一种电极及应用其的有机电致发光器件制造技术

技术编号:18447646 阅读:25 留言:0更新日期:2018-07-14 11:28
本发明专利技术涉及有机电致发光领域,所述的一种电极,包括层叠设置的第一膜层、第二膜层以及第三膜层,第一膜层是功函数不小于4.2eV的导电层,第二膜层为电子传输材料层,第三膜层的功函数小于3eV。申请人通过研究发现,多层复合电极结构能够有效提高电极的稳定性,从而提高了器件的寿命。同时,第二膜层和第三膜层共同形成电荷生成层(charge generation layer),使得产生的电子和空穴分别注入电子传输层和第一膜层,能够有效辅助电子注入,提高了器件的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种电极及应用其的有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光领域,具体涉及一种反射电极及应用其的有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(英文全称为OrganicLight-EmittingDiode,简称为OLED)是主动发光器件。相比现有平板显示技术中薄膜晶体管液晶显示器(英文全称LiquidCrystalDisplay,简称LCD)、等离子体显示面板(英文全称PlasmaDisplayPanel,简称PDP),使用有机发光二极管的有机发光显示装置具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点,有望成为下一代主流平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。OLED器件主要包括层叠设置的阳极、有机发光层和阴极。为提高电子的注入效率,OLED阴极应该选用功函数尽可能低的金属材料,因为电子的注入比空穴的注入难度大,金属功函数的大小严重的影响着OLED器件的发光效率和使用寿命,金属功函数越低,电子注入就越容易,发光效率就越高;此外,功函数越低,有机/金属界面势垒越低,工作中产生的焦耳热就会越少,器件寿命就会有较大的提高。然而,低功函数的单层金属阴极,如Al、Mg、Ca等,在空气中很容易被氧化,致使器件不稳定、使用寿命缩短。而蒸镀合金阴极时,少量化学性质活泼的金属会优先扩散到单一金属薄膜的缺陷中,使整个阴极层变得稳定。因此一般选择合金做阴极来避免阴极层不稳定的问题。在实际应用中,参与阴极合金的碱金属仍会与空气中的水氧反应,降低器件的出光率。同时碱金属容易扩散至发光层,导致发光猝灭。而且,碱土金属的消光系数比较高,影响电极的透光率。
技术实现思路
此,提供一种性能稳定、透光率高的电极及应用其的有机发光器件。本专利技术采用的技术方案如下:本专利技术所述的一种电极,包括层叠设置的第一膜层、第二膜层以及第三膜层,所述第一膜层是功函数不小于4.2eV的导电层,所述第二膜层为电子传输材料层,所述第三膜层的功函数小于3eV。可选地,所述第三膜层为稀土金属、稀土金属化合物、稀土金属合金中的至少一种形成的单层或多层复合结构。可选地,所述第三膜层为稀土金属层。可选地,所述稀土金属层中稀土金属为镧系金属。可选地,所述电子传输材料层由Bebq2(双(10-羟基苯并[H]喹啉)铍)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲啰啉)、DPyPA(9,10-二(3-(3-吡啶)苯基)蒽)、Tm3PyPb(1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲)中的至少一种制得。可选地,所述第一膜层为金属、合金、导电氧化物中的至少一种形成的单层或多层复合结构。可选地,所述第一膜层厚度为5nm~100nm。所述第一膜层为金属层时,厚度为5nm~20nm;所述第一膜层为导电氧化物层时,厚度为30nm~100nm。可选地,所述第二膜层厚度为0.5nm~10nm;所述第三膜层厚度为0.5nm~10nm。优选地,所述第二膜层厚度为0.5nm~2nm。本专利技术所述的一种有机电致发光器件,包括层叠设置的第一电极、有机发光层和第二电极,所述第二电极为所述的电极,所述第三膜层靠近所述有机发光层设置。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:1、本专利技术实施例所述的一种电极,包括层叠设置的第一膜层、第二膜层以及第三膜层,第一膜层是功函数不小于4.2eV的导电层,第二膜层为电子传输材料层,第三膜层的功函数小于3eV。申请人通过研究发现,多层复合电极结构能够有效提高电极的稳定性,从而提高了器件的寿命。同时,第二膜层和第三膜层共同形成电荷生成层(chargegenerationlayer),使得产生的电子和空穴分别注入电子传输层和第一膜层,能够有效辅助电子注入,提高了器件的效率。2、本专利技术实施例所述的一种电极,第二膜层能够阻止第一膜层材料对第三膜层材料进行固相溶解,保证了第三膜层的稳定性,能够有效降低有机/金属界面势垒。同时,第二膜层具有较低的消光系数,使得该电极作为出光电极时,对器件的发光效果影响较小。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解,下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图,对本专利技术作进一步详细的说明,其中图1是本专利技术实施例1所述的电极结构示意图;图中附图标记表示为:1-第一膜层、2-第二膜层、3-第三膜层。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术的实施方式作进一步地详细描述。本专利技术可以以许多不同的形式实施,而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是彻底和完整的,并且将把本专利技术的构思充分传达给本领域技术人员,本专利技术将仅由权利要求来限定。在附图中,为了清晰起见,会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。实施例1本实施例提供一种电极,如图1所示,包括层叠设置的第一膜层1、第二膜层2和第三膜层3。第一膜层1为Ag层,厚度为16nm;第二膜层2为8-羟基喹啉-锂(LiQ)层,厚度为1nm;第三膜层3为Yb层,厚度为1nm。本实施例还提供一种有机电致发光器件,本实施例还提供一种有机电致发光器件,Ag/ITO(20nm)/HATCN(20nm)/NPB(40nm)/CBP:10wt%Ir(ppy)3(30nm)/TPBi(50nm)/Yb(1nm)/LiQ(1nm)/Ag(16nm)/NPB(60nm)。其中,第一电极为叠置的Ag层和ITO层;空穴注入层为HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂)层;空穴传输层为NPB(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺)层;发光层为Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合铱(III))与CBP(N′-二咔唑基联苯)的掺杂层;空穴阻挡层为TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)层;第二电极为所述电极;光耦合层为NPB(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺)层。作为本专利技术的可变换实施例,所述有机电致发光器件的结构并不限于此,只要应用本专利技术所述的电极,均可实现本专利技术的目的,属于本专利技术的保护范围。作为本专利技术的可变换实施例,第二膜层还可以为Bebq2、Bphen、DPyPA、Tm3PyPb等任意电子传输材料层,均可以实现本专利技术的目的,属于本专利技术的保护范围。实施例2本实施例提供一种电极,结构同实施例1,不同的是:第二膜层厚度为2nm;第三膜层厚度为10nm;第一膜层的厚度为5nm。本实施例还提供一种有机电致发光器件,结构同实施例1,不同的是,第二电极为本实施例所述的电极。实施例3本实施例提供一种电极,结构同实施例1,不同的是:第三膜层厚度为0.5nm,第一膜层厚度为20nm。本实施例还提供一种有机电致发光器件,结构同实施例1,不同的是,第二电极为本实施例所述的电极。实施例4本实施例提供一种电极,结构同实施例1,不同的是:第二膜层为三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)层,厚度为10nm。本实施例还提供一种有机电致发光器件,结构同实施例1,不同的是,第二电极为本实施例所述的电极。实施例5本实施例提供一种电极,结构同实施例1,不同的是:第二膜层为电子传输材料BCP(2,9-二甲基-4,7本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极,其特征在于,包括层叠设置的第一膜层、第二膜层以及第三膜层,所述第一膜层是功函数不小于4.2eV的导电层,所述第二膜层为电子传输材料层,所述第三膜层的功函数小于3eV。

【技术特征摘要】
1.一种电极,其特征在于,包括层叠设置的第一膜层、第二膜层以及第三膜层,所述第一膜层是功函数不小于4.2eV的导电层,所述第二膜层为电子传输材料层,所述第三膜层的功函数小于3eV。2.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述第三膜层为稀土金属、稀土金属化合物、稀土金属合金中的至少一种形成的单层或多层复合结构。3.根据权利要求2所述的电极,其特征在于,所述第三膜层为稀土金属层。4.根据权利要求3所述的电极,其特征在于,所述稀土金属层中稀土金属为镧系金属。5.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述电子传输材料层由Bebq2(双(10-羟基苯并[H]喹啉)铍)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲啰啉)、DPyPA(9,10-二(3-(3-吡啶)苯基)蒽)、Tm3PyPb(1,3,...

【专利技术属性】
技术研发人员:闵超李维维罗志忠刘金强赵菲敖伟
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司昆山国显光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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