掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，掩模板，包括：半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。本发明专利技术的技术方案能够制作高分辨率的OLED显示基板。

Mask, display substrate, manufacturing method and display device thereof

The invention provides a mask, a display substrate, a manufacturing method and a display device thereof, belonging to the display technical field. A mask includes a mask body made of a semiconductor material comprising a plurality of first openings, a magnetic semiconductor material layer located on the mask body comprising a plurality of second openings and a forward projection of the second openings on the mask body. The shadow coincides with the first opening. The technical proposal of the invention can produce a high resolution OLED display substrate.

【技术实现步骤摘要】
掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
现有技术在制作OLED显示基板的有机发光层时，一般是将FMM(FineMetalMask，精细金属掩模板)贴附在待蒸镀基板上，采用蒸镀的方式将不同颜色的有机发光层制作在对应的位置处，实现整个OLED显示基板的全彩显示。由于FMM采用金属制成，需要通过刻蚀工艺来制作FMM，而金属刻蚀工艺的精度限制了FMM的精度，使得利用FMM不能制作高分辨率(大于300PPI)的OLED显示基板。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置，能够制作高分辨率的OLED显示基板。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种掩模板，包括：半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。进一步地，所述掩模板本体包括：第一半导体基底；第二半导体基底；位于所述第一半导体基底和第二半导体基底之间的键合层；其中，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。进一步地，所述第一半导体基底采用Si，所述第二半导体基底采用Si，所述键合层采用SiN或SiON；或所述第一半导体基底采用GaAs，所述第二半导体基底采用GaAs，所述键合层采用SiN或SiON。进一步地，所述第一半导体基底的厚度为350-450um，所述第二半导体基底的厚度为40-60um。进一步地，所述磁性半导体材料层采用掺杂有Mn离子的半导体材料。本专利技术实施例还提供了一种掩模板的制作方法，包括：提供一半导体材料制成的掩模板本体；在掩模板本体上形成磁性半导体材料层；对所述掩模板本体和所述磁性半导体材料层进行干法刻蚀，在所述掩模板本体上形成多个第一开口，在所述磁性半导体材料层上形成多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。进一步地，所述提供一半导体材料制成的掩模板本体包括：提供一第一半导体基底；在所述第一半导体基底上制作键合层；在所述键合层上制作第二半导体基底，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：将如上所述的掩模板与待蒸镀基板进行对位；施加磁场，使得所述掩模板在磁场的作用下贴合在所述待蒸镀基板上；蒸镀功能层材料，所述功能层材料通过所述第一开口和所述第二开口在所述待蒸镀基板上形成功能膜层。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，采用半导体材料制作掩模板本体，由于可以采用干法刻蚀对半导体材料进行刻蚀，并且干法刻蚀的精度比较高，因此，可以制作出具有高精度开口的掩模板，这样利用该掩模板能够制作高PPI(大于300PPI)的OLED显示基板，实现OLED显示基板的彩色显示；并且由于掩模板本体上形成有磁性半导体材料，这样进行蒸镀时，通过施加磁场，可以使掩模板与待蒸镀基板无缝贴合，且掩模板受力均匀，从而减小Shadow效应，提高OLED显示基板的制作精细度。附图说明图1-图4为本专利技术实施例制作掩模板的示意图。附图标记1第一半导体基底2键合层3第二半导体基底4磁性半导体材料层5开口具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中FMM不能制作高分辨率的OLED显示基板的问题，提供一种掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置，能够制作高分辨率的OLED显示基板。本专利技术实施例提供了一种掩模板，包括：半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。本实施例中，采用半导体材料制作掩模板本体，由于可以采用干法刻蚀对半导体材料进行刻蚀，并且干法刻蚀的精度比较高，因此，可以制作出具有高精度开口的掩模板，这样利用该掩模板能够制作高PPI(大于300PPI)的OLED显示基板，实现OLED显示基板的彩色显示；并且由于掩模板本体上形成有磁性半导体材料，这样进行蒸镀时，通过施加磁场，可以使掩模板与待蒸镀基板无缝贴合，且掩模板受力均匀，从而减小Shadow效应，提高OLED显示基板的制作精细度。其中，掩模板本体采用的半导体材料可以是Si或GaAs，磁性半导体材料层可以是在与掩模板本体相同的半导体材料中掺杂磁性离子制成，这样既可以使得磁性半导体材料层的晶格与掩模板本体相差不大，可以采用相同的刻蚀工艺，另外还能够使得磁性半导体材料层具有磁性。一具体实施例中，所述掩模板本体包括：第一半导体基底；第二半导体基底；位于所述第一半导体基底和第二半导体基底之间的键合层；其中，第一半导体基底的厚度大于第二半导体基底的厚度，可以起到框架支撑的作用，第一半导体基底可以仅包括一矩形框架，第二半导体基底位于该矩形框架上，第二半导体基底上形成有多个第一开口，键合层可以使用SiN或SiON，使得第一半导体基底与第二半导体基底更好地键和在一起。一具体示例中，所述第一半导体基底可以采用Si，所述第二半导体基底可以采用Si，所述键合层采用SiN或SiON；另一具体示例中，所述第一半导体基底可以采用GaAs，所述第二半导体基底可以采用GaAs，所述键合层采用SiN或SiON。第一半导体基底最好与第二半导体基底采用相同的半导体材料制成，这样可以使得第一半导体基底与第二半导体基底能够采用相同的刻蚀工艺。如果第一半导体基底和第二半导体基底的厚度太大，会增加掩模板的生产成本；如果第一半导体基底和第二半导体基底的厚度太小，则掩模板的刚性不足，优选地，所述第一半导体基底的厚度可以为350-450um，所述第二半导体基底的厚度可以为40-60um，具体地，第一半导体基底的厚度可以为400nm，第二半导体基底的厚度可以为50nm。一具体实施例中，所述磁性半导体材料层采用掺杂有Mn离子的半导体材料。当然，磁性半导体材料层中掺杂的磁性离子还可以为其他磁性离子，但Mn离子的应用已经比较成熟，是比较常用的磁性离子。本专利技术实施例还提供了一种掩模板的制作方法，包括：提供一半导体材料制成的掩模板本体；在掩模板本体上形成磁性半导体材料层；对所述掩模板本体和所述磁性半导体材料层进行干法刻蚀，在所述掩模板本体上形成多个第一开口，在所述磁性半导体材料层上形成多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。本实施例中，采用半导体材料制作掩模板本体，由于可以采用干法刻蚀对半导体材料进行刻蚀，并且干法刻蚀的精度比较高，因此，可以制作出具有高精度开口的掩模板，这样利用该掩模板能够制作高PPI(大于300PPI)的OLED显示基板，实现OLED显示基板的彩色显示；并且由于掩模板本体上形成有磁性半导体材料，这样进行蒸镀时，通过施加磁场，可以使掩模板与待蒸镀基板无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，包括：半导体材料制成的掩模板本体，所述掩模板本体包括有多个第一开口；位于所述掩模板本体上的磁性半导体材料层，所述磁性半导体材料层包括有多个第二开口，所述第二开口在所述掩模板本体上的正投影与所述第一开口重合。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体包括：第一半导体基底；第二半导体基底；位于所述第一半导体基底和第二半导体基底之间的键合层；其中，所述第一半导体基底的厚度大于所述第二半导体基底的厚度。3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一半导体基底采用Si，所述第二半导体基底采用Si，所述键合层采用SiN或SiON；或所述第一半导体基底采用GaAs，所述第二半导体基底采用GaAs，所述键合层采用SiN或SiON。4.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述第一半导体基底的厚度为350-450um，所述第二半导体基底的厚度为40-60um。5.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述磁性半导体材料层采用掺杂有Mn离子的半导体材料。6.一种掩模板的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳晗，王灿，张粲，杨明，玄明花，陈小川，丛宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11