一种保护方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种保护方法和装置，应用于NAND FLASH，方法包括：接收保护至少一个存储区域的指令；确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；对处于未保护状态的存储区域进行保护。本发明专利技术实施例可以对NAND FLASH中局部或全部存储区域进行保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。

A protection method and device

The embodiment of the present invention provides a protection method and device for NAND FLASH, which includes receiving instructions to protect at least one storage area, determining at least one storage area in an unprotected state, and protecting the storage area in an unprotected state. The embodiment of the present invention can protect part or all of the storage area in NAND FLASH, prevent the damage of CELL in the area caused by write/erase operation, improve the service life of FLASH, and the protection of the storage area can be permanent protection. At the same time, the protection status of each storage area in NAND FLASH can be queried.

【技术实现步骤摘要】
一种保护方法和装置
本专利技术涉及存储
，特别是涉及一种保护方法和一种保护装置。
技术介绍
NANDFLASH(闪存)中，除OTP(OneTimeProgram，一次性写入)区域之外的存储区域，都可以进行写/擦除操作，从长时间来看，频繁地写/擦除操作会损伤NANDFLASH中存储区域的CELL(单元)，影响CELL的数据保存，减小了FLASH的使用寿命。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种保护方法和相应的一种保护装置，以解决现有技术中写/擦除操作损伤NANDFLASH中存储区域的CELL，影响CELL的数据保存，减小FLASH的使用寿命的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种保护方法，应用于NANDFLASH，包括：接收保护至少一个存储区域的指令；确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。可选地，所述对所述处于未保护状态的存储区域进行保护，包括：接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。可选地，在所述对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护之后，还包括：判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；如果否，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。可选地，所述接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址，包括：接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；接收保护区域设置确认指令。可选地，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。为了解决上述问题，本专利技术实施例还公开了一种保护装置，应用于NANDFLASH，包括：接收模块，用于接收保护至少一个存储区域的指令；状态确定模块，用于确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；保护模块，用于对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。可选地，所述保护模块包括：接收子模块，用于接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；保护子模块，用于对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。可选地，在所述保护子模块之后，还包括：判断模块，用于判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；返回模块，用于当所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域处于未保护状态时，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。可选地，所述接收子模块包括：第一接收单元，用于接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；第二接收单元，用于接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；第三接收单元，用于接收保护区域设置确认指令。可选地，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。本专利技术实施例包括以下优点：在接收到保护NANDFLASH中至少一个存储区域的指令后，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，对处于未保护状态的存储区域进行保护。这样，实现了对NANDFLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NANDFLASH中各存储区域的保护状态可查询。附图说明图1是本专利技术的一种保护方法实施例的步骤流程图；图2是本专利技术的另一种保护方法实施例的步骤流程图；图3是本专利技术的一种保护装置实施例的结构框图；图4是本专利技术的另一种保护装置实施例的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参照图1，其示出了本专利技术的一种保护方法实施例的步骤流程图，该保护方法可以应用于NANDFLASH。该保护方法具体可以包括如下步骤：步骤10，接收保护至少一个存储区域的指令。其中，至少一个存储区域可以为NANDFLASH中的至少一个块区域。其中，在应用NANDFLASH时，用户可以根据使用需求自行确定至少一个存储区域。具体地，当至少一个存储区域为多个存储区域时，至少一个存储区域可以为连续的存储区域。步骤20，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。具体地，在本专利技术的一个实施例中，NANDFLASH中每个存储区域可以具有一一对应的保护状态标志位，例如，当存储区域处于保护状态时，对应保护状态标志位可以为1；当存储区域处于未保护状态时，对应保护状态标志位可以为0。这样，步骤20根据至少一个存储区域对应保护状态标志位的值，即可确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。步骤30，对处于未保护状态的存储区域进行保护。其中，当未保护状态的存储区域为多个存储区域时，步骤30可以对处于未保护状态的存储区域同时进行保护，或步骤30可以对处于未保护状态的存储区域依次进行保护。需要说明的是，步骤30对处于未保护状态的存储区域进行保护可以为永久保护，即步骤30后，处于保护状态的存储区域只能进行读操作，而不能进行写/擦除操作。本专利技术实施例一包括以下优点：在接收到保护NANDFLASH中至少一个存储区域的指令后，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，对处于未保护状态的存储区域进行保护。这样，实现了对NANDFLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NANDFLASH中各存储区域的保护状态可查询。实施例二参照图2，其示出了本专利技术的另一种保护方法实施例的步骤流程图，该保护方法可以应用于NANDFLASH。该保护方法具体可以包括如下步骤：步骤10，接收保护至少一个存储区域的指令。步骤20，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。步骤30，对处于未保护状态的存储区域进行保护。参照图2，在本专利技术的一个实施例中，步骤30对处于未保护状态的存储区域进行保护，可以包括：步骤31，接收处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址。具体地，若处于未保护状态的存储区域为多个存储区域时，例如存储区域1、存储区域2和存储区域3，则步骤31中处于未保护状态的存储区域对应的起始地址可以为存储区域1的起始地址，步骤31中处于未保护状态的存储区域对应的结束地址可以为存储区域3的结束地址。步骤32，对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护。可选地，参照图2，在本专利技术的一个实施例中，在对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护之后，保护方法还可以包括：步骤40，判断起始地址和结束地址对应的存储区域是否处于保护状态。其中，步骤40可以根据起始地址和结束地址对应的存储区域中，每个存储区域对应保护状态标志位的值，来确定存储区域是否处于保护状态。步骤50，如果否，返回接收处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。步骤50后，进入步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护方法，应用于NAND FLASH，其特征在于，包括：接收保护至少一个存储区域的指令；确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。

【技术特征摘要】
1.一种保护方法，应用于NANDFLASH，其特征在于，包括：接收保护至少一个存储区域的指令；确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述处于未保护状态的存储区域进行保护，包括：接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护之后，还包括：判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；如果否，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址，包括：接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；接收保护区域设置确认指令。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。6.一种保护装置，应用于NANDFLASH，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，刘会娟，谢瑞杰，陈立刚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11