像素结构及触控面板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构，包括扫描线、数据线、开关元件、平坦层、第一共通电极、共通线、第一绝缘层、像素电极、第二绝缘层以及第二共通电极。开关元件具有源极与漏极。共通线位于平坦层上且与第一共通电极直接接触。平坦层位于扫描线、数据线及开关元件上。像素电极藉由第一接触洞与漏极电性连接，其中第一接触洞贯穿平坦层与第一绝缘层。第二共通电极藉由第二接触洞与第一共通电极电性连接，其中第二接触洞贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。一种触控面板亦被提出。

Pixel structure and touch panel

The invention discloses a pixel structure, which comprises a scanning line, a data line, a switching element, a flat layer, a first common electrode, a common line, a first insulating layer, a pixel electrode, a second insulating layer and a second common electrode. The switching element has source and drain. The common line is located on the flat layer and is directly in contact with the common electrode. The flat layer is located on the scan line, data line and switch element. The pixel electrode is electrically connected with the drain through the first contact hole, which runs through the flat layer and the first insulating layer. The second common electrode is electrically connected with the first common electrode by the second contact hole, in which the second contact hole penetrates the first insulating layer and the second insulating layer. A touch panel has also been put forward.

【技术实现步骤摘要】
像素结构及触控面板
本专利技术是有关于一种像素结构及触控面板，且特别是有关于一种包括第一共通电极与第二共通电极的像素结构及触控面板。
技术介绍
随着科技的进步，液晶显示面板的功率消耗被广泛地探讨。研究结果显示，当液晶显示面板降频操作时，以较低频的信号输出可以达到节能的效果。然而，液晶显示面板于低频(例如小于60Hz)操作时，容易因像素结构的漏电，使一个画面(frame)中出现人眼可辨的亮度下降，而在下一个画面进行充电时，亮度又会明显提升，进而产生画面闪烁(flicker)现象。因此，目前急需一种能解决上述问题的方案。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种像素结构，能改善显示画面在低频时出现画面闪烁的问题。本专利技术的一实施例提供一种触控面板，能改善显示画面在低频时出现画面闪烁的问题。本专利技术的至少一实施例提供一种像素结构，包括扫描线、数据线、开关元件、平坦层、第一共通电极、共通线、第一绝缘层、像素电极、第二绝缘层以及第二共通电极。开关元件电性连接至扫描线及数据线。开关元件具有源极与漏极。平坦层位于扫描线、数据线及开关元件上。第一共通电极位于平坦层上。共通线位于平坦层上，且与第一共通电极直接接触。像素电极位于第一绝缘层上。像素电极藉由第一接触洞与漏极电性连接。第一接触洞贯穿平坦层与第一绝缘层。第二绝缘层位于像素电极上。第二共通电极位于该第二绝缘层上。第二共通电极藉由第二接触洞与第一共通电极电性连接。第二接触洞贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。本专利技术的至少一实施例提供一种触控面板，包括第一像素结构以及第二像素结构。第一像素结构以及第二像素结构分别包括扫描线、数据线、开关元件、平坦层、第一共通电极、共通线、第一绝缘层、像素电极、第二绝缘层以及第二共通电极。开关元件电性连接至扫描线及数据线。开关元件具有源极与漏极。平坦层位于扫描线、数据线及开关元件上。第一共通电极位于平坦层上。共通线位于平坦层上，且与第一共通电极直接接触。像素电极位于第一绝缘层上。像素电极藉由第一接触洞与漏极电性连接。第一接触洞贯穿平坦层与第一绝缘层。第二绝缘层位于像素电极上。第二共通电极位于该第二绝缘层上。第二共通电极藉由第二接触洞与第一共通电极电性连接。第二接触洞贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。第一像素结构的共通线与第二像素结构的共通线彼此分离。本专利技术的目的之一为改善像素结构在低频操作时出现画面闪烁的问题。本专利技术的目的之一为提升像素结构的开口率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术一实施例的一种像素结构及其周围构件的上视示意图。图1B是根据图1A的剖面线AA’绘示的像素结构的剖面示意图。图1C是根据图1A的剖面线BB’绘示的像素结构的剖面示意图。图2A是依照本专利技术一实施例的一种触控面板的部分元件的上视示意图。图2B是依照本专利技术一实施例的一种触控面板的部分元件的上视示意图。其中，附图标记：10、P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8：像素结构100：基底110：缓冲层120：栅极绝缘层130：层间介电层140：平坦层150：第一绝缘层160：第二绝缘层AA’、BB’：剖面线CE1、CE1’：第一共通电极CE2：第二共通电极CH：通道CL、CL1、CL2：共通线CP：连接部D：漏极DL：数据线G：栅极H：狭缝N1、N2、N3、N4：角落PE、PE’：像素电极S：源极SL：扫描线SM：遮光层T：开关元件V1：第一接触洞V2：第二接触洞Vd、Vs：通孔W、W1：宽度具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。图1A是依照本专利技术一实施例的一种像素结构及其周围构件的上视示意图。图1B是根据图1A的剖面线AA’绘示的像素结构的剖面示意图。图1C是根据图1A的剖面线BB’绘示的像素结构的剖面示意图。请参考图1A至图1C，像素结构10包括扫描线SL、数据线DL、开关元件T、平坦层140、第一共通电极CE1、共通线CL、第一绝缘层150、像素电极PE、第二绝缘层160以及第二共通电极CE2。在本实施例中，像素结构10还包括基板100、遮光层SM、缓冲层110、栅极绝缘层120、层间介电层130，但本专利技术不以此为限。在图1A中还绘示了三个第一共通电极CE1’以及三个像素电极PE’，其中第一共通电极CE1’以及像素电极PE’是属于相邻于像素结构10的其他像素结构的构件。缓冲层110位于基板100上，缓冲层110的材质举例包含绝缘材料。开关元件T具有源极S、漏极D、栅极G以及通道CH。通道CH位于缓冲层110上。栅极G重叠于通道CH，且与通道CH之间夹有栅极绝缘层120。栅极G电性连接至扫描线SL。栅极G的材质为导电材料。举例而言，栅极G的材质例如包括铜(Copper,Cu)、钼(Molybdenum,Mo)、钛(Titanium,Ti)、铝(Aluminum,Al)、钨(Tungsten,W)、银(Silver,Ag)、金(Gold,Au)或上述金属的合金或上述材料的组合。栅极G可为单层结构或多层结构。在本实施例中，开关元件T为双栅极开关元件，即开关元件T包括两个栅极G，藉此能够减少漏电流的产生。然，本专利技术不限于此，根据其他实施例，开关元件T也可以是单栅极开关元件。层间介电层130同时覆盖栅极绝缘层120以及栅极G。也就是说，栅极G位于层间介电层130与栅极绝缘层120之间。漏极D与源极S位于层间介电层130上。通孔Vd位于层间介电层130与栅极绝缘层120中，且通孔Vs位于层间介电层130与栅极绝缘层120中。漏极D通过通孔Vd电性连接至通道CH，而源极S通过通孔Vs电性连接至通道CH。源极S与数据线DL电性连接。漏极D与像素电极PE电性连接。在一些实施例中，开关元件T与像素电极PE之间还包括其他驱动元件(未绘示)，但本专利技术不以此为限。在本实施例中，开关元件T是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本专利技术不限于此。根据其他实施例，上述的开关元件T也可是以底部栅极型薄膜晶体管。在本实施例中，开关元件T与基板100之间夹有遮光层SM。遮光层SM用于避免光线照射于开关元件T的通道CH而影响开关元件T中载子的正常运作，藉此防止漏电流的产生。遮光层SM的材料可以选自具有遮光效果的材料，例如包括金属、金属化合物(例如卤化银)、树脂或其他合适的材料。扫描线SL与数据线DL彼此交错设置，且扫描线SL与数据线DL之间夹有层间介电层130。在本实施例中，是以扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行为例。扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料，然而本专利技术不限于此。在其他实施例中，扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材料(例如：金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料)或是金属材料与其它导材料的堆叠层。平坦层140位于扫描线SL、数据线DL及开关元件T上。平坦层140的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类或其它合适的材料、或上述的组合)或其它合适的材料或上述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：一扫描线及一数据线；一开关元件，电性连接至该扫描线及该数据线，该开关元件具有一源极与一漏极；一平坦层，位于该扫描线、该数据线及该开关元件上；一第一共通电极，位于该平坦层上；一共通线，位于该平坦层上，且与该第一共通电极直接接触；一第一绝缘层，位于该第一共通电极与该共通线上；一像素电极，位于该第一绝缘层上，且藉由一第一接触洞与该漏极电性连接，其中该第一接触洞贯穿该平坦层与该第一绝缘层；一第二绝缘层，位于该像素电极上；以及一第二共通电极，位于该第二绝缘层上，且藉由一第二接触洞与该第一共通电极电性连接，其中该第二接触洞贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层。

【技术特征摘要】
2018.03.30 TW 1071111281.一种像素结构，其特征在于，包括：一扫描线及一数据线；一开关元件，电性连接至该扫描线及该数据线，该开关元件具有一源极与一漏极；一平坦层，位于该扫描线、该数据线及该开关元件上；一第一共通电极，位于该平坦层上；一共通线，位于该平坦层上，且与该第一共通电极直接接触；一第一绝缘层，位于该第一共通电极与该共通线上；一像素电极，位于该第一绝缘层上，且藉由一第一接触洞与该漏极电性连接，其中该第一接触洞贯穿该平坦层与该第一绝缘层；一第二绝缘层，位于该像素电极上；以及一第二共通电极，位于该第二绝缘层上，且藉由一第二接触洞与该第一共通电极电性连接，其中该第二接触洞贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共通线的线宽为W，该共通线被该第一共通电极覆盖的部分的宽度为W1，其中0<W1<W。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二共通电极重叠于该数据线。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二接触洞重叠于该数据线。5.如权利要求1所述的像素结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲嘉，庄铭宏，陈信学，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71