显示面板制造技术

一种显示面板，包括一基板、至少一第一晶体管以及至少一第二晶体管。基板包括至少一反射区及至少一穿透区。第一晶体管配置于基板之上，且位于对应的反射区，各个第一晶体管包括一第一有源层。第二晶体管配置于基板之上，且位于对应的穿透区，各个第二晶体管包括一第二有源层。其中，第一有源层的材料不同于第二有源层的材料。

Display panel

A display panel includes a base plate, at least one first transistor and at least one second transistor. The substrate includes at least one reflective area and at least one penetration area. The first transistor is disposed on the substrate and located in the corresponding reflection region. Each first transistor includes a first active layer. The second transistor is disposed on the substrate and located in the corresponding penetration region. Each second transistor includes a second active layer. Among them, the material of the first active layer is different from that of the second active layer.

【技术实现步骤摘要】
显示面板
本专利技术是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种包括反射区及穿透区的显示面板。
技术介绍
近来，随着可携式电子产品的普及，对于能够适用于室外环境及室内环境的显示装置的需求亦与日俱增。其中，由于半穿透半反射式液晶显示器(TRLCD)兼具穿透式及反射式液晶显示器的优点，可同时利用来自背光组件的穿透光，以及来自环境光源的反射光，使液晶显示器可在户外强烈的光线下仍可维持一定可视性，并在背光组件电源关闭时，还可藉由环境光反射显示信息，节省面板的耗电量，故已成为备受欢迎的液晶显示器的类型。然而，由于现代人对于显示品质愈趋重视，期望面板在播放动态画面时能够更加清晰，而若顾及画面的清晰程度恐需耗费相当多的电力。因此，目前的半穿透半反射式液晶显示器仍未能达成兼顾画面品质及节省电力的需求。
技术实现思路
本专利技术有关于一种显示面板。本专利技术的显示面板包括反射区与穿透区，且在反射区与穿透区选用不同类型的第一晶体管及第二晶体管，藉由第一晶体管与第二晶体管的不同材料的特性，在反射区与穿透区能分别发挥省电及显示品质清晰的功效。根据本专利技术的一方面，提出一种显示面板。显示面板包括一基板、至少一第一晶体管以及至少一第二晶体管。基板包括至少一反射区及至少一穿透区。第一晶体管配置于基板之上，且位于对应的反射区，各个第一晶体管包括一第一有源层。第二晶体管配置于基板之上，且位于对应的穿透区，各个第二晶体管包括一第二有源层。其中，第一有源层的材料不同于第二有源层的材料。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1示出根据本专利技术一实施例的显示面板的上视图。图2示出根据本专利技术一实施例的显示面板的像素布局示意图。图3示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的像素布局示意图。图4示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的像素布局示意图。图5示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的像素布局示意图。图6示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的像素布局示意图。图7示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的像素布局示意图。图8示出根据本专利技术一实施例的显示面板的局部剖面图。图9示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的局部剖面图。图10示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的局部剖面图。图11示出根据本专利技术又一实施例的显示面板的局部剖面图。其中，附图标记：10、20、30、40、50、60、70、80、90、100：显示面板101、201、301、401：基板101a：表面110、210、310、410：缓冲层120、220、320、420：第一绝缘层130、230、330、430：第二绝缘层150、250、350、450：第一保护层160、260、360、460：第二保护层170、270、370、470：反射层180a、181、281、381、481：第一像素电极180b、182、282、382、482：第二像素电极191、192、291、292、391、392、491、492：通孔1411、2411、3411、4411：第一有源层1412、2412、3412、4412：第一源极1413、2413、3413、4413：第一漏极1414、2414、3414、4414：第一栅极1421、2421、3421、4421：第二有源层1422、2422、3422、4422：第二源极1423、2423、3423、4423：第二漏极1424、2424、3424、4424：第二栅极AA：可视区AB：周边电路区AC：驱动电路区AAi：方块D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7：数据线G1、G2、G3、G4：扫描线I2，1、I4，1、I6，1、I2，2、I2，3...、I141、I241、I341、I441：第一晶体管L1，1、L3，1、L5，1、L1，2、L1，3...、L142、L242、L342、L442：第二晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6：行数N1、N2、N3：列数Rr：反射区Tr：穿透区具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：本专利技术有关于一种显示面板。本专利技术的显示面板包括反射区与穿透区，且在反射区与穿透区选用不同类型的第一晶体管及第二晶体管，由于第一晶体管所使用的材料能够降低显示面板的漏电量，第二晶体管所使用的材料能够提高显示面板的画面的更新速率，故能达到兼具省电及提升画质的效果。图1示出根据本专利技术一实施例的显示面板10的上视图。请参照图1，显示面板10包括一基板101，基板101的一表面101a上具有可视区AA，周边电路区AB以及驱动电路区AC。基板101可与另一基板(未示出)对组，且基板101与另一基板之间可具有一液晶层(未示出)。表面101a为面向液晶层及另一基板的表面，亦即是基板101的内侧。基板101的可视区AA中包括反射区Rr及穿透区Tr，如图2的一部分可视区AA的方块AAi所示。图2示出根据本专利技术一实施例的显示面板10的像素布局示意图。请参照图2，显示面板10包括第一晶体管I(例如是I2，1、I4，1、I6，1...I2，2、I4，2、I6，2...、I2，3、I4，3、I6，3...)以及第二晶体管L(例如是L1，1、L3，1、L5，1...L1，2、L3，2、L5，2...L1，3、L3，3、L5，3)。第一晶体管I配置于基板101的表面101a上，且位于对应的反射区Rr。第二晶体管L配置于基板101的表面101a上，且位于对应的穿透区Tr。第一晶体管I包括第一有源层；第二晶体管L包括第二有源层，其中第一有源层的材料可不同于第二有源层的材料。在一实施例中，第一有源层的材料包括氧化物半导体，此氧化物半导体可以是元素周期表中第II到IV族的元素的氧化物的混合物，例如是氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锌锡(ZTO)及氧化锡(SnO)。第二有源层的材料包括多晶硅。换言之，第一晶体管I可以是氧化物半导体晶体管，而第二晶体管L可以是多晶硅晶体管。多晶硅晶体管相较于氧化物半导体晶体管以及非晶硅晶体管而言，具备较高的充电速率，可提供显示面板较佳的画面更新率(framerate)，可改善残影(motionblur)的现象，呈现动态画面时的像素品质相当优异。氧化物半导体晶体管相较于多晶硅半导体晶体管以及非晶硅晶体管而言，具备更低的漏电流，在降低画面更新率的操作之下仍可维持静态画面，达到节省显示面板的耗电量的目的。在本专利技术中，由于对应于反射区的第一晶体管I是选用氧化物半导体晶体管，对应于穿透区的第二晶体管L是选用多晶硅晶体管，使得氧化物半导体晶体管能够藉由其低漏电的特性，在需要呈现静态画面时维持低画面更新率的操作，达到省电的需求，多晶硅晶体管则能够藉由其高充电能力的特性，在需要呈现动态画面时进行高画面更新率的操作，达成提升动画的画质的目的，故可提供兼具优异的画质及省电效能的显示面板。请参照图2，显示面板10上包括相交错的多条数据线D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7...以及多条扫描线G1、G2、G3、G4...，将基板101区划分成多个像素组，各个像素组包括多个像素(例如是包括红色像素R、绿色像素G及蓝色像素B(未示出))。数据线D1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：一基板，包括至少一反射区及至少一穿透区；至少一第一晶体管，配置于该基板之上，且位于对应的该反射区，各该第一晶体管包括一第一有源层；以及至少一第二晶体管，配置于该基板之上，且位于对应的该穿透区，各该第二晶体管包括一第二有源层；其中该第一有源层的材料不同于该第二有源层的材料。

【技术特征摘要】
2018.05.07 TW 1071154681.一种显示面板，其特征在于，包括：一基板，包括至少一反射区及至少一穿透区；至少一第一晶体管，配置于该基板之上，且位于对应的该反射区，各该第一晶体管包括一第一有源层；以及至少一第二晶体管，配置于该基板之上，且位于对应的该穿透区，各该第二晶体管包括一第二有源层；其中该第一有源层的材料不同于该第二有源层的材料。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其中该第一有源层包括氧化物半导体，该第二有源层包括多晶硅。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，其上更包括相交错的多条数据线以及多条扫描线，将该基板划分成多个像素组，各该像素组包括多个像素，各该第一晶体管与各该第二晶体管与对应的该数据线、该扫描线以及该像素耦接，该至少一反射区及该至少一穿透区的数目均为多个，且该些反射区以及该些穿透区排列成具有多行(columns)和多列(rows)的一矩阵且对应于该些像素，其中每一该数据线仅耦接于该第一晶体管或该第二晶体管。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，其中每一该像素组更包括：沿一第一方向依序设置的一第x条数据线、一第x+1条数据线以及一第x+2条数据线，其中x为正整数；1个该第一晶体管，位于该第x条数据线与该第x+1条数据线之间且耦接于该第x条数据线；以及1个该第二晶体管，位于该第x+1条数据线与该第x+2条数据线之间且耦接于该第x+1条数据线。5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，其中每一该像素组包括：沿一第一方向依序设置的一第x条数据线、一第x+1条数据线以及一第x+2条数据线；1个第m行第n列的该第一晶体管以及1个第m行第n+1列的该第二晶体管，位于该第x条数据线与该第x+1条数据线之间，第m行第n列的该第一晶体管耦接于该第x+1条数据线，第m行第n+1列的该第二晶体管耦接于该第x条数据线；以及1个第m+1行第n列的该第二晶体管以及1个第m+1行第n+1列的该第一晶体管，位于该第x+1条数据线与该第x+2条数据线之间，第m+1行第n列的该第二晶体管耦接于该第x+2条数据线，第m+1行第n+1列的该第一晶体管耦接于该第x+1条数据线，其中x、m、n为正整数。6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，其中每一该像素组包括：沿一第一方向依序设置的一第x条数据线、一第x+1条数据线以及一第x+2条数据线；1个第m行第n列的该第二晶体管、1个第m+1行第n列的该第二晶体管、1个第m行第n+1列的该第一晶体管、以及1个第m+1行第n+1列的该第一晶体管，位于该第x条数据线与该第x+1条数据线之间，第m+1行第n列的该第二晶体管通过第m行第n列的该第二晶体管耦接于该第x条数据线，第m行第n+1列的该第一晶体管通过第m+1行第n+1列的该第一晶体管耦接于该第x+1条数据线；以及1个第m+2行第n列的该第一晶体管、1个第m+3行第n列的该第一晶体管、1个第m+2行第n+1列的该第二晶体管、以及1个第m+3行第n+1列的该第二晶体管，位于该第x+1条数据线与该第x+2条数据线...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭耀，黄国有，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71