电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术的电子装置具有：基板5；设置在第一导体层上的第一电子元件91；设置在所述第一电子元件上的第二电子元件92；以及具有设置在第二导体层72上的基端部45以及通过导电性接合剂75与所述第二电子元件92的表面电极92a相连接的头部40的连接件50。其中，所述基端部45在所述第二导体层72上的载置面积，比所述头部40在所述第二电子元件92上的载置面积更大。所述基端部45比所述头部40更靠近基板5侧，所述连接件50的重心位置位于所述连接件50的基端部45侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置
本专利技术涉及一种电子装置。
技术介绍
以往，已知一种电子装置，其包含两层以上堆叠的电子元件，并且利用封装树脂等的封装部来进行封装。像这样将电子元件堆叠两层以上的情况下，一般所采用的形态是使用多根导线(Wire)来连接电子元件与导体层。但是，对于位于上方的电子元件来说，其发热后产生出热量需要经由导线或者是下方的电子元件来进行散热，因此其散热性相对于位于下方的电子元件来将，是不充分的。出于这一点，为了提高散热性，也有方案提出在电子元件之间设置内插板(Interposer)(例如，参照特开2013-222905)。但是，设置内插板就意味着需要一个原本多余的构件，因此，业界普遍期待一种既不用设置这样的构件，又能够提高散热性的简易结构。本专利技术鉴于上述情况，目的是提供一种：能够将来自于电子元件的的热量有效地进行散热的电子装置。
技术实现思路
本专利技术所涉及的电子装置，包括：基板；导体层，具有设置在所述基板上的第一导体层以及第二导体层；第一电子元件，设置在所述第一导体层上；第二电子元件，设置在所述第一电子元件上；以及连接件，具有设置在所述第二导体层上的基端部、以及与所述基端部形成为一体，并且通过导电性接合剂与所述第二电子元件的表面电极相连接的头部；其中，所述基端部在所述第二导体层上的载置面积，比所述头部在所述第二电子元件上的载置面积更大，所述基端部比所述头部更靠近所述基板侧，所述连接件的重心位置位于所述连接件的所述基端部侧。在本专利技术涉及的电子装置中，可以是：所述第一电子元件以及所述第二电子元件为功率半导体元件，所述第一电子元件的发热量比所述第二电子元件的发热量更大。在本专利技术涉及的电子装置中，可以是：进一步包括一个以上的第三电子元件，设置在所述第一电子元件的上方，并且设置在所述第二电子元件的下方。在本专利技术涉及的电子装置中，可以是：所述头部具有朝所述第二电子元件侧突出的第二凸部、以及从所述第二凸部朝所述第二电子元件侧突出的第一凸部。在本专利技术涉及的电子装置中，可以是：所述头部具有朝所述第二电子元件侧突出的第二凸部，所述基端部具有支撑面，所述第二凸部的平面形状为长圆形，所述支撑面的平面形状为矩形。在本专利技术涉及的电子装置中，可以是：所述基端部具有支撑面、以及设置在所述支撑面的边缘的凹部。在本专利技术涉及的电子装置中，可以是：所述基端部具有朝表面一侧弯曲后延伸的弯曲部，所述凹部朝表面一侧至少延伸至所述弯曲部。专利技术效果在本专利技术中，由于连接件的基端部在第二导体层上的载置面积，比头部在第二电子元件上的载置面积更大，并且连接件的重心位置位于连接件的基端部上方，因此就能够防止连接件向头部倾斜。基于上述这些原因，就能够将来自于第一电子元件或第二电子元件的热量以稳定的状态有效地传导至第二导体层从而使热量逃散。并且，如前述般由于连接件的重心位置位于连接件的基端部上方，因此能够防止连接件向头部倾斜。其带来的结果就是，能够防止因头部的边缘部处的导电性接合剂厚度变薄所导致的可靠性降低。简单附图说明图1是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的斜视图。图2是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的一部分放大侧方图。图3是本专利技术的实施方式中所使用的连接件的底面图。图4是本专利技术的实施方式中所使用的连接件的斜视图。图5是本专利技术的第一实施方式中所使用的第一凸部的一个形态的侧方图。图6是本专利技术的第一实施方式中所使用的第一凸部的另一个形态的侧方图。图7(a)是展示仅设置有一个第三半导体元件的形态的侧方截面图，图7(b)是展示设置有两个第三半导体元件的形态的侧方截面图。图8是本专利技术的实施方式中所使用的连接件的一个变形例底面图。图9是本专利技术的实施方式中所使用的连接件的另一个变形例底面图。图10是本专利技术的实施方式中所使用的第二半导体元件的表面电极形状的说明用平面图。图11是本专利技术的实施方式涉及的半导体装置的侧方图。具体实施方式《构成》如图1所示，作为一例本实施方式的电子装置的半导体装置，其可以具有：例如由绝缘性材料构成的基板5、以及设置在基板5上的，并且由铜等构成的导体层70。基板5的背面也可以设置由铜等构成的散热板79。半导体装置还可以具有：由封装树脂等构成的封装部80(参照图11)、以及设置在封装部80内的作为一例电子元件的半导体元件91、92。与导体层70相连接的端子(未图示)可以从封装部80朝外部突出。导体层70可以具有设置在基板5上的第一导体层71以及第二导体层72。半导体元件91、92可以具有设置在第一导体层71上的并且作为一例第一电子元件的第一半导体元件91、以及设置在第一半导体元件91上的并且作为一例第二电子元件的第二半导体元件92。在本实施方式中，虽然将使用半导体装置来作为电子装置；使用第一半导体元件91来作为第一电子元件；以及使用第二半导体元件92来作为第二电子元件进行说明，但并不仅限于此，本专利技术没有必要一定是半导体。如图2所示，半导体装置可以具有连接件50。连接件50具有：通过焊锡等的导电性接合剂75设置在第二导体层72上的基端部45、以及与基端部45形成为一体，并且通过导电性接合剂75设置在第二半导体元件92的表面上的头部40。第一半导体元件91的背面与第一导体层71以及第二半导体元件92的背面与第一半导体元件91的表面可以通过焊锡等的导电性接合剂75来连接。基端部45在第二导体层72上的载置面积，可以比头部40在第二半导体元件92上的载置面积更大。作为一例，基端部45在第二导体层72上的载置面积为后述的支撑面46的面积；头部40在第二半导体元件92上的载置面积为后述的第二凸部42的面积。基端部45可以比头部40更靠近下方(基板5一侧)，并且连接件50的重心位置可以位于连接件50的基端部45一侧。(参照图4以及图11)。另外，图11中所示的半球状凸部为模拟(Simulation)后的结果，其展示的是计算出的重心位置。第一半导体元件91可以为共源共栅连接(Cascodeconnection)的开关元件，第二半导体元件92可以为控制元件。该情况下，开关元件的发热量可以比控制元件的发热量更大。作为一例，第一半导体元件91可以为碳化硅功率元件或氮化镓功率元件，第二半导体元件92可以为MOSFET。另外，第二半导体元件92也可以是为集成电路、开关元件或整流元件。如图1所示，导体层70可以具有第三导体层73。作为一例，该第三导体层73会在第二半导体元件92为开关元件的情况下被使用。另外，第一半导体元件91以及第二半导体元件92可以各自为功率半导体元件。通过使用本实施方式中的连接件50，就能够减小布线电阻。另外，通常导线是由铝形成的，而连接件50则是由含有铜的材料(仅含有铜)形成的。通过采用这种含铜材料，就能够进一步减小布线电阻，进而还能够减低来自于开关元件的噪声(Noise)。特别是在第一半导体元件91为共源共栅连接的开关元件(碳化硅功率元件或氮化镓功率元件)的情况下，由于开关转换速度很快，因此噪声带来的影响也就会更大。从这一点来说，通过采用由含铜材料构成的连接件50，就能够减少上述噪声所带来的影响。另外，将布线电阻减小后即便是减低开关元件的转换速度，也会有电流通过，因此从结果上来说也能够降低噪声的发生率。另外，如图7(a)、(b)所示，半导体元件(电子元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：基板；导体层，具有设置在所述基板上的第一导体层以及第二导体层；第一电子元件，设置在所述第一导体层上；第二电子元件，设置在所述第一电子元件上；以及连接件，具有设置在所述第二导体层上的基端部、以及与所述基端部形成为一体，并且通过导电性接合剂与所述第二电子元件的表面电极相连接的头部；其中，所述基端部在所述第二导体层上的载置面积，比所述头部在所述第二电子元件上的载置面积更大，所述基端部比所述头部更靠近所述基板侧，所述连接件的重心位置位于所述连接件的所述基端部侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置，其特征在于，包括：基板；导体层，具有设置在所述基板上的第一导体层以及第二导体层；第一电子元件，设置在所述第一导体层上；第二电子元件，设置在所述第一电子元件上；以及连接件，具有设置在所述第二导体层上的基端部、以及与所述基端部形成为一体，并且通过导电性接合剂与所述第二电子元件的表面电极相连接的头部；其中，所述基端部在所述第二导体层上的载置面积，比所述头部在所述第二电子元件上的载置面积更大，所述基端部比所述头部更靠近所述基板侧，所述连接件的重心位置位于所述连接件的所述基端部侧。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于：其中，所述第一电子元件以及所述第二电子元件为功率半导体元件，所述第一电子元件的发热量比所述第二电子元件的发热量更大。3.根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于：其中，进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：森永雄司，梅田宗一郎，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP