一种基于功率放大器的过温保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于功率放大器的过温保护装置，包括功率放大器、至少10片散热片、控制器、温度传感器、AD转换器；所述散热片整齐排列在功率放大器的一侧，且该散热片之间设置有一个空槽，该空槽内设置有风扇；所述控制器设置在功率放大器的内部；所述温度传感器、AD转换器均设置在功率放大器的另一侧，该温度传感器与AD转换器电连接，且该AD转换器与所述控制器电连接，该控制器与风扇电连接。通过上述各个部件的配合，组成一个散热系统，首先温度传感器监测功率放大器的温度，当温度过高时会通过AD转换器发送一个告警信号给控制器，以便控制器打开风扇进行散热；通常情况下散热片可以起到基本的散热作用，从而减少一部分电力损耗。

A kind of overtemperature protection device based on power amplifier

The utility model discloses an overtemperature protection device based on power amplifier, which includes a power amplifier, at least 10 radiators, a controller, a temperature sensor and a AD converter. The radiator is arranged in a neat row on one side of the power amplifier, and an empty slot is arranged between the heat sink, and a fan is arranged in the empty slot. The controller is set inside the power amplifier; the temperature sensor and the AD converter are set on the other side of the power amplifier. The temperature sensor is electrically connected with the AD converter, and the AD converter is electrically connected with the controller, and the controller is electrically connected with the fan. Through the coordination of the above components, a heat dissipation system is formed. First, the temperature sensor monitors the temperature of the power amplifier. When the temperature is too high, a warning signal is sent through the AD converter to the controller, so that the controller opens the fan for heat dissipation; in general, the heat dissipation film can play a basic heat dissipation effect. And a part of the power loss is reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种基于功率放大器的过温保护装置
本技术涉及过温保护装置，具体涉及一种基于功率放大器的过温保护装置。
技术介绍
自1974年，美国的Plessey公司用GaAsFET作为有源器件，GaAs半绝缘衬底作为载体，研制成功世界上第一块MMIC放大器以来，在军事应用(包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面)的推动下，MMIC的发展十分迅速。80年代，随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术(MOCVD)和深亚微米加工技术的发展和进步，MMIC发展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管(HEMT)，在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT(PHEMT)，使HEMT向更调频率更低噪声方向发展。继HEMT之后，1984年用GaAlAs/GaAs异质结取代硅双极晶体管中的P-N结，研制成功了频率特性和速度特性更优异的异质结双极晶体管(HBT)和HBTMMIC。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基更为优越，近年来随着InP单晶的制备取得进展，InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波，即交流信号电流，三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍，β是三极管的交流放大倍数，应用这一点，若将小信号注入基极，则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍，然后将这个信号用隔直电容隔离出来，就得到了电流(或电压)是原先的β倍的大信号，这现象成为三极管的放大作用。经过不断的电流放大，就完成了功率放大。功放的散热一直是一个需要解决的问题，不同的功放所需的散热方式也不一样，本技术提供一种新的散热方式。
技术实现思路
本技术所要解决现有技术中散热效率低的问题，提供一种基于功率放大器的过温保护装置，提供两种散热渠道，根据不同情况选择散热方式。本技术通过下述技术方案实现：一种基于功率放大器的过温保护装置，包括功率放大器、至少10片散热片、控制器、温度传感器、AD转换器；所述散热片整齐排列在功率放大器的一侧，且该散热片之间设置有一个空槽，该空槽内设置有风扇；所述控制器设置在功率放大器的内部；所述温度传感器、AD转换器均设置在功率放大器的另一侧，该温度传感器与AD转换器电连接，且该AD转换器与所述控制器电连接，该控制器与风扇电连接。通过上述各个部件的配合，组成一个散热系统，首先温度传感器监测功率放大器的温度，当温度过高时会通过AD转换器发送一个告警信号给控制器，以便控制器打开风扇进行散热；通常情况下散热片可以起到基本的散热作用，从而减少一部分电力损耗，安全可靠。进一步的，所述风扇设置有插件，所述插件位于风扇的外壁，该插件至少有2个。进一步的，所述空槽的内壁上设置有插孔，所述插孔与所述插件匹配，并且该插件安装在所述插孔中。进一步的，该一种基于功率放大器的过温保护装置，还包括主板柜，所述主板柜的形状是上端开口的盒体，所述散热片安装在该主板柜的侧面，所述功率放大器、温度传感器、AD转换器均设置在该主板柜的内部。进一步的，还包括电源，所述电源分别为风扇和控制器供电。进一步的，还包括开关，所述开关一端电连接电源，另一端分别电连接风扇和控制器。本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：1、本技术一种基于功率放大器的过温保护装置结构简单，安装简便；2、本技术一种基于功率放大器的过温保护装置可以有效的降温散热；3、本技术一种基于功率放大器的过温保护装置采用风冷和散热片降温两种方式散热，绿色节能。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：图1为本技术结构示意图；图2为风扇的结构示意图；图3为本技术原理示意图。附图中标记及对应部分的名称：1-散热片，2-风扇，3-插件，4-插孔，5-主板柜，6-功率放大器，7-温度传感器，8-AD转换器。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。实施例如图1、2、3所示，一种基于功率放大器的过温保护装置，包括功率放大器6、至少10片散热片1、控制器、温度传感器7、AD转换器8；所述散热片1整齐排列在功率放大器6的一侧，且该散热片1之间设置有一个空槽，该空槽内设置有风扇2；所述控制器设置在功率放大器6的内部；所述温度传感器7、AD转换器8均设置在功率放大器6的另一侧，该温度传感器7与AD转换器8电连接，且该AD转换器8与所述控制器电连接，该控制器与风扇2电连接。通过上述各个部件的配合，组成一个散热系统，首先温度传感器7监测功率放大器6的温度，当温度过高时会通过AD转换器8发送一个告警信号给控制器，以便控制器打开风扇2进行散热；通常情况下散热片1可以起到基本的散热作用，从而减少一部分电力损耗，安全可靠。所述风扇2设置有插件3，所述插件位于风扇2的外壁，该插件至少有2个。，所述空槽的内壁上设置有插孔4，所述插孔4与所述插件3匹配，并且该插件3安装在所述插孔4中。该一种基于功率放大器的过温保护装置，还包括主板柜5，所述主板柜5的形状是上端开口的盒体，所述散热片1安装在该主板柜5的侧面，所述功率放大器6、温度传感器7、AD转换器8均设置在该主板柜5的内部。还包括电源，所述电源分别为风扇2和控制器供电。还包括开关，所述开关一端电连接电源，另一端分别电连接风扇2和控制器。以上所述的具体实施方式，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施方式而已，并不用于限定本技术的保护范围，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于功率放大器的过温保护装置，包括功率放大器(6)，其特征在于，还包括至少10片散热片(1)、控制器、温度传感器(7)、AD转换器(8)；所述散热片(1)整齐排列在功率放大器(6)的一侧，且该散热片(1)之间设置有一个空槽，该空槽内设置有风扇(2)；所述控制器设置在功率放大器(6)的内部；所述温度传感器(7)、AD转换器(8)均设置在功率放大器(6)的另一侧，该温度传感器(7)与AD转换器(8)电连接，且该AD转换器(8)与所述控制器电连接，该控制器与风扇(2)电连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于功率放大器的过温保护装置，包括功率放大器(6)，其特征在于，还包括至少10片散热片(1)、控制器、温度传感器(7)、AD转换器(8)；所述散热片(1)整齐排列在功率放大器(6)的一侧，且该散热片(1)之间设置有一个空槽，该空槽内设置有风扇(2)；所述控制器设置在功率放大器(6)的内部；所述温度传感器(7)、AD转换器(8)均设置在功率放大器(6)的另一侧，该温度传感器(7)与AD转换器(8)电连接，且该AD转换器(8)与所述控制器电连接，该控制器与风扇(2)电连接。2.根据权利要求1所述的一种基于功率放大器的过温保护装置，其特征在于：所述风扇(2)设置有插件(3)，所述插件位于风扇(2)的外壁，该插件至少有2个。3.根据权利要求2所述的一种基于功...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天翔，
申请(专利权)人：成都西井科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51