本发明专利技术为一种聚酰胺酸以及将其硬化而成的热塑性聚酰亚胺，所述聚酰胺酸相对于全部二胺成分的100摩尔份，含有合计为3摩尔份～60摩尔份的范围内的选自通式(8)所表示的二胺化合物中的至少一种，并且相对于全部酸酐成分的100摩尔份，含有40摩尔份～100摩尔份的范围内的联苯四羧酸二酐、以及0摩尔份～60摩尔份的范围内的均苯四甲酸二酐。[式(8)中，连结基X表示单键、或者选自‑CONH‑中的二价基；Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或者烷氧基：n表示0～2的整数：p及q独立地表示0～4的整数。]。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚酰胺酸、热塑性聚酰亚胺、树脂膜、金属包覆层叠板及电路基板
本专利技术涉及一种在柔性印刷配线板等电路基板中可用作粘接层的聚酰亚胺及其利用。
技术介绍
近年来，随着电子设备的小型化、轻量化、省空间化的进展，薄而轻量、具有可挠性且即便反复弯曲也具有优异耐久性的柔性印刷配线板(FPC：FlexiblePrintedCircuits)的需求增大。FPC由于在受限的空间中也可进行立体且高密度的安装，例如，在硬盘驱动器(HardDiskDrive，HDD)、数字多功能光碟(DigitalVersatileDisc，DVD)、移动电话等电子设备的可动部分的配线、或电缆、连接器等零件中不断扩大其用途。随着高密度化，FPC中的配线的窄间距化推进，需要微细加工。此处，作为配线材料，一般的铜箔若不使用其表面粗糙度小者，则微细的配线加工困难。另外，若铜箔的表面粗糙度大，则其表面粗糙度转印于绝缘层侧，因此在将铜箔蚀刻去除的区域，也存在绝缘层的表面会使光漫反射，透过绝缘层而无法识别出铜图案的问题。另外，由于机器的高性能化推进，故而也需要对传输信号的高频化的对应。在信息处理或信息通信中，为了进行大容量信息的传输-处理而进行提高传输频率的配合，对于电路基板材料，不仅要求绝缘层的薄化，而且要求由绝缘层的低介电常数化、低介电损耗正切化所引起的传输损耗的下降。现有的使用聚酰亚胺的FPC中，由于介电常数或介电损耗正切高，在高频域中传输损耗高，故而难以适应高频传输。因此，为了对应高频化，而使用将以低介电常数、低介电损耗正切为特征的液晶聚合物作为电介质层的FPC。然而，液晶聚合物虽然介电特性优异，但耐热性或与金属箔的粘接性存在改善的余地。出于介电特性的改善以及与金属箔的粘接性的改善的目的，提出了对与形成导体电路的铜箔接触的聚酰亚胺层的酰亚胺基浓度加以控制的铜包覆层叠板(专利文献1)。依据专利文献1，通过铜箔的表面粗糙度Rz和与铜箔接触的面的低酰亚胺基浓度的聚酰亚胺层的组合，虽可控制介电特性，但长期耐热粘接性并非充分令人满意。为了改善经低粗糙度化的铜箔与绝缘层的粘接性，而提出了在与绝缘层接触的铜箔的表面析出既定的金属的铜箔(专利文献2)。依据专利文献2，通过控制镍、锌及钴的析出量，可确保初始粘接力以及抑制耐热试验后的粘接力的下降。但是，专利文献2的铜箔由于绝缘层为非热塑性聚酰亚胺树脂，故而利用层压法的铜箔的粘接困难，制造方法或制造条件受限。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5031639号公报专利文献2：日本专利第4652020号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在FPC的高密度安装中，为了不仅实现对配线的微细加工的对应，而且抑制将铜箔蚀刻去除的区域中的绝缘层表面的光的漫反射，有效的是使用表面粗糙度小的铜箔。另外，在对信号配线供给高频信号的状态下，仅在所述信号配线的表面流通电流，电流流通的有效截面积减少，直流电阻变大，已知信号衰减的现象(表皮效果)。通过降低铜箔的与聚酰亚胺绝缘层接触的面的表面粗糙度，可抑制由所述表皮效果所引起的信号配线的电阻增大。但是，若使用降低表面粗糙度的低粗糙度铜箔，则存在聚酰亚胺绝缘层与铜箔的粘接性受损的问题。本专利技术的目的为提供一种具有聚酰亚胺粘接层的金属包覆层叠板及电路基板，所述聚酰亚胺粘接层不仅对铜箔等金属层具备优异的粘接性及长期耐热粘接性，而且通过减小介电损耗正切，可降低传输损耗，可适合用于高频用电路基板。解决问题的技术手段为了解决所述问题，本专利技术人等人发现，通过使用具有特定结构的聚酰亚胺作为粘接层，不仅对低粗糙度铜箔也具有优异的粘接性及长期耐热粘接性，而且可进行低介电损耗正切化，从而完成本专利技术。即，本专利技术的聚酰胺酸为使二胺成分、与酐成分进行反应而获得的聚酰胺酸，其特征在于：所述二胺成分，相对于全部二胺成分的100摩尔份，含有合计为40摩尔份～97摩尔份的范围内的选自下述通式(1)～通式(7)所表示的二胺化合物中的至少一种、以及合计为3摩尔份～60摩尔份的范围内的选自下述通式(8)所表示的二胺化合物中的至少一种，并且所述酸酐成分，相对于全部酸酐成分的100摩尔份，含有40摩尔份～100摩尔份的范围内的联苯四羧酸二酐、以及0摩尔份～60摩尔份的范围内的均苯四甲酸二酐。[化1][式(1)～式(7)中，R1独立地表示碳数1～6的一价烃基或者烷氧基；连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO2-、-COO-、-CH2-、-C(CH3)2-、-NH-或者-CONH-中的二价基；n1独立地表示0～4的整数；其中，式(3)中与式(2)重复者除外，式(5)中与式(4)重复者除外][化2][式(8)中，连结基X表示单键或者选自-CONH-中的二价基；Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或者烷氧基；n表示0～2的整数；p及q独立地表示0～4的整数]本专利技术的热塑性聚酰亚胺为含有由二胺成分所衍生的二胺残基以及由酸酐成分所衍生的四羧酸残基的热塑性聚酰亚胺，其特征在于：相对于全部二胺残基的100摩尔份，含有合计为40摩尔份～97摩尔份的范围内的由选自所述通式(1)～通式(7)所表示的二胺化合物中的至少一种所衍生的二胺残基、以及合计为3摩尔份～60摩尔份的范围内的选自所述通式(8)所表示的二胺化合物中的至少一种的二胺残基，并且相对于全部四羧酸残基的100摩尔份，含有40摩尔份～100摩尔份的范围内的由联苯四羧酸二酐所衍生的四羧酸残基、以及0摩尔份～60摩尔份的范围内的由均苯四甲酸二酐所衍生的四羧酸残基。本专利技术的树脂膜为具有单层或多层的聚酰亚胺层的树脂膜，其特征在于：所述聚酰亚胺层的至少一层包含所述热塑性聚酰亚胺。本专利技术的金属包覆层叠板为包括绝缘树脂层及金属层的金属包覆层叠板，其特征在于：所述绝缘树脂层具有单层或多层的聚酰亚胺层，与所述金属层接触的聚酰亚胺层包含所述热可塑聚酰亚胺。本专利技术的金属包覆层叠板的与所述绝缘树脂层接触的面的所述金属层的十点平均粗糙度(Rz)可为0.05μm～1.0μm的范围内。本专利技术的电路基板是将所述金属包覆层叠板的所述金属层加工为配线而成者。专利技术的效果本专利技术的热塑性聚酰亚胺的粘接性优异，例如对于低粗糙度铜箔也具有高的粘接力。而且，本专利技术的热塑性聚酰亚胺虽为热塑性，但由于利用由单体而来的刚直结构而在聚合物整体中形成有序结构，故而不仅可进行低介电损耗正切化，而且透气性低，可发挥优异的长期耐热粘接性。因此，具有使用本专利技术的热塑性聚酰亚胺而形成的粘接层的树脂膜与金属配线层的粘接性优异。进而，通过利用本专利技术的热塑性聚酰亚胺来形成热塑性聚酰亚胺层，可进行低介电损耗正切化。因此，本专利技术的热塑性聚酰亚胺可作为用以制造需要高密度安装或高速信号传输及高可靠性的FPC等电子零件的材料来适当使用。另外，使用本专利技术的热塑性聚酰亚胺的金属包覆层叠板也可应用于例如传输10GHz以上的高频信号的FPC等电路基板等。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。[聚酰胺酸及热塑性聚酰亚胺]<聚酰胺酸>本实施方式的聚酰胺酸为本实施方式的热塑性聚酰亚胺的前体，是使特定的二胺成分与酸酐成分进行反应而获得。<热塑性聚酰亚胺>本实施方式的热塑性聚酰亚胺是将所述聚酰胺酸进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种聚酰胺酸，其是使二胺成分与酐成分进行反应而获得，所述聚酰胺酸的特征在于：所述二胺成分，相对于全部二胺成分的100摩尔份，含有合计为40摩尔份～97摩尔份的范围内的选自下述通式(1)～通式(7)所表示的二胺化合物中的至少一种、以及合计为3摩尔份～60摩尔份的范围内的选自下述通式(8)所表示的二胺化合物中的至少一种，并且所述酸酐成分，相对于全部酸酐成分的100摩尔份，含有40摩尔份～100摩尔份的范围内的联苯四羧酸二酐、以及0摩尔份～60摩尔份的范围内的均苯四甲酸二酐。[化1]
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.17 JP 2016-0542991.一种聚酰胺酸，其是使二胺成分与酐成分进行反应而获得，所述聚酰胺酸的特征在于：所述二胺成分，相对于全部二胺成分的100摩尔份，含有合计为40摩尔份～97摩尔份的范围内的选自下述通式(1)～通式(7)所表示的二胺化合物中的至少一种、以及合计为3摩尔份～60摩尔份的范围内的选自下述通式(8)所表示的二胺化合物中的至少一种，并且所述酸酐成分，相对于全部酸酐成分的100摩尔份，含有40摩尔份～100摩尔份的范围内的联苯四羧酸二酐、以及0摩尔份～60摩尔份的范围内的均苯四甲酸二酐。[化1][式(1)～式(7)中，R1独立地表示碳数1～6的一价烃基或者烷氧基；连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO2-、-COO-、-CH2-、-C(CH3)2-、-NH-或者-CONH-中的二价基；n1独立地表示0～4的整数；其中，式(3)中与式(2)重复者除外，式(5)中与式(4)重复者除外。][化2][式(8)中，连结基X表示单键、或者选自-CONH-中的二价基；Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或者烷氧基；n表示0～2的整数；p及q独立地表示0～4的整数。]2.一种热塑性聚酰亚胺，其含有由二胺成分衍生的二胺残基以及由酸酐成分衍生的四羧酸残基，所述热塑性聚酰亚胺的特征在于：相对于全部二胺残基的100摩尔份，含有合计为40摩尔份～97摩尔份的范围内的由选自下述通式(1)～通式(7)所表示的二胺化合物中的至少一种所衍生的二...
【专利技术属性】
技术研发人员：须藤芳树，西山哲平，
申请(专利权)人：新日铁住金化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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