【技术实现步骤摘要】
正压晶圆表面改性装置
本专利技术涉及半导体晶片加工领域,具体地说是一种正压晶圆表面改性装置。
技术介绍
目前,公知的涂胶前晶圆表面极性处理方式为:将晶圆放置于一个密封腔室内,腔室内温度控制在100-120℃的范围内,腔室内相对压力控制在-30~-60Kpa负压范围内,氮气加压后的HMDS溶剂在发泡网板作用下,产生微小气泡,气泡上浮至液面上方破裂后与氮气混合成气雾混合气,混合气通过管道与密封放置晶圆的腔室连接,在腔室负压的带动下迅速喷洒在腔室内静置的晶圆上。由于负压管道的效应短时间内只有少部分药液会作用在晶圆表面,所以为了达到整个晶圆表面都被药液覆盖,整个过程需要持续一段时间,药液的耗费量很大,环境的控制也带来一定压力。其主要问题如下:1、在高频率的晶圆加工过程中,会反复的从腔室内取送和处理晶圆,整个过程要保证频繁重复开合的腔室能达到工艺所要求的负压状态。2、HMDS药液需要大量氮气发泡后形成气雾混合气,需要严格的排风系统,需要复杂的安全处理及管路系统。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种正压晶圆表面改性装置,将本装置放置于涂胶显影机中,可以快速安全的对加工晶圆进行表面改性处理,将原有技术对机械部件装配调试的复杂过程简化,并且减少药液的使用量,提升药液在晶圆表面的有效面积内的沉积均匀性。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种正压晶圆表面改性装置,包括上密封盖、下密封体和加热盘,其中加热盘设置于下密封体中,上密封盖设置于所述下密封体上方,在所述上密封盖的中部设有进气口,在所述上密封盖的边缘设有排废口,在所述下密封体边缘设有补充气体口,且所述排废口 ...
【技术保护点】
一种正压晶圆表面改性装置,其特征在于:包括上密封盖(3)、下密封体(6)和加热盘(5),其中加热盘(5)设置于下密封体(6)中,上密封盖(3)设置于所述下密封体(6)上方,在所述上密封盖(3)的中部设有进气口(1),在所述上密封盖(3)的边缘设有排废口(2),在所述下密封体(6)边缘设有补充气体口(7),且所述排废口(2)和补充气体口(7)与所述上密封盖(3)和下密封体(6)之间的密封反应腔室相通;装置工作时加工用药液气体由所述进气口(1)流入,氮气由补充气体口(7)流入。
【技术特征摘要】
1.一种正压晶圆表面改性装置,其特征在于:包括上密封盖(3)、下密封体(6)和加热盘(5),其中加热盘(5)设置于下密封体(6)中,上密封盖(3)设置于所述下密封体(6)上方,在所述上密封盖(3)的中部设有进气口(1),在所述上密封盖(3)的边缘设有排废口(2),在所述下密封体(6)边缘设有补充气体口(7),且所述排废口(2)和补充气体口(7)与所述上密封盖(3)和下密封体(6)之间的密封反应腔室相通;装置工作时加工用药液气体由所述进气口(1)流入,氮气由补充气...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏猛,
申请(专利权)人:沈阳芯源微电子设备有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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