一种低耗银高效异质结太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低耗银高效异质结太阳能电池片，包括n‑型单晶硅片，依次沉积在n‑型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层，依次沉积在n‑型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层，n‑型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极，n‑型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极，金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成。本实用新型专利技术通过在背电极面透明导电膜上化学沉积铜层，再化学沉积锡层，提高导电性能，提高转换效率，取代背电极面透明导电膜上的银浆金属栅线，减少电池片成本。

【技术实现步骤摘要】
一种低耗银高效异质结太阳能电池片
本技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种低耗银高效异质结太阳能电池片。
技术介绍
随着新能源的开发，光伏产业作为新能源开发的主力军，其具有持续可再生、不会对环境造成污染等特点，因此太阳能电池就会被受观注，尤其是高效太阳能电池技术。太阳能电池片制作一般由制绒、PN结制结、溅射减反射膜、丝网印刷、烧结等流程组成。当太阳光照射在太阳能电池片上时，会在半导体中型成多个电子-空穴对，电子-空穴对通过光伏效应形成电子和空穴，而分离出的电子则移动至N型非晶硅薄膜上，空穴则移动至P型非晶硅薄膜上，电子和空穴的连续移动再由电池片表面的正电极和背电极进行收集，从而获得电能。而传统电池片工艺采用的是高温烧结，使在电池片表面形成栅线电极。因此需要一种不采用高温烧结工艺，避免高温对电池片中PN结的破坏，同时又保证正、背面电极得到良好导电性能的太阳能电池片。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种高导电性能，高转换效率，减少电池片成本的低耗银高效异质结太阳能电池片。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种低耗银高效异质结太阳能电池片，包括n-型单晶硅片，依次沉积在n-型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层，依次沉积在n-型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层，所述n-型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极，所述金属栅线正电极采用银浆金属栅线，所述n-型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极，所述金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成。进一步的，所述第一本征非晶硅薄膜层、第二本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层和N型掺杂非晶硅薄膜层是采用化学气相沉积所得。进一步的，所述第一透明导电薄膜层与第二透明导电薄膜层是采用物理气相沉积所得，所述透明导电层薄膜为氧化铟锡、掺铝氧化锌中的至少一种。进一步的，所述第一透明导电薄膜层与第二透明导电薄膜层均可作为受光面进行吸光发电；作为受光面的透明导电膜层厚度为50nm～130nm之间，作为背光面的透明导电膜层厚度为30nm～100nm之间。进一步的，所述金属背电极可以是全面积背电极，也可以是有图形的背电极。进一步的，所述金属背电极的化学沉积金属铜的厚度为0.5μm～10μm，化学沉积金属锡的厚度为0.1μm～1μm。进一步的，所述高效异质结太阳能电池片可以双面同时入光，也可以P面或N面单面入光的方式进行光电效应。。由上述对本技术结构的描述可知，和现有技术相比，本技术具有如下优点：本技术通过在背电极面透明导电膜上化学沉积铜层，再化学沉积锡层，铜层有利于提高导电性能，锡层可以起到助焊的作用，同时也可以提高电池片的填充因子，从而提高转换效率，取代背电极面透明导电膜上的银浆金属栅线，减少电池片成本。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术背面全面积电池片结构示意图；图2为本技术背面有图形的电池片结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例一：如附图1所示，包括n-型单晶硅片(S01)，依次沉积在n-型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层(S02)、P型掺杂非晶硅薄膜层(S03)、第一透明导电薄膜层(S04)，依次沉积在n-型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层(S05)、N型掺杂非晶硅薄膜层(S06)、第二透明导电薄膜层(S07)；在第一透明导电膜层(S04)上涂布一层保护膜，在第二透明导电薄膜层上利用化学沉积的方法进行全面积化学镀铜(S08)，再在化学镀铜层上沉积一层化学镀锡层(S010)，去除第一透明导电膜层上的保护膜，在第一透明导电薄膜层上利用丝网技术印刷银浆金属栅线正电极(S011)；实施例二：如附图2所示，包括n-型单晶硅片(S01)，依次沉积在n-型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层(S02)、P型掺杂非晶硅薄膜层(S03)、第一透明导电薄膜层(S04)，依次沉积在n-型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层(S05)、N型掺杂非晶硅薄膜层(S06)、第二透明导电薄膜层(S07)；在第一透明导电膜层上涂布一层保护膜，在第二透明导电膜层上进行图形转移(如贴膜、曝光、显影等)，在第二透明导电膜层上形成所需图案，在第二透明导电薄膜层上利用化学沉积的方法进行化学镀铜(S08)，再在化学镀铜层上沉积一层化学镀锡层(S010)，去除第一透明导电膜层上的保护膜和第二透明导电膜层上的感光材料等，在第一透明导电薄膜层上利用丝网技术印刷银浆金属栅线正电极(S011)。上述两种实施中，所述P型掺杂非晶硅薄膜层作为受光面产生光致发电效应，也可以是N型掺杂非晶硅薄膜层作为受光面产生光致发电效应，所述化学沉积金属铜的厚度为0.5μm～10μm，化学沉积金属锡的厚度为0.1μm～1μm，所述作为受光面的透明导电膜层厚度为50nm～130nm之间，作为背光面的透明导电膜层厚度为30nm～100nm之间。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低耗银高效异质结太阳能电池片，包括n‑型单晶硅片，依次沉积在n‑型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层，依次沉积在n‑型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层，其特征在于：所述n‑型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极，所述金属栅线正电极采用银浆金属栅线，所述n‑型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极，所述金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成。

【技术特征摘要】
1.一种低耗银高效异质结太阳能电池片，包括n-型单晶硅片，依次沉积在n-型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层，依次沉积在n-型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层，其特征在于：所述n-型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极，所述金属栅线正电极采用银浆金属栅线，所述n-型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极，所述金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成。2.根据权利要求1所述一种低耗银高效异质结太阳能电池片，其特征在于：所述第一本征非晶硅薄膜层、第二本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层和N型掺杂非晶硅薄膜层是采用化学气相沉积所得。3.根据权利要求1所述一种低耗银高效异质结太阳能电池片，其特征在于：所述第一透明导电薄膜层与第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟文，罗骞，宋广华，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35