板的两表面上贴干膜；S32、在干膜的外侧贴保护膜；S33、而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光，且芯板上表面的干膜不进行曝光；优选地，步骤S4中具体包括以下步骤：S41、在芯板上表面的保护膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同；S42、去掉芯板下表面上的保护膜后，通过显影工序在芯板的下表面形成内层线路图形。优选地，步骤S6中具体包括以下步骤：S61、去掉芯板上表面上的支撑基板；S62、在芯板的下表面上贴支撑基板；S63、去掉芯板上表面上的保护膜后，而后通过显影去除芯板上表面上的干膜，最后去掉芯板下表面上的支撑基板。优选地，步骤S41和S62中，芯板和支撑基板之间通过胶带粘接两者四周的板边进行固定。优选地，步骤S7后还包括以下步骤：S8、生产板依次经过外层钻孔、沉铜、全板电镀、制作外层线路、制作阻焊层、表面处理和成型的工序，制成线路板成品。优选地，所述支撑基板是PP片、光板或芯板。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术在制作芯板上表面的线路时，介质层受到芯板下表面铜层和膜的支撑，防止介质层破损，在制作芯板下表面的线路时，在芯板上表面膜的外侧贴支撑基板，这样介质层受到芯板上表面膜和支撑基板的支撑，防止介质层破损，该方法借助支撑基板和膜的支撑力来防止介质层破损，确保芯板在过显影、蚀刻、退膜线的喷淋过程中，介质层总有一面得到支撑，解决了介质层破损造成材料碎片污染生产线和板报废的问题，且在克服介质层破损问题的基础上，该芯板通过先依次制作好上下表面的线路，再整体与外层铜箔压合，减少压合次数至一次，降低了成本和提高了生产效率。具体实施方式为了更充分的理解本专利技术的
技术实现思路
，下面将结合具体实施例对本专利技术的技术方案作进一步介绍和说明。实施例本实施例提供一种线路板的制作方法，其中包括基于支撑基板的一次压合埋容工艺，具体工艺如下：(1)、开料：按拼板尺寸520mm×620mm开出埋容芯板，芯板厚度0.8mm，外层铜箔厚度为0.5OZ。(2)、制作内层线路(负片工艺)：具体包括以下步骤：S1、在埋容芯板的两表面铜层上贴干膜；S2、在干膜的外表面贴保护膜；S3、而后采用全自动曝光机，以5-6格曝光尺(21格曝光尺)在埋容芯板的上表面完成内层线路曝光，且埋容芯板下表面的干膜被整面曝光；S4、去掉保护膜后，通过显影工序在埋容芯板的上表面形成内层线路图形；S5、而后通过蚀刻工序在埋容芯板的上表面形成内层线路，然后退膜；S6、在埋容芯板的两表面上贴干膜；S7、在干膜的外表面贴保护膜；S8、而后采用全自动曝光机，以5-6格曝光尺(21格曝光尺)在埋容芯板的下表面完成内层线路曝光，且埋容芯板上表面的干膜不进行曝光；S9、在埋容芯板上表面的保护膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与埋容芯板的尺寸相同；S10、去掉埋容芯板下表面上的保护膜后，通过显影工序在埋容芯板的下表面形成内层线路图形；S11、而后通过蚀刻工序在埋容芯板的下表面形成内层线路，然后退膜；S12、去掉埋容芯板上表面上的支撑基板；S13、在埋容芯板的下表面上贴支撑基板；S14、去掉埋容芯板上表面上的保护膜后，而后通过显影去除埋容芯板上表面上的干膜，最后去掉埋容芯板下表面上的支撑基板；S15、然后检查埋容芯板上下表面的内层线路的开短路、线路缺口、线路针孔等缺陷,有缺陷报废处理，无缺陷的产品出到下一流程。上述中，在步骤S9和S13中，芯板和支撑基板之间通过胶带粘接两者四周的板边进行固定；且支撑基板选择防水、耐腐蚀、有一定支撑力、表面平整的材料，比如PP片、光板或芯板等，避免用已经钻孔而不平整的废板。(3)、压合：将埋容芯板和外层铜箔用半固化片预叠合在一起后(具体排板顺序由上到下为外层铜箔、半固化片、埋容芯板、半固化片、外层铜箔)，然后根据板料Tg选用适当的层压条件将叠合板进行压合，形成生产板。(4)、外层钻孔：根据钻孔资料，使用机械钻孔的方式，在生产板上钻孔。(5)、沉铜：在孔壁上通过化学反应的方式沉积一层薄铜，为后面的全板电镀提供基础，背光测试10级，孔中的沉铜厚度为0.5μm。(6)、全板电镀：根据电化学反应的机理，在沉铜的基础上电镀上一层铜，保证孔铜厚度达到产品要求，根据完成孔铜厚度设定电镀参数。(7)、制作外层线路(正片工艺)：外层图形转移，采用全自动曝光机和正片线路菲林，以5-7格曝光尺(21格曝光尺)完成外层线路曝光，经显影，在生产板上形成外层线路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、在芯板的两表面铜层上贴膜，而后通过曝光、显影在芯板的上表面上形成内层线路图形，且曝光时芯板下表面的膜整面被曝光；S2、而后通过蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路，然后退膜；S3、在芯板的两表面上贴膜，而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光，且芯板上表面的膜不进行曝光；S4、在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同；而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形；S5、而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路，然后退膜；S6、去掉芯板上表面的支撑基板，在芯板的下表面上贴支撑基板，然后再依次去除芯板上表面上的膜和下表面上的支撑基板；S7、芯板通过半固化片与外层铜箔压合，形成生产板。

【技术特征摘要】
1.一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、在芯板的两表面铜层上贴膜，而后通过曝光、显影在芯板的上表面上形成内层线路图形，且曝光时芯板下表面的膜整面被曝光；S2、而后通过蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路，然后退膜；S3、在芯板的两表面上贴膜，而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光，且芯板上表面的膜不进行曝光；S4、在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板，且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同；而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形；S5、而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路，然后退膜；S6、去掉芯板上表面的支撑基板，在芯板的下表面上贴支撑基板，然后再依次去除芯板上表面上的膜和下表面上的支撑基板；S7、芯板通过半固化片与外层铜箔压合，形成生产板。2.根据权利要求1所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S1中具体包括以下步骤：S11、在芯板的两表面铜层上贴干膜；S12、在干膜的外侧贴保护膜；S13、而后通过曝光工序在芯板的上表面完成内层线路曝光，且芯板下表面的干膜被整面曝光；S14、去掉保护膜后，通过显影工序在芯板的上表面形成内层线路图形。3.根据权利要求1所述的基于支撑基板的一次压合埋容工艺，其特征在于，步骤S3中具体包括以下步骤：S31、在...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶国俊，马毅，袁为群，宋建远，何为，孙保玉，
申请(专利权)人：深圳崇达多层线路板有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44