一种半导体激光器热沉的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体激光器热沉的制备方法，属于半导体技术领域。先清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；再制备金属层；接着进行去光刻胶处理；进行第二次光刻处理；然后镀制金锡合金层；再次进行去光刻胶处理；将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。本发明专利技术采用氧化铍或高热导率的氮化铝陶瓷作为基片，其热导率均大于200mW/K；在基片上镀制利于散热的金属层，进一步提高热沉的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器热沉的制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体激光器热沉的制备方法。
技术介绍
氮化铝陶瓷基片具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗，热膨胀系数与硅半导体元件相匹配，高电阻率，良好的机械性能和耐腐蚀性能等优点，从而成为新一代大规模集成电路，半导体模块电路及大功率光电器件的理想散热和封装材料。在半导体高功率激光器制造工艺中，考虑到由于芯片在工作中会产生大量的热，其结构通常需要有一个良好的散热通道。目前在大功率光电器件的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体激光器热沉的制备方法，以解决现有的半导体激光器中的热沉散热效率差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体激光器热沉的制备方法，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。可选的，所述第一次光刻处理和所述第二次光刻处理均包括喷涂光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗和后烘。可选的，所述第一次光刻处理得到的光刻胶的厚度为1～30μm；所述第二次光刻处理得到的光刻胶的厚度为1～35μm。可选的，所述金属层能够通过PVD、电镀或化学镀获得。可选的，所述金属层包括Cu、Ni、Pd、Au、Ti、TiW中的一种或者多种。可选的，第二次光刻处理得到的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶，前烘温度为70～150℃，时间为1～20min；曝光剂量为10~1000mj，显影的时间为5～300s；后烘温度为70～150℃，时间为1~20min。可选的，所述金锡合金层中金与锡的质量比为1：9至9：1，所述金锡合金层的厚度为1～30μm。可选的，所述步骤7中通过切割设备进行切割分离时，设置工件移动，切割设备的砂轮轴旋转但位置保持固定。可选的，所述切割设备选用软刀进行切割。在本专利技术中提供了一种半导体激光器热沉的制备方法，清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；再制备金属层；接着进行去光刻胶处理；进行第二次光刻处理；然后镀制金锡合金层；再次进行去光刻胶处理；将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。本专利技术采用氧化铍或高热导率的氮化铝陶瓷作为基片，其热导率均大于200mW/K；在基片上镀制利于散热的金属层，进一步提高热沉的散热效果。附图说明图1是本专利技术提供的半导体激光器热沉的制备方法的流程示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种半导体激光器热沉的制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一本发提供了一种半导体激光器热沉的制备方法，流程示意图如图1所示。该方法包括如下步骤：步骤S11、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤S12、将步骤S11所得的产品制备金属层；步骤S13、将步骤S12所得的产品进行去光刻胶处理；步骤S14、进行第二次光刻处理；步骤S15、将步骤S14所得的产品镀制金锡合金层；步骤S16、再次进行去光刻胶处理；步骤S17、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。具体的，首先清洗干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并对其进行第一次光刻处理，所述第一次光刻处理包括喷涂光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗和后烘，得到的光刻胶的厚度为1～30μm；接着通过PVD、电镀或化学镀制备金属层，所述金属层包括Cu、Ni、Pd、Au、Ti、TiW中的一种或者多种；然后将上述步骤得到的产品进行去光刻胶处理，再进行第二次光刻处理，所述第二次光刻胶处理与所述第一次光刻胶处理相同，包括喷涂光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗和后烘。第二次光刻处理得到的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶，厚度为1～35μm，前烘温度为70～150℃，时间为1～20min；曝光剂量为10~1000mj，显影的时间为5～300s；后烘温度为70～150℃，时间为1~20min；再对其镀制金锡合金层，所述金锡合金层中金与锡的质量比为1：9至9：1，所述金锡合金层的厚度为1～30μm；再次进行去光刻胶处理，最后将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。在通过切割设备进行切割分离时，设置工件移动，切割设备的砂轮轴旋转但位置保持固定，并选用软刀进行切割。上述描述仅是对本专利技术较佳实施例的描述，并非对本专利技术范围的任何限定，本专利
的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。2.如权利要求1所述的半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，所述第一次光刻处理和所述第二次光刻处理均包括喷涂光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗和后烘。3.如权利要求2所述的半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，所述第一次光刻处理得到的光刻胶的厚度为1～30μm；所述第二次光刻处理得到的光刻胶的厚度为1～35μm。4.如权利要求1所述的半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，所述金属层能够通过PVD、电镀或化学镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：李旭光，
申请(专利权)人：无锡奥夫特光学技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32