The invention discloses a method for reducing the density of defects on the surface of silicon carbide epitaxy. The silicon carbide substrate is treated by in-situ composite etching in a mixed atmosphere of hydrogen and argon before epitaxy growth. The problem of large surface damage caused by pure hydrogen etching is solved by introducing relatively mild argon gas, and the temperature field and pure hydrogen etching phase are obtained. More uniform, while effectively treating the damaged layer introduced by CMP on the substrate, the instability of the substrate surface at the initial stage of epitaxy is reduced or even eliminated, which greatly reduces the surface defects extended into the epitaxy layer due to the substrate reason, and can effectively reduce the density of surface defects in the epitaxy layer. The process of the method is simple, feasible and compatible with the existing epitaxy process, and has high popularization value.
【技术实现步骤摘要】
一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法
本专利技术属于半导体外延材料
,尤其涉及一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法。
技术介绍
第三代宽禁带半导体材料中,碳化硅(SiC)具有宽禁带、高击穿场强和高热导率等优异的物理性能和电学性能,使其在高温、高压和高频器件等领域具有十分广阔的应用前景。4H-SiC是SiC多型中性能最优异的材料,具有更大的带隙以及体电子迁移率,较小的各项异性,是研制电力电子器件的首选材料。目前,SiC电力电子器件已被广泛用于混合动力汽车、电动汽车设备、SiC器件电源模块、SiC变频空调、SiC逆变器等领域。对比传统的硅器件,4H-SiC电力电子器件最大的优势就是能够高压、超高压工作,其研制需要高质量的碳化硅外延材料。目前4H-SiC电力电子器件用外延材料主要采用化学气相沉积的方法在低偏角(主要是4°)衬底上制备,随着关键技术的突破,可以在衬底上生长高质量的外延材料,工程化的4H-SiC外延材料可以达到表面外延缺陷密度<1cm-2的水平。在常规的SiC外延工艺中,在开始外延生长之前,一般都会对衬底进行原位高温氢气刻蚀处理,以提高外延片表面质量。尽管如此,常规工艺刻蚀处理后,外延后外延片表面仍然存在一定量的衬底引入的表面缺陷。
技术实现思路
专利技术目的:针对以上问题,本专利技术提出一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法。技术方案:为实现本专利技术的目的,本专利技术所采用的技术方案是:一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,包括步骤:(1)将清洗过的碳化硅衬底置于化学气相沉积设备内的基座上;(2)设置反应室压力为80-150mbar ...
【技术保护点】
1.一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,其特征在于:包括步骤:(1)将清洗过的碳化硅衬底置于化学气相沉积设备内的基座上;(2)设置反应室压力为80‑150mbar,氢气流量为80‑150L/min,升温至温度1400‑1500℃;(3)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行纯氢气刻蚀1‑10分;(4)保持反应室压力和氢气流量不变,向反应室通入氩气,Ar/H2流量比范围为0.5%‑5.0%;(5)保持反应室压力不变,继续升温至温度1550‑1680℃,温度的升高过程中,采用线性缓变的方式降低氢气流量至50‑80L/min,同时采用线性缓变的方式提高氩气流量,Ar/H2流量比为10%‑50%;(6)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行氢氩混合气氛原位复合刻蚀1‑10分钟;(7)采用线性缓变的方式提高氢气流量,同时降低氩气流量至零,恢复反应室气氛为纯氢气;(8)向反应室通入碳源、硅源和掺杂源,生长相应结构的碳化硅外延层;(9)外延生长完成之后,关闭生长源和掺杂源,设置氢气流量为100~200slm,降温至装取片温度,而后氩气置换氢气并充填至大气压,取出碳化硅外延片。
【技术特征摘要】
1.一种降低碳化硅外延表面缺陷密度的方法,其特征在于:包括步骤:(1)将清洗过的碳化硅衬底置于化学气相沉积设备内的基座上;(2)设置反应室压力为80-150mbar,氢气流量为80-150L/min,升温至温度1400-1500℃;(3)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行纯氢气刻蚀1-10分;(4)保持反应室压力和氢气流量不变,向反应室通入氩气,Ar/H2流量比范围为0.5%-5.0%;(5)保持反应室压力不变,继续升温至温度1550-1680℃,温度的升高过程中,采用线性缓变的方式降低氢气流量至50-80L/min,同时采用线性缓变的方式提高氩气流量,Ar/H2流量比为10%-50%;(6)保持温度和反应室压力不变,对衬底进行氢氩混合气氛原位复合刻蚀1-10分钟;(7)采用线性缓变的方式提高氢气流量,同时降低氩气流量至零,恢复反应室气氛为纯氢气;(8)向反应室通入碳源...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵志飞,李赟,王翼,李忠辉,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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