成像传感器和成像模组制造技术

技术编号:18458992 阅读:27 留言:0更新日期:2018-07-18 12:47
一种成像传感器和成像模组,其中成像传感器包括:基板;位于所述基板上的多个像素单元,用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号,所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列;位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元,与所述像素单元相连,用于向所述像素单元提供偏置电压;位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元,用于构成电容结构以感测触摸,形成触摸电信号。本发明专利技术技术方案能够有效减小所述偏压伪像素单元和所述感触伪像素单元与像素单元之间的色差,有利于改善所形成成像传感器的外观。

Imaging sensor and imaging module

An imaging sensor and an imaging module, in which an imaging sensor includes a substrate, a plurality of pixel units on the substrate, used for collecting light signals with imaging information and converting the light signal into a pixel electrical signal, and the pixel units are array arranged for a form pixel array; located in the pixel array, the pixel array is arranged in the pixel array. A plurality of bias pixel units around the pixel unit are connected to the pixel unit to provide a bias voltage to the pixel unit, and at least one touching pseudo pixel unit located at the side of the pixel unit on the bias pseudo pixel unit is used to form a capacitance structure to touch the touch and form a touch signal. The technical scheme of the invention can effectively reduce the chromatic aberration between the biased pseudo pixel unit and the touching pseudo pixel unit and the pixel unit, and is conducive to improving the appearance of the formed imaging sensor.

【技术实现步骤摘要】
成像传感器和成像模组
本专利技术涉及成像传感器领域,特别涉及一种成像传感器和成像模组。
技术介绍
指纹识别技术通过成像传感器采集到人体的指纹图像,然后与指纹识别系统里已有指纹成像信息进行比对,以实现身份识别。由于使用的方便性,以及人体指纹的唯一性,指纹识别技术已经大量应用于各个领域,比如:公安局、海关等安检领域,楼宇的门禁系统,以及个人电脑和手机等消费品领域等等。目前,成像传感器在移动终端设备中的应用是利用指纹进行解锁。但是由于移动终端的电池容量有限,为了降低成像传感器的能耗,延长待机时间,因此电源管理一直是移动终端开发很重要的一部分。唤醒技术是现有技术中的一种电源管理方法:在设备未被使用时,使设备进入休眠模式,以降低功耗;当设备被使用时,发送控制信号以唤醒设备,使设备从休眠状态转换为工作状态。在成像传感器中,引入触摸唤醒功能,有利于能够降低成像传感器的能耗。指纹识别技术应用于手机或其他电子设备时,成像模组成为了设备外观的一部分,需要露出成像传感器。但是现有技术中,引入触摸唤醒功能的成像传感器外观效果不佳,存在色差问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种成像传感器和成像模组,以减少色差,改善成像传感器的外观效果。为解决上述问题,本专利技术提供一种成像传感器,包括:基板;位于所述基板上的多个像素单元,用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号,所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列;位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元,与所述像素单元相连,用于向所述像素单元提供偏置电压;位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元,用于构成电容结构以感测触摸,形成触摸电信号。可选的,所述成像传感器还包括:位于基板上的驱动电路,与所述像素单元相连,用于产生能够使所述像素电信号被读取的驱动信号;所述感触伪像素单元位于所述驱动电路与所述偏压伪像素单元之间。可选的,所述成像传感器还包括:连接所述驱动电路和所述像素单元的多根扫描线,用于传输所述驱动信号,所述扫描线沿第一方向延伸;沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元相连。可选的,所述成像传感器还包括:位于所述基板上的像素读出电路,与所述像素单元相连,用于读取所述像素电信号;所述感触伪像素单元位于所述像素读出电路与所述偏压伪像素单元之间。可选的,所述成像传感器还包括:连接所述像素读出电路和所述像素单元的多根像素数据线,用于传输所述像素电信号,所述像素数据线沿第二方向延伸;沿第二方向排列的所述感触伪像素单元相连。可选的,所述成像传感器还包括:位于基板上的多根像素数据线,与所述像素单元相连,用于传输所述像素电信号;所述像素电信号通过一像素读出电路读取,所述多根像素数据线沿第二方向延伸且在所述像素阵列的一侧与所述像素读出电路相连;所述感触伪像素单元位于所述像素阵列沿第二方向的另一侧。可选的,所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列;位于同行的所述感触伪像素单元相连;或者位于同列的所述感触伪像素单元相连;或者位于同行的所述感触伪像素单元相连且位于同列的所述感触伪像素单元相连。可选的,所述成像传感器还包括:位于所述基板上与所述感触伪像素单元相连的一个或多个感触数据线,用于传输所述触摸电信号;所述触摸电信号通过一感触读出电路读取,所述感触读出电路通过所述感触数据线与所述感触伪像素单元相连。可选的,所述感触伪像素单元的数量为多个,所述多个所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列;一个感触阵列中的所述多个感触伪像素单元相连,通过一个感触数据线与所述感触读出电路相连。可选的,所述像素单元包括:光电二极管以及与所述光电二极管相连的开关器件,所述光电二极管具有用于采集光信号的感光区;所述偏压伪像素单元包括:第一吸光导电结构和与所述第一吸光导电结构相连的伪开关,所述第一吸光导电结构包括第一吸光区,所述第一吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同;所述感触伪像素单元包括:第二吸光导电结构,所述第二吸光导电结构包括第二吸光区,所述第二吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同。可选的,所述成像传感器还包括:位于所述基板上沿第一方向延伸的扫描线,用于传输能够使所述像素电信号被读取的驱动信号;位于所述基板上沿第二方向延伸的像素数据线,用于传输所述像素电信号;所述光电二极管包括:位于所述基板上的底电极、位于所述底电极上的管芯以及位于所述管芯上的顶电极;所述开关器件包括:与所述扫描线相连的栅极、与所述底电极相连的源极、与所述像素数据线相连的漏极以及与所述源极和漏极相连且位于所述栅极上方对应位置处的半导体层;所述第一吸光导电结构包括:位于所述基板上的第一中导电层、位于所述第一中导电层上的第一吸光层以及位于所述第一吸光层上的第一上导电层,所述第一中导电层在所述基板表面的投影与所述底电极在所述基板表面的投影相同,所述第一吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同,所述第一上导电层在所述基板表面的投影与所述顶电极在所述基板表面的投影相同;所述伪开关包括:与所述扫描线相连的伪栅极、与所述第一中导电层相连的伪源极以及与所述伪源极相连且位于所述伪栅极上方对应位置处的伪沟道层,所述伪栅极在所述基板表面的投影与所述栅极在所述基板表面的投影相同,所述伪源极在所述基板表面的投影与所述源极在所述基板表面的投影相同,所述伪沟道层在所述基板表面的投影与所述半导体层在所述基板表面的投影相同;所述第二吸光导电结构包括:位于所述基板上的第二中导电层、位于所述第二中导电层上的第二吸光层以及位于所述第二吸光层上的第二上导电层,所述第二吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同。可选的,相邻像素单元中光电二极管的底电极之间电绝缘;所述成像传感器还包括:实现相邻所述偏压伪像素单元相连的偏压连接线,所述偏压连接线与所述偏压伪像素单元中第一吸光导电结构的第一中导电层相连;实现相邻所述感触伪像素单元相连的感触连接线,所述感触连接线与相邻感触伪像素单元中第二吸光导电结构的第二中导电层相连。可选的,所述成像传感器还包括:位于所述像素阵列上的连接层,所述连接层与所述顶电极通过第一通孔实现电连接;所述连接层延伸至所述偏压伪像素单元上,与所述第一上导电层通过第二通孔实现电连接。可选的,所述成像传感器还包括:位于所述基板上的介质层;所述光电二极管位于所述介质层上;所述开关器件中,所述栅极位于所述基板和所述介质层之间,所述源极、所述漏极以及所述半导体层位于所述介质层上;所述第一吸光导电结构位于所述介质层上,所述伪栅极位于所述基板和所述介质层之间,所述伪源极和所述伪沟道层位于所述介质层上;所述第二吸光导电结构位于所述介质层上;所述像素单元还包括:位于所述介质层和所述基板之间的存储电极,所述存储电极与所述底电极用于形成存储电容;所述偏压伪像素单元还包括:位于所述介质层和所述基板之间的第一下导电层,所述第一下导电层在所述基板表面的投影与所述存储电极在所述基板表面的投影相同;所述第一下导电层与所述第一中导电层通过贯穿所述介质层的第三通孔相接触;所述感触伪像素单元还包括:位于所述介质层和所述基板之间的第二下导电层,所述第二下导电层在所述基板表面的投影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成像传感器,其特征在于,包括:基板;位于所述基板上的多个像素单元,用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号,所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列;位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元,与所述像素单元相连,用于向所述像素单元提供偏置电压;位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元,用于构成电容结构以感测触摸,形成触摸电信号。

【技术特征摘要】
1.一种成像传感器,其特征在于,包括:基板;位于所述基板上的多个像素单元,用于采集带有成像信息的光信号并将所述光信号转换为像素电信号,所述像素单元呈阵列排布用于形成像素阵列;位于所述像素阵列四周的多个偏压伪像素单元,与所述像素单元相连,用于向所述像素单元提供偏置电压;位于所述偏压伪像素单元远离所述像素单元一侧的至少一个感触伪像素单元,用于构成电容结构以感测触摸,形成触摸电信号。2.如权利要求1所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:位于基板上的驱动电路,与所述像素单元相连,用于产生能够使所述像素电信号被读取的驱动信号;所述感触伪像素单元位于所述驱动电路与所述偏压伪像素单元之间。3.如权利要求2所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:连接所述驱动电路和所述像素单元的多根扫描线,用于传输所述驱动信号,所述扫描线沿第一方向延伸;沿所述第一方向排列的所述感触伪像素单元相连。4.如权利要求1所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:位于所述基板上的像素读出电路,与所述像素单元相连,用于读取所述像素电信号;所述感触伪像素单元位于所述像素读出电路与所述偏压伪像素单元之间。5.如权利要求4所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:连接所述像素读出电路和所述像素单元的多根像素数据线,用于传输所述像素电信号,所述像素数据线沿第二方向延伸;沿第二方向排列的所述感触伪像素单元相连。6.如权利要求1所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:位于基板上的多根像素数据线,与所述像素单元相连,用于传输所述像素电信号;所述像素电信号通过一像素读出电路读取,所述多根像素数据线沿第二方向延伸且在所述像素阵列的一侧与所述像素读出电路相连;所述感触伪像素单元位于所述像素阵列沿第二方向的另一侧。7.如权利要求6所述的成像传感器,其特征在于,所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列;位于同行的所述感触伪像素单元相连;或者位于同列的所述感触伪像素单元相连;或者位于同行的所述感触伪像素单元相连且位于同列的所述感触伪像素单元相连。8.如权利要求1所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:位于所述基板上与所述感触伪像素单元相连的一个或多个感触数据线,用于传输所述触摸电信号;所述触摸电信号通过一感触读出电路读取,所述感触读出电路通过所述感触数据线与所述感触伪像素单元相连。9.如权利要求8所述的成像传感器,其特征在于,所述感触伪像素单元的数量为多个,所述多个所述感触伪像素单元呈阵列排布用于形成感触阵列;一个感触阵列中的所述多个感触伪像素单元相连,通过一个感触数据线与所述感触读出电路相连。10.如权利要求1所述的成像传感器,其特征在于,所述像素单元包括:光电二极管以及与所述光电二极管相连的开关器件,所述光电二极管具有用于采集光信号的感光区;所述偏压伪像素单元包括:第一吸光导电结构和与所述第一吸光导电结构相连的伪开关,所述第一吸光导电结构包括第一吸光区,所述第一吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同;所述感触伪像素单元包括:第二吸光导电结构,所述第二吸光导电结构包括第二吸光区,所述第二吸光区在所述基板表面的投影与所述感光区在所述基板表面的投影相同。11.如权利要求10所述的成像传感器,其特征在于,所述成像传感器还包括:位于所述基板上沿第一方向延伸的扫描线,用于传输能够使所述像素电信号被读取的驱动信号;位于所述基板上沿第二方向延伸的像素数据线,用于传输所述像素电信号;所述光电二极管包括:位于所述基板上的底电极、位于所述底电极上的管芯以及位于所述管芯上的顶电极;所述开关器件包括:与所述扫描线相连的栅极、与所述底电极相连的源极、与所述像素数据线相连的漏极以及与所述源极和漏极相连且位于所述栅极上方对应位置处的半导体层;所述第一吸光导电结构包括:位于所述基板上的第一中导电层、位于所述第一中导电层上的第一吸光层以及位于所述第一吸光层上的第一上导电层,所述第一中导电层在所述基板表面的投影与所述底电极在所述基板表面的投影相同,所述第一吸光层在所述基板表面的投影与所述管芯在所述基板表面的投影相同,所述第一上导电层在所述基板表面的投影与所述顶电极在所述基板表面的投影相同;所述伪开关包括:与所述扫描线相连的伪栅极、与所述第一中导电层相连的伪源极以及与所述伪源极相连且位于所述伪栅极上方对应位置处的伪...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑娅洁朱虹凌严
申请(专利权)人:上海箩箕技术有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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