【技术实现步骤摘要】
设计集成电路的方法及其系统[相关申请的交叉参考]本申请主张在2017年4月28日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0055660号的优先权,所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。
本专利技术概念涉及一种集成电路,且更具体来说,涉及一种通过时序延迟来设计集成电路的的方法及其系统。
技术介绍
可基于标准单元来设计集成电路。具体来说,可通过放置用于界定集成电路的标准单元以及对所放置的标准单元进行路由来产生集成电路的布局。接着使用路由数据来制作集成电路。
技术实现思路
根据示例性实施例的一方面,提供一种设计集成电路的方法,所述方法包括:使用至少一个处理器从放置及路由数据产生配线数据,所述配线数据对应于集成电路中所包含的网,所述配线数据包括与所述网对应的配线的金属层信息及所述配线的物理信息;使用所述至少一个处理器、利用所述配线数据中所包含的所述配线的所述物理信息来执行时序分析,以产生时序分析数据;以及根据所述时序分析数据来改变所述集成电路的布局。根据示例性实施例的另一方面,提供一种设计集成电路的方法,所述方法包括:使用至少一个处理器执行合成运算,以从关于集成电路的输入数据产生网表;使用所述至少一个处理器来放置及路由标准单元,以产生布局数据及配线数据,所述标准单元使用所述网表来定义所述集成电路;使用所述至少一个处理器从所述布局数据提取寄生分量;以及使用所述至少一个处理器基于所述布局数据及所述配线数据、根据时序约束条件来执行所述集成电路的时序分析。根据示例性实施例的另一方面,提供一种设计集成电路的方法,所述方法包括:使用至少一个处理器从放置及 ...
【技术保护点】
1.一种设计集成电路的方法,其特征在于,包括:使用至少一个处理器从放置及路由数据产生配线数据,所述配线数据对应于集成电路中所包含的网,所述配线数据包括与所述网对应的配线的金属层信息及所述配线的物理信息;使用所述至少一个处理器、利用所述配线数据中所包含的所述配线的所述物理信息来执行时序分析,以产生时序分析数据;以及根据所述时序分析数据来改变所述集成电路的布局。
【技术特征摘要】
2017.04.28 KR 10-2017-0055660;2018.01.04 US 15/8621.一种设计集成电路的方法,其特征在于,包括:使用至少一个处理器从放置及路由数据产生配线数据,所述配线数据对应于集成电路中所包含的网,所述配线数据包括与所述网对应的配线的金属层信息及所述配线的物理信息;使用所述至少一个处理器、利用所述配线数据中所包含的所述配线的所述物理信息来执行时序分析,以产生时序分析数据;以及根据所述时序分析数据来改变所述集成电路的布局。2.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,所述配线的所述物理信息包括与所述配线的工艺变化有关的信息。3.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,所述物理信息包括所述配线的长度信息。4.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,所述配线数据包括金属层的层信息及所述金属层的物理信息。5.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,所述配线数据包括通孔的层信息及所述通孔的物理信息。6.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,执行时序分析包括:使用所述配线的所述物理信息来计算所述配线的时序延迟;以及使用所计算的所述时序延迟来确定所述网的时间余量。7.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,所述网包括位于所述集成电路的第一金属层上的第一配线、及位于与所述第一金属层不同的第二金属层上的第二配线。8.根据权利要求7所述的设计集成电路的方法,其特征在于,执行所述时序分析包括:基于所述第一配线的长度及所述第一金属层的单位延迟来计算所述第一金属层的第一配线延迟;以及基于所述第二配线的长度及所述第二金属层的单位延迟来计算所述第二金属层的第一配线延迟。9.根据权利要求8所述的设计集成电路的方法,其特征在于,执行所述时序分析包括:基于所述第一配线的所述长度、所述第一金属层的所述单位延迟、及所述第一金属层的阻容变化比例因数来计算所述第一金属层的第二配线延迟;以及基于所述第二配线的所述长度、所述第二金属层的所述单位延迟、及所述第二金属层的阻容变化比例因数来计算所述第二金属层的第二配线延迟。10.根据权利要求9所述的设计集成电路的方法,其特征在于,执行所述时序分析包括:基于所述第一金属层的所述第一配线延迟及所述第一金属层的所述第二配线延迟来计算第一配线延迟偏斜;基于所述第二金属层的所述第一配线延迟及所述第二金属层的所述第二配线延迟来计算第二配线延迟偏斜;以及基于所述第一配线延迟偏斜及所述第二配线延迟偏斜来计算所述网的时间余量。11.根据权利要求1所述的设计集成电路的方法,其特征在于,所述执行所述时序分析包括基于时间常数比例因数来计...
【专利技术属性】
技术研发人员:李钟馝,朴琫一,金汶洙,许铣益,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。