The invention discloses a side cascade semiconductor chip device and a cascade method. The device comprises an insulating substrate, a first pass on the insulating substrate, a first semiconductor chip and a second semiconductor chip respectively assembled on both sides of the insulating substrate, in which the first half guide chip has a second through hole and a second half guide. The body chip has a third - pass hole, forming a complete through hole in the first - through, second - through, and third - through holes after the assembly is completed; the first, second, and third holes all have a metallized side wall; a conductive filling agent is filled to the complete through hole and sintered. The invention adopts the semiconductor technology, through the metallized side wall processing and the corresponding position assembly, the conductive filler is filled in the through hole, making the cascade of two chips on the two sides of the same substrate, effectively saving the packaging space and effectively avoiding the risk of the introduction of the bond line.
【技术实现步骤摘要】
一种对侧级联半导体芯片装置及级联方法
本专利技术涉及半导体制作领域,尤其涉及一种对侧级联半导体芯片装置及级联方法。
技术介绍
随着科学技术的不断进步,人们的需求日益提升,对半导体芯片的要求越来越高。同时,人们需求的提升,单一芯片虽在结构、功能、集成度越来越复杂,但受限于材质、基础物理理论等因素,往往需要多个不同种类、不同功能的芯片进行级联,例如目前广泛应用的射频前端芯片,从架构上来看,需开关芯片、功率放大芯片、低噪声芯片等多个芯片级联。当前,微波射频芯片多采用金属bond线(邦定线)的方式级联,存在诸多弊端:(1)bond线可靠性有风险:目前为自动化机器bond线,由于bond线多为悬空,在实际使用中,存在bond线与封装材质等接触,导致信号泄漏和bond线断裂的风险。(2)bond线方式会引入部分插损,影响高频性能:一般bond线在微波等效电路中含有电阻和电感,影响高频特性,尤其是毫米波频段。因此需要一种新的对侧级联装置及方法避免bond线引入的风险,使得芯片级联效果更好。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种平面级联半导体芯片装置及级联方法,解决现有技术bond线引入的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种对侧级联半导体芯片装置,包括:绝缘基板,所述的绝缘基板上具有第一通孔;分别组装于绝缘基板两侧的第一半导体芯片和第二半导体芯片;其中,第一半导体芯片具有第二通孔,第二半导体芯片具有第三通孔,在组装完成后第一通孔、第二通孔和第三通孔形成一个完整的通孔;所述的第一通孔、第二通孔和第三通孔均具有金属化侧壁;填充至所述完整 ...
【技术保护点】
1.一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:包括:绝缘基板,所述的绝缘基板上具有第一通孔;分别组装于绝缘基板两侧的第一半导体芯片和第二半导体芯片;其中,第一半导体芯片具有第二通孔,第二半导体芯片具有第三通孔,在组装完成后第一通孔、第二通孔和第三通孔形成一个完整的通孔;所述的第一通孔、第二通孔和第三通孔均具有金属化侧壁;填充至所述完整的通孔并烧结成型的导电填充剂。
【技术特征摘要】
1.一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:包括:绝缘基板,所述的绝缘基板上具有第一通孔;分别组装于绝缘基板两侧的第一半导体芯片和第二半导体芯片;其中,第一半导体芯片具有第二通孔,第二半导体芯片具有第三通孔,在组装完成后第一通孔、第二通孔和第三通孔形成一个完整的通孔;所述的第一通孔、第二通孔和第三通孔均具有金属化侧壁;填充至所述完整的通孔并烧结成型的导电填充剂。2.根据权利要求1所述的一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:在组装至所述绝缘基板前,所述的第一半导体芯片和第二半导体芯片的表面涂覆有光刻胶并采用光刻工艺形成需蚀刻的图形,并完成曝光和显影,实现通孔位置定义;之后采用蚀刻工艺,在第一半导体芯片上蚀刻出第二通孔,并在第二半导体芯片上蚀刻出第三通孔;在导电填充剂填充完成并烧结成型后,去除所述光刻胶。3.根据权利要求2所述的一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:所述的导电填充剂为纳米银浆。4.根据权利要求3所述的一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:所述的纳米银浆的烧结温度小于等于130℃。5.根据权利要求1所述的一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:在绝缘基板被组装前,采用干法蚀刻或者激光打孔的方式,在绝缘基板上制作第一通孔。6.根据权利要求1所述的一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:所述的第一通孔的尺寸均大于第二通孔和第三通孔的尺寸。7.根据权利要求1所述的一种对侧级联半导体芯片装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈一峰,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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