背光模组及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种背光模组及液晶显示装置，包括：基底611、LED光源612、透镜层613和遮光层614；其中，所述LED光源612设置于所述基底611内；所述遮光层614设置于所述LED光源612上；所述透镜层613设置于所述遮光层614上。本发明专利技术提供的背光模组光源采用横向排布的四色LED芯片，将传统的分散的单色发光芯片集成到一个芯片中，发光效率高，控制方便，且成本较低。

Backlight module and liquid crystal display device

The invention relates to a backlight module and a liquid crystal display device, including: a base 611, a LED light source 612, a lens layer 613, and a shading layer 614; in which the LED light source 612 is set in the base 611; the shading layer 614 is set on the LED light source 612; the lens layer 613 is set on the shading layer 614. The backlight module source provided by the invention uses a four color LED chip which is transversely distributed. The traditional dispersed monochromatic light emitting chip is integrated into a chip with high luminous efficiency, convenient control and low cost.

【技术实现步骤摘要】
背光模组及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种背光模组及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)，属于平面显示器的一种，广泛应用于电视机、计算机、智能电话、手机、汽车导航装置、电子书等产品中。液晶显示装置具有耗电量低、体积小、辐射低的优点逐渐取代阴极射线管(CathodeRayTube,简称CRT)显示装置。液晶显示装置的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色膜组之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。在目前的现有技术中，背光模组、阵列基板、下偏振片、彩色膜组和上偏振片的层叠结构限制了液晶显示装置的厚度，很难做到更加轻薄。此外，彩色膜组的使用至少损耗了60％的光能，依靠提高背光亮度来满足液晶显示装置的亮度要求，无疑增加了额外的功耗。
技术实现思路
为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本专利技术提出一种背光模组及液晶显示装置。该背光模组61包括：基底611、LED光源612、透镜层613和遮光层614；其中，所述LED光源612设置于所述基底611内；所述遮光层614设置于所述LED光源612上；所述透镜层613设置于所述遮光层614上。在本专利技术的一个实施例中，所述基底611包括底座及设置于所述底座四周的侧壁，所述透镜层613覆盖于所述基底611的侧壁上以封闭所述基底611。在本专利技术的一个实施例中，所述透镜层613用于将所述LED光源612的散光转换成准直光。在本专利技术的一个实施例中，所述LED光源612为横向排布的四色LED芯片。在本专利技术的一个实施例中，所述LED芯片包括依次横向排布的第一蓝光外延层10A、黄光外延层20、绿光外延层30、红光外延层40、第二蓝光外延层10B。在本专利技术的一个实施例中，所述第一蓝光外延层10A和所述第二蓝光外延层10B的材料相同，均包括第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一多量子阱层104、第一AlGaN阻挡层105以及第一p型GaN106。在本专利技术的一个实施例中，所述黄光外延层20包括第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二多量子阱层204、第二AlGaN阻挡层205以及第二p型GaN层206。在本专利技术的一个实施例中，所述绿光外延层30包括第三GaN缓冲层301、第三GaN稳定层302、第三n型GaN层303、第三多量子阱层304、第三AlGaN阻挡层305以及第三p型GaN层306。在本专利技术的一个实施例中，所述红光外延层40包括第四GaN缓冲层401、n型GaAs缓冲层402、n型GaAs稳定层403、第四多量子阱层404、p型A1GaInP阻挡层405以及p型GaAs层406本专利技术的另一个实施例提出的一种液晶显示装置，包括下偏光片62、下基板63、下电极64、液晶分子层65、上电极66、上基板层67以及上偏光片68，还包括由上述任一项实施例所述的背光模组61。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术提出的背光模组的LED光源无需反光板、导光板等材料，直接穿过偏光板，发光效率高，功耗低；2.本专利技术提出的LED光源采用横向排布的四色LED芯片，将传统的分散的单色发光芯片集成到一个芯片中，发光效率高，控制方便，且成本较低；3.本专利技术提出的液晶显示装置，通过直下式背光模组提供四色光源，具有较大的发光亮度，能够提高显示装置的显示色域及发光亮度；4.本专利技术提出的液晶显示装置，免去了彩色膜组的使用，极大地降低了液晶显示装置的厚度。附图说明下面将结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细的说明。图1为本专利技术实施例提供的一种背光模组结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种液晶显示装置结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种基于横向排布的四色LED芯片结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种蓝光外延层的生长示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种第一多量子阱层的生长示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种黄光灯芯槽的制备示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种黄光外延层的生长示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种第二多量子阱层的生长示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种绿光灯芯槽的制备示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种绿光外延层的生长示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种第三多量子阱层的生长示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种红光灯芯槽的制备示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种红光外延层的生长示意图；图14为本专利技术实施例提供的一种第四多量子阱层的生长示意图；图15为本专利技术实施例提供的一种蓝光隔离示意图；图16为本专利技术实施例提供的一种电极制作俯视示意图；图17为本专利技术实施例提供的一种电极制作剖面示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种背光模组结构示意图。该背光模组61包括：基底611、LED光源612、透镜层613和遮光层614。所述LED光源612设置于所述基底611内，所述遮光层614设置于所述LED光源612上，用于将LED光源中相邻的不同颜色光源进行隔离，避免出现混色现象，所述透镜层613设置于所述遮光层614上，所述基底611)包括底座及设置于所述底座四周的侧壁，所述透镜层613覆盖于所述基底611的侧壁上以封闭所述基底611。所述透镜层613用于将所述LED光源612发出的散光转换成准直光。所述LED光源612为横向排布的四色LED芯片，可以发出蓝光、红光、绿光和白光，四色光可以通过电压分别调节亮度，为背光模组提供高色域的稳定光源。所述透镜层613将所述LED光源612发出的散光转换成准直光，因此，所述背光模组61可以直接设置在液晶显示装置的偏光板下，形成直下式背光模组，能够免去液晶显示装置彩膜基板的使用，从而提高出光效率，降低功耗，使显示画面更加逼真。相较于现有技术，本实施例提出的背光模组61，LED光源无需反光板、导光板等直接穿过偏光板，发光效率高，功耗低；此外，相较于现有技术，本实施例的LED光源采用横向排布的四色LED芯片，将传统的分散的单色发光芯片集成到一个芯片中，发光效率高，控制方便，且成本较低。实施例二请参见图2，图2为本专利技术实施例提供的一种液晶显示装置结构示意图。在上述实施例的基础上，本实施例对包括上述实施例提供的背光模组的液晶显示装置进行详细介绍，该液晶显示装置包括背光模组61、下偏光片62、下基板63、下电极64、液晶分子层65、上电极66、上基板层67以及上偏光片68，其中，背光模组61的结构参见实施例二的描述，此处不再赘述。本实施例的液晶显示装置，通过直下式背光模组提供四色光源，具有较大的发光亮度，能够提高显示装置的显示色域及发光亮度；此外，本实施例的液晶显示装置，免去了彩色膜组的使用，极大地降低了液晶显示装置的厚度，由于彩色膜组的透光率只有30％左右，因此，本实施例的液晶显示装置可以提高出光效率，降低功耗。实施例三请参见图3，图3为本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背光模组(61)，其特征在于，包括基底(611)、LED光源(612)、透镜层(613)和遮光层(614)；其中，所述LED光源(612)设置于所述基底(611)内；所述遮光层(614)设置于所述LED光源(612)上；所述透镜层(613)设置于所述遮光层(614)上。

【技术特征摘要】
1.一种背光模组(61)，其特征在于，包括基底(611)、LED光源(612)、透镜层(613)和遮光层(614)；其中，所述LED光源(612)设置于所述基底(611)内；所述遮光层(614)设置于所述LED光源(612)上；所述透镜层(613)设置于所述遮光层(614)上。2.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述基底(611)包括底座及设置于所述底座四周的侧壁，所述透镜层(613)覆盖于所述基底(611)的侧壁上以封闭所述基底(611)。3.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述透镜层(613)用于将所述LED光源(612)的散光转换成准直光。4.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述LED光源(612)为横向排布的四色LED芯片。5.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述LED芯片包括依次横向排布的第一蓝光外延层(10A)、黄光外延层(20)、绿光外延层(30)、红光外延层(40)、第二蓝光外延层(10B)。6.根据权利要求5所述的背光模组(61)，其特征在于，所述第一蓝光外延层(10A)和所述第二蓝光外延层(10B)的材料相同，均包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61