The utility model relates to a three redundancy film pressure sensitive element, including a metal material cap shaped elastic body, a dielectric film plated on the surface of the elastic body, a strain alloy film plated by an ion beam sputtering deposition on the surface of the medium film, and a strain resistance zone formed on the surface of the strain alloy film through the photolithography process. The strain resistance includes six pairs of resistors, each two pairs of resistors form an independent Wheatstone bridge, and three Wheatstone bridges form a three road output signal. A protective film is plated on the strain resistance region of the strain alloy film, and a nickel film is plated at the terminal area of the strain resistance in the strain alloy film on the protective film. The utility model is a redundant design of the three way output of the Wheatstone bridge which measured the output signal when the film pressure sensitive element is made. When the output signal fails, it can be measured by other redundant signals. It has the advantages of novel structure, convenient use, measurement fan width, measurement stability and reliability, etc. Advantage.
【技术实现步骤摘要】
一种三余度的薄膜压力敏感元件
本技术属于压力测量装置
,涉及一种三余度的薄膜压力敏感元件。
技术介绍
薄膜压力敏感元件目前主要应用于压力测量领域,由于其采用溅射镀膜的工艺技术,因此具有耐高温、耐腐蚀、灵敏度高、可靠性及长期稳定性好的优点,并被广泛应用于航空航天、油田、化工等恶劣环境中。但是目前市场上应用的都是单余度的压力敏感元件,即敏感元件的输出只有一路信号,如果测试出现故障时薄膜压力敏感元件的输出信号就会失效,造成测量失败,则该薄膜敏感元件也会失去测量的作用,致使整个测试系统出现故障。
技术实现思路
本技术的目的在于对现有技术存在的问题加以解决,提供一种结构新颖、使用方便、测量范围宽、测量稳定性及可靠性好的三余度的薄膜压力敏感元件。为实现上述专利技术目的而采用的技术解决方案是这样的:所提供的三余度的薄膜压力敏感元件包括一个金属材料制帽形弹性体,在弹性体的表面镀有一层1.0~2.0微米厚的由SiO2薄膜和Si3N4薄膜叠加构成的介质膜,在介质膜的表面通过离子束溅射沉积工艺镀有一层100~200纳米厚的应变合金膜,在应变合金膜的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区,所述的应变电阻包括六对电阻,每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥,并形成一路输出信号,三个惠斯通电桥形成三路输出信号,在应变合金膜的应变电阻区域上镀有100~200纳米厚的保护膜,在保护膜上位于应变合金膜形成的应变电阻的端子区域镀有厚度为300~400纳米的镍膜。上述三余度的薄膜压力敏感元件中,保护膜为离子束溅射沉积氮化硅薄膜,镍膜采用离子束溅射制备而成。上述三余度的薄膜压力敏感元件中,每一个惠斯顿电桥都 ...
【技术保护点】
1.一种三余度的薄膜压力敏感元件,其特征在于:包括一个金属材料制帽形弹性体(1),在弹性体(1)的表面镀有一层1.0~2.0微米厚的由SiO2薄膜和Si3N4薄膜叠加构成的介质膜(2),在介质膜(2)的表面通过离子束溅射沉积工艺镀有一层100~200纳米厚的应变合金膜(3),在应变合金膜(3)的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区,所述的应变电阻包括六对电阻,每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥,并形成一路输出信号,三个惠斯通电桥形成三路输出信号,在应变合金膜(3)的应变电阻区域上镀有100~200纳米厚的保护膜(4),在保护膜(4)上位于应变合金膜(3)形成的应变电阻的端子区域镀有厚度为300~400纳米的镍膜(5)。
【技术特征摘要】
1.一种三余度的薄膜压力敏感元件,其特征在于:包括一个金属材料制帽形弹性体(1),在弹性体(1)的表面镀有一层1.0~2.0微米厚的由SiO2薄膜和Si3N4薄膜叠加构成的介质膜(2),在介质膜(2)的表面通过离子束溅射沉积工艺镀有一层100~200纳米厚的应变合金膜(3),在应变合金膜(3)的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区,所述的应变电阻包括六对电阻,每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥,并形成一路输出信号,三个惠斯通电桥形成三路输出信号,在应变合金膜(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘婷,戚龙,戚云娟,闫军花,薛小婷,李莹,
申请(专利权)人:陕西电器研究所,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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